半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种能减少晶体缺陷的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有以下工序：在单晶基板的第一主面形成第一AlN层；通过进行所述第一AlN层的一部分的刻蚀，在所述第一主面之上从所述第一AlN层形成多个AlN晶种；以及使用所述AlN晶种作为生长核，在所述第一主面形成第二AlN层。第一主面形成第二AlN层。第一主面形成第二AlN层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及一种半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]公开了如下的半导体装置的制造方法：在SiC基板之上形成在上表面具有凹凸的AlN缓冲层，在AlN缓冲层之上形成电子渡越层和电子供给层等半导体层。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013－004924号公报
[0006]关于使用了氮化物半导体的半导体装置，研究了各种用途。根据用途，期望进一步减少氮化物半导体层中的小坑(pit)等晶体缺陷。

技术实现思路

[0007]本公开的目的在于提供一种能减少晶体缺陷的半导体装置的制造方法。
[0008]本公开的半导体装置的制造方法具有以下工序：在单晶基板的第一主面形成第一AlN层；通过进行所述第一AlN层的一部分的刻蚀，在所述第一主面之上从所述第一AlN层形成多个AlN晶种；以及使用所述AlN晶种作为生长核，在所述第一主面形成第二AlN层。
[0009]专利技术效果
[0010]根据本公开，能减少晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：在单晶基板的第一主面形成第一AlN层；通过进行所述第一AlN层的一部分的刻蚀，在所述第一主面之上从所述第一AlN层形成多个AlN晶种；以及使用所述AlN晶种作为生长核，在所述第一主面形成第二AlN层。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，具有以下工序：在所述第二AlN层之上形成包含Ga的氮化物半导体层。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述第一AlN层的工序中，整个所述第一主面被所述第一AlN层覆盖。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述第一AlN层的工序具有将三甲基铝气体、氨气以及氢气供给至成膜腔室内的工序，进行所述第一AlN层的刻蚀的工序具有以下工序：在1000℃以上且1200℃以下的温度下，继续将所述氢气供给至所述成膜腔室内，同时停止所述三甲基铝气体向所述成膜腔室内的供给，由此使所述第一AlN层的一部分升华。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，在进行所述第一AlN层的刻蚀的工序中，持续进行所述氨气向所述成膜腔室内的供给。6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，进行所述第一A...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫下耕平，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：