基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

技术编号:35849737 阅读:19 留言:0更新日期:2022-12-07 10:32
本发明专利技术提供一种基板处理方法和基板处理装置,能够抑制在基板上产生微粒。基板处理方法包括一边使基板旋转一边从药液供给部的喷嘴向基板的表面供给药液来对基板进行处理,所述基板处理方法包括:第一工序,检测在药液供给部的流路内的药液中产生的气泡;第二工序,获取从喷嘴排出在第一工序中检测到的药液中的气泡的排出时期;以及第三工序,基于排出时期来变更喷嘴相对于基板的位置。期来变更喷嘴相对于基板的位置。期来变更喷嘴相对于基板的位置。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置


[0001]本专利技术涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种对形成于基板的表面的自然氧化膜中的位于基板的周缘部的部分供给氢氟酸等药液并通过蚀刻处理来去除该膜的基板处理方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2019

040958号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开对能够抑制在基板上产生微粒的基板处理方法和基板处理装置进行说明。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]基板处理方法的一例是一种基板处理方法,包括一边使基板旋转一边从药液供给部的喷嘴向基板的表面供给药液来对基板进行处理,所述基板处理方法包括以下工序:第一工序,检测药液供给部的流路内的药液中产生的气泡;第二工序,获取从喷嘴排出在第一工序中检测到的药液中的气泡的排出时期;以及第三工序,基于排出时期来变更喷嘴相对于基板的位置。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开所涉及的基板处理方法和基板处理装置,能够抑制在基板上产生微粒。
附图说明
[0012]图1是示意性地表示基板处理系统的一例的俯视图。
[0013]图2是示意性地表示处理单元的一例的侧视图。
[0014]图3是表示基板的处理时间与从喷嘴喷出蚀刻液的喷出流量之间的关系的一例的图。
[0015]图4是表示基板处理系统的主要部分的一例的框图。
[0016]图5是表示控制器的硬件结构的一例的概要图。
[0017]图6的(a)是表示动作序列1中的各液体的流量的经时变化的图,图6的(b)是表示动作序列1中的各喷嘴的位置的经时变化的图。
[0018]图7是用于说明基于动作序列1的基板的处理过程的例子的截面图。
[0019]图8是用于说明微粒产生区间的例子的图。
[0020]图9的(a)是表示动作序列2中的各液体的流量的经时变化的图,图9的(b)是表示动作序列2中的各喷嘴的位置的经时变化的图。
[0021]图10是用于说明基于动作序列2的基板的处理过程的例子的截面图。
[0022]图11的(a)是表示动作序列3中的各液体的流量的经时变化的图,图11的(b)是表示动作序列3中的各喷嘴的位置的经时变化的图。
[0023]图12是用于说明基于动作序列3的基板的处理过程的例子的截面图。
[0024]图13的(a)是表示动作序列4中的各液体的流量的经时变化的图,图13的(b)是表示动作序列4中的各喷嘴的位置的经时变化的图。
[0025]图14是用于说明基于动作序列4的基板的处理过程的例子的截面图。
[0026]图15的(a)是表示动作序列5中的各液体的流量的经时变化的图,图15的(b)是表示动作序列5中的各喷嘴的位置的经时变化的图。
[0027]图16是用于说明基于动作序列5的基板的处理过程的例子的截面图。
具体实施方式
[0028]在以下的说明中,对相同要素或具有相同功能的要素使用相同的附图标记,省略重复的说明。此外,在本说明书中,在提到图中的上、下、右、左时,以图中的附图标记的朝向为基准。
[0029][基板处理系统][0030]首先,参照图1
[0031]来说明基板处理系统1(基板处理装置),该基板处理系统1(基板处理装置)构成为对基板W进行处理。基板处理系统1具备搬入搬出站2、处理站3以及控制器Ctr(控制部)。搬入搬出站2和处理站3例如可以在水平方向上排成一列。
[0032]基板W可以呈圆板状,也可以呈多边形等圆形以外的板状。基板W可以具有一部分被切掉后的切口部。切口部例如可以为槽口(U字形、V字形等的槽),也可以为直线状地延伸的直线部(所谓的定向平面)。基板W例如可以是半导体基板(硅晶圆)、玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display:平板显示器)基板等其它各种基板。基板W的直径例如可以为200mm~450mm左右。
[0033]搬入搬出站2包括载置部4、搬入搬出部5以及架单元6。载置部4包括在宽度方向(图1的上下方向)上排列的多个载置台(未图示)。各载置台构成为能够载置承载件7(收容容器)。承载件7构成为以密封状态收容至少一个基板W。承载件7包括用于取入和放入基板W的开闭门(未图示)。
[0034]搬入搬出部5在搬入搬出站2与处理站3排列的方向(图1的左右方向)上同载置部4相邻地配置。搬入搬出部5包括与载置部4对应地设置的开闭门(未图示)。在载置部4上载置有承载件7的状态下,将承载件7的开闭门和搬入搬出部5的开闭门一同打开,由此搬入搬出部5内与承载件7内连通。
[0035]搬入搬出部5内置有搬送臂A1和架单元6。搬送臂A1构成为能够进行搬入搬出部5的宽度方向(图1的上下方向)上的水平移动、铅垂方向上的上下移动以及绕铅垂轴的转动动作。搬送臂A1构成为:将基板W从承载件7取出并传递至架单元6,另外,从架单元6接受基板W并送回承载件7内。架单元6位于处理站3的附近,构成为中继搬入搬出部5与处理站3之间的基板W的交接。
[0036]处理站3包括搬送部8和多个处理单元10。搬送部8例如在搬入搬出站2与处理站3
排列的方向(图1的左右方向)上水平地延伸。搬送部8内置有搬送臂A2。搬送臂A2构成为能够进行搬送部8的长度方向(图1的左右方向)上的水平移动、铅垂方向上的上下移动以及绕铅垂轴的转动动作。搬送臂A2构成为:将基板W从架单元6取出并传递至各处理单元10,另外,从各处理单元10接受基板W并送回到架单元6内。
[0037]多个处理单元10配置为在搬送部8的两侧分别沿着搬送部8的长度方向(图1的左右方向)排成一列。处理单元10构成为对基板W进行规定的处理(例如,基板W的清洗处理、形成于基板W的表面Wa的膜F的蚀刻处理等)。在后文中叙述处理单元10的详情。
[0038]控制器Ctr构成为局部或整体地控制基板处理系统1。在后文中叙述控制器Ctr的详情。
[0039][处理单元][0040]接着,参照图2详细地说明处理单元10。处理单元10具备旋转保持部20、药液供给部30、冲洗液供给部40以及摄像部50(检测部)。
[0041]旋转保持部20包括旋转部21、轴22以及保持部23。旋转部21构成为:基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,来使轴22旋转。旋转部21例如可以是电动马达等动力源。
[0042]保持部23设置于轴22的前端部。保持部23构成为例如通过吸附等对基板W的背面Wb进行吸附保持。即,旋转保持部20可以构成为:在基板W的姿势为大致水平的状态下,使基板W绕与基板W的表面Wa垂直的中心轴(旋转轴)旋转。如图2等所例示的那样,旋转保持部20可以使基板W在从上方观察时顺时针地旋转。此外,保持部23可以构成为对基板W的整个背面Wb进行本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法,包括一边使基板旋转一边从药液供给部的喷嘴向所述基板的表面供给药液来对所述基板进行处理,所述基板处理方法包括以下工序:第一工序,检测在所述药液供给部的流路内的所述药液中产生的气泡;第二工序,获取从所述喷嘴排出在所述第一工序中检测到的所述药液中的气泡的排出时期;以及第三工序,基于所述排出时期来变更所述喷嘴相对于所述基板的位置。2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,在所述第一工序之前还包括第四工序,在该第四工序中使所述药液中的气泡滞留于在所述药液供给部的所述流路设置的气泡滞留部,所述第一工序包括:检测滞留于所述气泡滞留部的气泡。3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,所述气泡滞留部设置于阀的内部空间,所述阀在允许所述流路中的所述药液的流通的打开状态与妨碍所述流路中的所述药液的流通的关闭状态间进行动作。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,所述第一工序包括检测从所述喷嘴一并排出所述药液及所述药液中的气泡时的、所述流路内的药液的流量变动或者从所述喷嘴喷出所述药液的喷出状态的变化。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,所述第一工序包括拍摄所述流路内的所述药液中的气泡。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,对所述基板进行处理包括从所述喷嘴向所述基板的周缘部供给所述药液来对所述周缘部进行处理。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,所述药液是具有发泡性的药液或者在液体中溶解有气体的药液。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,所述第三工序包括:当在从所述喷嘴向所述基板供给所述药液的中途成为了所述排出时期的情况下,使所述喷嘴暂时移动到所述基板的径向外方的位置。9.根据权利要求8所述的基板处理方法,其特征在于,所述第三工序包括:当在从所述喷嘴向所述基板供给所述药液的中途成为了所述排出时期的情况下,使所述喷嘴暂时移动到所述基板的外侧。10.根据权利要求8所述的基板处理方法,其特征在于,所述第三工序包括:当在从所述喷嘴向所述基板供给所述药液的中途成为了所述排出时期的情况下,使所述喷嘴暂时移动到所述基板的外侧,并从冲洗液供给部的冲洗喷嘴向所述基板的表面暂时供给冲洗液。11.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,所述第三工序包括:在从所述喷嘴在所述基板的外侧喷出药液直到成为所述排出时期为止之后,在保持从所述喷嘴喷出所述药液的状态下使所述喷嘴移动到所述基板的上方,并从所述喷嘴向所述基板的表面供给所述药液。12.根据权利要求11所述的基...

【专利技术属性】
技术研发人员:藤田阳
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:

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