硅片处理方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种硅片处理方法，属于半导体制造技术领域。硅片处理方法，包括：在抛光后的单晶硅片上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述单晶硅片的预设位置，所述预设位置用以形成芯片的源极和漏极，所述保护图形采用疏水性材料制成。本发明专利技术的技术方案能够在单晶硅片上源极和漏极的制备位置处设置保护图形，从而保护该位置不受污染，提高单晶硅片制备的芯片的良率

【技术实现步骤摘要】
硅片处理方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种硅片处理方法及装置。

技术介绍

[0002]作为当前大规模硅半导体集成电路制作用途最广的基底，硅晶圆的制造过程一般包括拉晶，切割，抛光，清洗等工序。集成电路制造领域中不同的器件制造需要不同类型的晶圆。外延片是在单晶硅片表面上沉积一层薄的单晶硅层的硅晶圆，多应用在CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)领域中。抛光片是经过抛光后的硅晶圆，多应用在NAND(Non
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volatile Memory Device，非易失性存储设备)/DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)等器件上。
[0003]不管是外延片还是抛光片，对硅片衬底的洁净度的要求都越来越高，硅片的表面如果受到污染，将影响制备的器件的良率。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种硅片处理方法及装置，能够提高单晶硅片制备的芯片的良率。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：
[0006]一种硅片处理方法，包括：
[0007]在抛光后的单晶硅片上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述单晶硅片的预设位置，所述预设位置用以形成芯片的源极和漏极，所述保护图形采用疏水性材料制成。
[0008]一些实施例中，在抛光后的单晶硅片上形成保护图形包括：
[0009]提供第一模板，所述第一模板包括基底和位于所述基底上的凸起；
[0010]在所述凸起的端部涂覆预聚物；
[0011]将所述第一模板与所述抛光后的单晶硅片结合，使得所述凸起与所述单晶硅片的预设位置相接触；
[0012]将所述第一模板和所述单晶硅片分离，所述凸起的端部涂覆的预聚物粘附在所述单晶硅片的预设位置，对所述单晶硅片上的预聚物进行固化，形成所述保护图形。
[0013]一些实施例中，对所述单晶硅片上的预聚物进行固化包括：
[0014]对所述单晶硅片进行加热，加热的时间为10min
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60min，温度为40℃
‑
70℃。
[0015]一些实施例中，所述预聚物采用疏水性材料。
[0016]一些实施例中，所述方法还包括制作所述第一模板，制作所述第一模板包括：
[0017]提供一基底；
[0018]在所述基底上涂覆一层光刻胶；
[0019]透过掩膜版对所述光刻胶进行曝光，显影后在所述基底上形成光刻胶的图形，所述光刻胶的图形包括多个孔洞；
[0020]在形成有所述光刻胶的图形的基底上涂覆预聚物，使得预聚物填满所述孔洞；
[0021]对所述预聚物进行固化，形成所述凸起；
[0022]去除所述基底上的光刻胶。
[0023]一些实施例中，对所述预聚物进行固化，形成所述凸起包括：
[0024]对所述基底进行加热，加热的时间为10min
‑
60min，加热温度为40℃
‑
70℃。
[0025]一些实施例中，所述基底采用单晶硅片、石英基底或玻璃基底。
[0026]一些实施例中，所述基底的形状和尺寸与所述抛光后的单晶硅片的形状和尺寸均相同。
[0027]一些实施例中，在形成有所述光刻胶的图形的基底上涂覆预聚物，使得预聚物填满所述孔洞之后，所述方法还包括：
[0028]对涂覆有所述预聚物的基底进行抽真空处理。
[0029]一些实施例中，所述保护图形的厚度为5
‑
50nm。
[0030]本专利技术的有益效果是：
[0031]本实施例中，在单晶硅片上源极和漏极的制备位置处设置保护图形，保护图形能够保护源极和漏极的制备位置处不受污染，从而提高单晶硅片制备的芯片的良率。
附图说明
[0032]图1
‑
图6表示本专利技术实施例硅片处理方法的流程示意图。
[0033]附图标记
[0034]100 紫外光源
[0035]200 掩模版
[0036]300镜头
[0037]400旋涂有光刻胶的单晶硅片
[0038]500预聚物供给管路
[0039]600预聚物
[0040]700 显影液
[0041]800 第一模板
[0042]810 凸起
[0043]900单晶硅片
[0044]910保护图形
具体实施方式
[0045]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0046]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、
“
第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0047]不管是外延片还是抛光片，都要在其表面上进行芯片的制作，因此单晶硅片上如果用于制作芯片的源极和漏极的位置存在污染物，会导致芯片失效。
[0048]本专利技术提供一种硅片处理方法及装置，能够提高单晶硅片制备的芯片的良率。
[0049]本专利技术实施例提供一种硅片处理方法，包括：
[0050]在抛光后的单晶硅片上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述单晶硅片的预设位置，所述预设位置用以形成芯片的源极和漏极。
[0051]本实施例中，在单晶硅片上源极和漏极的制备位置处设置保护图形，保护图形能够保护源极和漏极的制备位置处不受污染，从而提高单晶硅片制备的芯片的良率。
[0052]硅片是从硅棒上切割下来的，硅片表面的多层晶格处于被破坏的状态，布满了不饱和的悬挂键，悬挂键的活性较高，十分容易吸附外界的杂质粒子，导致硅片表面被污染且性能变差。硅片上吸附的杂质粒子包括颗粒杂质、金属离子、有机化合物、H2O等，其中颗粒杂质会导致硅片的介电强度降低，金属离子会增大光伏电池P
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N结的反向漏电流和降低少子的寿命，有机化合物会使硅片表面氧化层的质量劣化、H2O会加剧硅片表面的腐蚀。本实施例中，在单晶硅片上源极和漏极的制备位置处设置保护图形，保护图形采用疏水性材料制成，不易吸附外界的杂质粒子，能够避免单晶硅片上源极和漏极的制备位置处被污染。本实施例中，可以在对单晶硅片完成抛光后，在抛光后的单晶硅片上形成保护图形，在单晶硅片运本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片处理方法，其特征在于，包括：在抛光后的单晶硅片上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述单晶硅片的预设位置，所述预设位置用以形成芯片的源极和漏极，所述保护图形采用疏水性材料制成。2.根据权利要求1所述的硅片处理方法，其特征在于，在抛光后的单晶硅片上形成保护图形包括：提供第一模板，所述第一模板包括基底和位于所述基底上的凸起；在所述凸起的端部涂覆预聚物；将所述第一模板与所述抛光后的单晶硅片结合，使得所述凸起与所述单晶硅片的预设位置相接触；将所述第一模板和所述单晶硅片分离，所述凸起的端部涂覆的预聚物粘附在所述单晶硅片的预设位置，对所述单晶硅片上的预聚物进行固化，形成所述保护图形。3.根据权利要求2所述的硅片处理方法，其特征在于，对所述单晶硅片上的预聚物进行固化包括：对所述单晶硅片进行加热，加热的时间为10min
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60min，温度为40℃
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70℃。4.根据权利要求2所述的硅片处理方法，其特征在于，所述预聚物采用疏水性材料。5.根据权利要求2所述的硅片处理方法，其特征在于，所述方法还包括制作所述第一模板，制作所述第一模板包括：提供一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宇轩，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：