基片支承体、基片支承体组件和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供对于在等离子体处理中向RF电极部供给的RF电功率，能够抑制低频侧的RF电功率的损失的基片支承体、基片支承体组件和等离子体处理装置。本发明专利技术的基片支承体用于支承基片，其特征在于，包括：基片吸附部，其包括用于保持所述基片的吸附电极；RF电极部，其能够被供给RF电功率；和基片温度调节部，其包括用于调节所述基片的温度的加热器电极，所述基片吸附部和所述基片温度调节部隔着所述RF电极部层叠。层叠。层叠。

【技术实现步骤摘要】
基片支承体、基片支承体组件和等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及基片支承体、基片支承体组件和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种基片支承体，其包括：用于载置被处理体并且在内部设置有加热器的基片支承体主体；和在内部设置有制冷剂通路的冷却台。基片支承体主体与冷却台彼此隔开间隔。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
63011号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的技术，对于在等离子体处理中向RF电极部供给的RF电功率，能够抑制低频侧的RF电功率的损失。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个方式是一种基片支承体，其用于支承基片，所述基片支承体的特征在于，包括：基片吸附部，其包括用于保持所述基片的吸附电极；RF电极部，其能够被供给RF电功率；和基片温度调节部，其包括用于调节所述基片的温度的加热器电极，所述基片吸附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片支承体，其用于支承基片，所述基片支承体的特征在于，包括：基片吸附部，其包括用于保持所述基片的吸附电极；RF电极部，其能够被供给RF电功率；和基片温度调节部，其包括用于调节所述基片的温度的加热器电极，所述基片吸附部和所述基片温度调节部隔着所述RF电极部层叠。2.如权利要求1所述的基片支承体，其特征在于：所述基片吸附部配置在所述RF电极部的上表面侧，所述基片温度调节部配置在所述RF电极部的下表面侧。3.如权利要求1或2所述的基片支承体，其特征在于：所述基片吸附部的厚度为2mm以下。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承体，其特征在于：所述基片吸附部具有用于内置所述吸附电极的、由电介质构成的第1基层。5.如权利要求4所述的基片支承体，其特征在于：所述第1基层由金属氧化物构成，所述基片吸附部能够产生库仑力来保持所述基片。6.如权利要求4所述的基片支承体，其特征在于：所述第1基层由具有1
×
10
15
Ω
·
cm以上的体积电阻率的陶瓷构成。7.如权利要求4所述的基片支承体，其特征在于：所述第1基层由金属氮化物构成，所述基片吸附部能够产生约翰逊
‑
拉别克力来保持所述基片。8.如权利要求4所述的基片支承体，其特征在于：所述第1基层由具有1
×
10
‑8～1
×
10
‑
11
Ω
·
cm的体积电阻率的陶瓷构成。9.如权利要求4～8中任一项所述的基片支承体，其特征在于：所述RF电极部由导体构成，所述RF电极部与所述第1基层的线膨胀系数差为1ppm/℃以下。10.如权利要求1～9中任一项所述的基片支承体，其特征在于：所述基片温度调节部具有用于内置所述加热器电极的、由电介质构成的第2基层。11.如权利要求10所述的基片支承体，其特征在于：所述RF电极部由导体构成，所述RF电极部与所述第2基层的线膨胀系数差为1ppm/℃以下。12.一种基片支承体组件，其包括权利要求1～11中任一项所述的基片支承体，所述基片支承体组件的特征在于，包括：设置在所述基片支承体的下表面侧的基座，其具有温度调节介质用的流路；与所述基座连接的供电体，其能够经由所述基座向所述RF电极部传输所述RF电功率；设置在所述基座与所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岩真悟，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：