基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够抑制形成于基板表面的图案倒塌。本公开的一个方式的基板处理装置包括批处理部、单张处理部以及搬送部。批处理部对包括多个基板的基板组一并进行处理。单张处理部对基板组中包括的基板逐张地进行处理。搬送部在批处理部与单张处理部之间逐张地交接基板。另外，批处理部具有处理槽，该处理槽用于贮存包含冲洗液的处理液。另外，搬送部具有流体供给部，在从接受到处理槽内的基板组中包括的基板起至将该基板交接到单张处理部为止，所述流体供给部向处理槽和基板中的至少一方供给表面张力比冲洗液的表面张力低的低表面张力流体。冲洗液的表面张力低的低表面张力流体。冲洗液的表面张力低的低表面张力流体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法


[0001]公开的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0002]以往，存在一种基板处理系统，其具备对半导体晶圆等基板逐张地进行处理的单张式的处理部(单张处理部)和对多个基板一并进行处理的批式的处理部(批处理部)这两方，从批处理部向单张处理部逐张地搬送基板。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平9
‑
162157号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够抑制形成于基板的表面的图案的倒塌的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式的基板处理装置具备批处理部、单张处理部以及搬送部。批处理部对包括多个基板的基板组一并进行处理。单张处理部对所述基板组中包括的所述基板逐张地进行处理。搬送部在所述批处理部与所述单张处理部之间逐张地交接所述基板。另外，所述批处理部具有处理槽，所述处理槽用于贮存包含冲洗液的处理液。另外，所述搬送部具有流体供给部，在从接受到所述处理槽内的所述基板组中包括的所述基板起至将该基板交接到所述单张处理部为止，所述流体供给部向所述处理槽和所述基板中的至少一方供给表面张力比冲洗液的表面张力低的低表面张力流体。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本专利技术，能够抑制形成于基板的表面的图案的倒塌。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的框图。
[0013]图2是实施方式所涉及的基板处理系统中的搬入区域、批区域以及IF区域的示意性的俯视图。
[0014]图3是实施方式所涉及的基板处理系统中的IF区域、单张区域以及搬出区域的示意性的俯视图。
[0015]图4是表示实施方式所涉及的蚀刻用的处理槽的结构的框图。
[0016]图5是表示实施方式所涉及的冲洗用的处理槽的结构的框图。
[0017]图6是表示实施方式所涉及的液处理部的结构的示意图。
[0018]图7是表示实施方式所涉及的干燥处理部的结构的示意图。
[0019]图8是表示实施方式所涉及的基板处理系统执行的处理的过程的流程图。
[0020]图9是表示实施方式中的处理液的IPA浓度与晶圆表面的接触角之间的关系的图。
[0021]图10是表示实施方式中的处理液的IPA浓度与晶圆表面的表面张力之间的关系的图。
[0022]图11是用于说明实施方式所涉及的液膜形成处理的图。
[0023]图12是用于说明实施方式所涉及的液膜形成处理的图。
[0024]图13是用于说明实施方式所涉及的液膜形成处理的图。
[0025]图14是用于说明实施方式所涉及的液膜形成处理的图。
[0026]图15是用于说明实施方式所涉及的液膜形成处理的图。
[0027]图16是用于说明实施方式所涉及的液膜形成处理的图。
具体实施方式
[0028]下面，参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。此外，并不通过以下所示的各实施方式限定本公开。另外，需要留意的是，附图是示意性的，各要素的尺寸关系、各要素的比率等有时与实际不同。并且，在附图之间有时也包括彼此的尺寸关系、比率不同的部分。
[0029]以往，存在一种基板处理系统，其具备对半导体晶圆等基板逐张地进行处理的单张式的处理部(单张处理部)和对多个基板一并进行处理的批式的处理部(批处理部)这两方，并且从批处理部向单张处理部逐张地搬送基板。
[0030]另外，在该单张处理部中，有时在基板的图案形成面形成液膜并进行使用超临界状态的处理流体来使该基板干燥的干燥处理(以下，也称为“超临界干燥处理”。)。
[0031]然而，在上述的现有技术中，当在至此为止的基板处理中基板表面的接触角变大的情况下，在从批处理部向单张处理部搬送基板的期间，基板表面的至少一部分(例如，基板的周缘部)可能会干燥。而且，在基板表面的一部分干燥了的情况下，该干燥了的部位处的图案可能会倒塌。
[0032]因此，期待一种能够克服上述的问题点来抑制形成于基板的表面的图案的倒塌的技术。
[0033]<基板处理系统的结构>
[0034]首先，参照图1对实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构进行说明。图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构的框图。
[0035]如图1所示，实施方式所涉及的基板处理系统1具备搬入区域A1、批区域A2、IF(接口)区域A3、单张区域A4以及搬出区域A5。搬入区域A1、批区域A2、IF区域A3、单张区域A4以及搬出区域A5按照所记载的顺序排列。
[0036]在实施方式所涉及的基板处理系统1中，首先，在搬入区域A1中进行半导体晶圆(以下，简单地记载为“晶圆”)的搬入。在搬入区域A1设置有第一载置部20等(参照图2)，该第一载置部20用于载置收容有多个晶圆W(参照图2)的承载件C。
[0037]在搬入区域A1中进行从载置于第一载置部20的承载件C取出多个晶圆W来形成基板组的处理、以及将所形成的基板组传递到批区域的处理等。
[0038]在批区域A2设置有批处理部等，该批处理部以基板组为单位对晶圆W一并进行处理。在实施方式中，在批处理区域A2中，使用批处理部以基板组为单位来进行晶圆W的蚀刻
处理等。另外，在批区域A2设置有搬送基板组的基板组搬送机构。基板组搬送机构将在搬入区域A1中形成的基板组搬送到批区域A2。
[0039]在IF区域A3中进行从批区域A2向单张区域A4的晶圆W的交接(搬送)。在IF区域A3设置有逐张地搬送晶圆W的搬送部，使用该搬送部从批区域向单张区域逐张地搬送晶圆W。
[0040]在单张区域A4设置有对晶圆W逐张地进行处理的单张处理部等。在实施方式中，在单张区域A4设置有液处理部6(参照图3)和干燥处理部7(参照图3)，从IF区域A3向所述液处理部6搬入晶圆，所述干燥处理部7对通过液处理部6被处理后的晶圆进行处理。液处理部6和干燥处理部7是单张处理部的一例。
[0041]具体地说，液处理部6在晶圆W的表面形成液膜。另外，干燥处理部7使在表面形成有液膜的晶圆W与超临界流体接触来使晶圆干燥。
[0042]即，在实施方式所涉及的基板处理系统1中，在批区域A2中以基板组为单位进行晶圆W的蚀刻处理，之后，在单张区域A4中逐张地进行晶圆W的干燥处理。
[0043]在搬出区域A5设置有第二载置部93(参照图3)等，该第二载置部93用于载置空的承载件C(参照图3)。在搬出区域A5中进行将在单张区域A4中结束了干燥处理的晶圆收容到载置于第二载置部93的承载件C中的处理。
[0044]接着，参照图2和图3对实施方式所涉及的基板处理系统1的具体结构进行说明。图2是实施方式所涉及的基板处理系统1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，具备：批处理部，其对包括多个基板的基板组一并进行处理；单张处理部，其对所述基板组中包括的所述基板逐张地进行处理；以及搬送部，其在所述批处理部与所述单张处理部之间逐张地交接所述基板，其中，所述批处理部具有处理槽，所述处理槽用于贮存包含冲洗液的处理液，所述搬送部具有流体供给部，在从接受到所述处理槽内的所述基板组中包括的所述基板起至将该基板交接到所述单张处理部为止，所述流体供给部向所述处理槽和所述基板中的至少一方供给表面张力比冲洗液的表面张力低的低表面张力流体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述流体供给部向所述处理槽供给所述低表面张力流体。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述低表面张力流体为异丙醇，所述处理槽中贮存的所述处理液的异丙醇浓度为10％以上。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：浓度计，其测定所述处理槽中贮存的所述处理液的异丙醇浓度；以及控制部，其控制各部，其中，所述控制部基于由所述浓度计测定的所述处理液的异丙醇浓度，来从所述流体供给部向所述处理槽供给异丙醇。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述流体供给部具有喷嘴，在将所述基板从所述处理槽中提起时，所述喷嘴向所述基板喷出所述低表面张力流体。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述搬送部具有把持部，所述把持部用于把持所述基板的周缘部，所述流体供给部朝向所述把持部供给所述低表面张力流体。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：五师源太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：