基于本公开的接合装置(41、41A、41B)用于将基板之间进行接合，所述接合装置具备第一保持部(110)、第二保持部(120)、移动部(130)、壳体(100)、干涉仪(160、170)、第一气体供给部(140、140B)以及第二气体供给部(180、180A)。第一保持部(110)用于从第一基板(W1)的上方吸附保持第一基板(W1)。第二保持部(120)用于从第二基板(W2)的下方吸附保持第二基板(W2)。移动部(130)用于使第一保持部(110)和第二保持部(120)中的一方的保持部相对于另一方的保持部沿水平方向移动。壳体(100)收容第一保持部(110)、第二保持部(120)以及移动部(130)。干涉仪(160、170)配置于壳体(100)的内部，干涉仪(160、170)通过对上述一方的保持部或与上述一方的保持部一同移动的物体照射光来测定到上述一方的保持部或物体的水平距离。第一气体供给部(140、140B)用于对壳体(100)的内部供给被清洁化后的第一气体。第二气体供给部(180、180A)用于对被照射光的上述一方的保持部或上述物体与干涉仪(160、170)之间的空间供给第二气体。气体。气体。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合装置、接合系统以及接合方法
[0001]本公开涉及一种接合装置、接合系统以及接合方法。
技术介绍
[0002]以往，为了响应半导体器件的高集成化的要求，提出使用将半导体器件三维地层叠的三维集成技术。作为使用该三维集成技术的系统，例如已知有一种将半导体晶圆等基板之间进行接合的接合技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2018/088094号
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种在将基板之间进行接合的接合技术中能够提高基板之间的接合精度的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]基于本公开的一个方式的接合装置用于将基板之间进行接合，所述接合装置具备第一保持部、第二保持部、移动部、壳体、干涉仪、第一气体供给部以及第二气体供给部。第一保持部用于从第一基板的上方吸附保持第一基板。第二保持部用于从第二基板的下方吸附保持第二基板。移动部用于使第一保持部和第二保持部中的一方的保持部相对于另一方的保持部沿水平方向移动。壳体收容第一保持部、第二保持部以及移动部。干涉仪配置于壳体的内部，所述干涉仪通过对所述一方的保持部或与所述一方的保持部一同移动的物体照射光来测定到所述一方的保持部或所述物体的水平距离。第一气体供给部用于对壳体的内部供给被清洁化后的第一气体。第二气体供给部用于对被照射光的所述一方的保持部或所述物体与干涉仪之间的空间供给第二气体。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，在将基板之间进行接合的接合技术中，能够提高基板之间的接合精度。
附图说明
[0012]图1是示出实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图。
[0013]图2是示出实施方式所涉及的第一基板与第二基板接合前的状态的示意图。
[0014]图3是实施方式所涉及的接合装置的俯视图。
[0015]图4是实施方式所涉及的接合装置的侧视图。
[0016]图5是实施方式所涉及的第一保持部和第二保持部的侧视图。
[0017]图6是实施方式所涉及的第二气体供给部的立体图。
[0018]图7是实施方式所涉及的第二气体供给部的侧剖截面图。
[0019]图8是示出实施方式所涉及的接合系统执行的处理过程的流程图。
[0020]图9是变形例所涉及的第二气体供给部的立体图。
[0021]图10是变形例所涉及的第二气体供给部的侧剖截面图。
[0022]图11是变形例所涉及的接合装置的侧视图。
具体实施方式
[0023]下面，参照附图来对用于实施本公开的接合装置、接合系统以及接合方法的方式(下面，记载为“实施方式”)详细地进行说明。此外，并不通过该实施方式来限定本公开。另外，能够在不使处理内容矛盾的范围内将各实施方式适当地进行组合。另外，在下面的各实施方式中，对相同的部位标注相同的标记，并省略重复的说明。
[0024]另外，在下面所示的实施方式中，有时使用“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”之类的表述，但这些表述无需严格地为“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表述例如容许制造精度、设置精度等的偏差。
[0025]另外，在下面参照的各附图中，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向、并将铅垂向上方向设为Z轴正方向的正交坐标系，以使说明容易理解。另外，有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称作θ方向。
[0026]近年，半导体器件的高集成化不断发展。在将高集成化的多个半导体器件配置于水平面内并将这些半导体器件通过布线进行连接来产品化的情况下，担心布线长度增大，并由此导致布线的电阻变大，另外布线延迟变大。
[0027]因此，提出使用将半导体器件三维地层叠的三维集成技术。在该三维集成技术中，例如使用专利文献1所记载的接合系统来进行2张半导体晶圆(下面，称作“基板”。)的接合。
[0028]在上述接合装置中，在使用第一保持部保持一个基板(下面，称作“第一基板”。)、并且使用设置于第一保持部的下方的第二保持部保持另一个基板(下面，称作“第二基板”。)的状态下，将该第一基板与第二基板进行接合。而且，在像这样将基板之间进行接合之前，使第二保持部沿水平方向移动来调节第一基板与第二基板之间的水平方向位置，并进一步使第二保持部沿铅垂方向移动来调节第一基板与第二基板之间的铅垂方向位置。
[0029]在上述的专利文献1所记载的接合装置中，在使第二保持部沿水平方向移动时，使用激光干涉仪来测定移动部的水平方向上的距离，并基于该测定结果来控制移动部，由此调节第二保持部的水平方向位置。
[0030]在像这样将基板之间进行接合的技术中，具有想要提高基板之间的接合精度这样的要求。例如，接合精度能够通过尽可能地减小第一基板与第二基板之间的水平方向上的位置偏移来提高。
[0031]<接合系统的结构>
[0032]首先，参照图1和图2来对实施方式所涉及的接合系统的结构进行说明。图1是示出实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图。另外，图2是示出实施方式所涉及的第一基板与第二基板进行接合前的状态的示意图。
[0033]图1所示的接合系统1通过将第一基板W1与第二基板W2接合来形成重合基板T(参照图2)。
[0034]第一基板W1和第二基板W2为单晶硅晶圆，在板面形成有多个电子电路。第一基板W1和第二基板W2的直径大致相同。此外，也可以是，第一基板W1和第二基板W2中的一方是例如未形成有电子电路的基板。
[0035]下面，如图2所示，将第一基板W1的板面中的、与第二基板W2进行接合的一侧的板面记载为“接合面W1j”，将与接合面W1j相反的一侧的板面记载为“非接合面W1n”。另外，将第二基板W2的板面中的、与第一基板W1进行接合的一侧的板面记载为“接合面W2j”，将与接合面W2j相反的一侧的板面记载为“非接合面W2n”。
[0036]如图1所示，接合系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2配置于处理站3的X轴负方向侧，与处理站3一体地连接。
[0037]搬入搬出站2具备载置台10和搬送区域20。载置台10具备多个载置板11。在各载置板11分别载置将多张(例如25张)基板以水平状态收容的盒C1～C4。盒C1能够收容多张第一基板W1，盒C2能够收容多张第二基板W2，盒C3能够收容多张重合基板T。盒C4例如为用于回收产生了不良的基板的盒。此外，载置于载置板11的盒C1～C4的个数不限定于图示的个数。
[0038]搬送区域20与载置台10的X轴正方向侧相邻地配置。在搬送区域20设置有沿X轴方向延伸的搬送路径21以及能够沿着搬送路径21移动的搬送装置22。搬送装置22不仅能够沿Y轴方向移动，还能够沿X轴方向移动且能够绕Z轴回转。搬送装置22在载置于载置板11的盒C1～C4与后述的处理站3的第三处理块G3之间进行第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种接合装置，用于将基板之间进行接合，所述接合装置具备：第一保持部，其用于从第一基板的上方吸附保持所述第一基板；第二保持部，其用于从第二基板的下方吸附保持所述第二基板；移动部，其用于使所述第一保持部和所述第二保持部中的一方的保持部相对于另一方的保持部沿水平方向移动；壳体，其收容所述第一保持部、所述第二保持部以及所述移动部；干涉仪，其配置于所述壳体的内部，所述干涉仪通过对所述一方的保持部或与所述一方的保持部一同移动的物体照射光来测定到所述一方的保持部或所述物体的水平距离；第一气体供给部，其用于对所述壳体的内部供给被清洁化后的第一气体；以及第二气体供给部，其用于对被照射所述光的所述一方的保持部或所述物体与所述干涉仪之间的空间供给第二气体。2.根据权利要求1所述的接合装置，其特征在于，所述第二气体供给部相对于所述光路平行地以覆盖所述光的光路的方式喷出所述第二气体。3.根据权利要求2所述的接合装置，其特征在于，所述干涉仪沿与所述第一气体供给部喷出所述第一气体的喷出方向交叉的方向照射所述光，所述第二气体供给部沿所述交叉的方向喷出所述第二气体。4.根据权利要求3所述的接合装置，其特征在于，所述第一气体供给部设置于所述壳体的侧面，沿第一水平方向喷出所述第一气体，所述干涉仪沿与所述第一水平方向正交的第二水平方向照射所述光，所述第二气体供给部沿所述第二水平方向喷出所述第二气体。5.根据权利要求3所述的接合装置，其特征在于，所述第一气体供给部设置于所述壳体的上表面，沿铅垂方向喷出所述第一气体。6.根据权利要求2至5中的任一项所述的接合装置，其特征在于，所述第二气体供给部具备：收容部，其收容所述干涉仪；导入部，其用于对所述收容部导入所述第二气体；以及喷嘴，其设置于所述收容部，用于喷出从所述导入部导入到所述收容部的所述第二气体，其中，所述干涉仪从所述收容部的内部经由所述喷嘴照射所述光。7.根据权利要求6所述的接合装置，其特征在于，所述喷嘴具备：第一开口，其供所述光通过；以及环状的第二开口，其设置为包围所述第一开口，其中，所述第二气体供给部从所述第二开口喷出所述第二气体。8.根据权利要求7所述的接合装置，其特征在于，所述喷嘴具备沿着所述第一气体的喷出方向延伸的开口。9.根据权利要求8所述的接合装置，其特征在于，
所述干涉仪从所述开口的下游侧照射所述光。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的接合装置，其特征在于，所述第二气体供给部以比从所述第一气体供给部喷出的所述第一气体的风速快的风速喷出所述第二气体。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的接合装置，其特征在于，所述第一气体供给部具备测定所述第一气体的温度的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：稻益寿史，牧哲也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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