制造半导体晶片的方法技术

一种半导体晶片的制造方法包括：准备具有第一主表面和在第一主表面的背面的第二主表面的锭，剥离层沿着第一主表面形成在锭中；以及相对于沿第一主表面的表面方向从锭的外部向锭施加负荷，使得具有作为锭在表面方向上的第一端的支承点的力矩作用在锭上，从而从锭剥离晶片前体。此外，可以对锭施加动态力，使得沿着锭厚度方向的拉伸应力作用在锭沿表面方向的整个区域上，从而从锭剥离晶片前体。从而从锭剥离晶片前体。从而从锭剥离晶片前体。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体晶片的方法


[0001]本公开内容涉及制造半导体晶片的方法。

技术介绍

[0002]根据日本专利第6678522号的晶片制造方法包括剥离表面形成步骤和晶片剥离步骤。剥离表面形成步骤形成由改性层和裂纹组成的剥离表面。具体地，在剥离表面形成步骤中，在相对地移动硅锭和聚焦点以使相邻的聚焦点相互交叠的情况下，使激光束从硅锭的第一表面辐射到锭上，其中聚焦点位于与晶片厚度相对应的深度处。晶片剥离步骤包括：台固定步骤，用于将锭的第二表面固定在台上；衬垫(pad)固定步骤，用于将衬垫固定在锭的第一表面上；以及剥离步骤，用于以剥离表面作为边界表面剥离锭的部分。在剥离步骤中，其中衬垫的一端是工作点而另一端是支承点的力矩力(moment force)作用在锭上，从而以剥离表面作为边界表面剥离锭的部分。
[0003]根据这种类型的用于制造半导体晶片的方法，在从硅锭剥离晶片的剥离步骤中需要提高处理质量和处理容易性。具体地，例如，抑制作为通过剥离表面的剥离而产生的晶片表面的剥离截面上的表面粗糙度，由此可以减少研磨步骤和抛光步骤的处理余量或处理时间，从而提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：准备具有第一主表面和在所述第一主表面的背面的第二主表面的锭，剥离层沿着所述第一主表面形成在所述锭中；以及相对于沿着所述第一主表面的表面方向从所述锭的外部向所述锭施加负荷，使得具有作为所述锭在所述表面方向上的第一端的支承点的力矩作用在所述锭上，以及/或者向所述锭施加动态力，使得沿着锭厚度方向的拉伸应力作用在所述锭沿所述表面方向的整个区域上，所述锭厚度方向限定所述锭的厚度、连接所述第一主表面与所述第二主表面并且平行于所述锭的中心轴线，从而从所述锭剥离晶片前体，所述晶片前体在所述第一主表面与所述剥离层之间形成为层状。2.根据权利要求1所述的制造半导体晶片的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：将所述锭的所述第一主表面固定在剥离衬垫上并且将所述锭的所述第二主表面固定在支承台上；以及施加其中力点在所述剥离衬垫的位于所述表面方向上的一侧的端部处的静态负荷，使得其中所述支承点是所述锭的位于所述表面方向上的一侧的所述第一端的所述力矩作用在所述锭上，从而从所述锭剥离所述晶片前体。3.根据权利要求1所述的制造半导体晶片的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：将所述锭的所述第一主表面固定在剥离衬垫上并且将所述锭的所述第二主表面固定在支承台上；以及施加其中力点在所述剥离衬垫的位于所述表面方向上的一侧的端部处的所述动态力，使得其中所述支承点是所述锭的位于所述表面方向上的一侧的所述第一端的所述力矩和所述拉伸应力作用在所述锭上，从而...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村飒大，河津知树，巴赫曼，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：