硅片处理方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种硅片处理方法，属于半导体制造技术领域。硅片处理方法，包括：在抛光后的单晶硅片上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述单晶硅片的预设位置，所述预设位置用以形成芯片的源极和漏极，所述保护图形采用疏水性材料制成。本发明专利技术的技术方案能够在单晶硅片上源极和漏极的制备位置处设置保护图形，从而保护该位置不受污染，提高单晶硅片制备的芯片的良率

【技术实现步骤摘要】
硅片处理方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种硅片处理方法及装置。

技术介绍

[0002]作为当前大规模硅半导体集成电路制作用途最广的基底，硅晶圆的制造过程一般包括拉晶，切割，抛光，清洗等工序。集成电路制造领域中不同的器件制造需要不同类型的晶圆。外延片是在单晶硅片表面上沉积一层薄的单晶硅层的硅晶圆，多应用在CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)领域中。抛光片是经过抛光后的硅晶圆，多应用在NAND(Non
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volatile Memory Device，非易失性存储设备)/DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)等器件上。
[0003]不管是外延片还是抛光片，对硅片衬底的洁净度的要求都越来越高，硅片的表面如果受到污染，将影响制备的器件的良率。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种硅片处理方法及装置，能够提高单晶硅片制备的芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片处理方法，其特征在于，包括：在抛光后的单晶硅片上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述单晶硅片的预设位置，所述预设位置用以形成芯片的源极和漏极，所述保护图形采用疏水性材料制成。2.根据权利要求1所述的硅片处理方法，其特征在于，在抛光后的单晶硅片上形成保护图形包括：提供第一模板，所述第一模板包括基底和位于所述基底上的凸起；在所述凸起的端部涂覆预聚物；将所述第一模板与所述抛光后的单晶硅片结合，使得所述凸起与所述单晶硅片的预设位置相接触；将所述第一模板和所述单晶硅片分离，所述凸起的端部涂覆的预聚物粘附在所述单晶硅片的预设位置，对所述单晶硅片上的预聚物进行固化，形成所述保护图形。3.根据权利要求2所述的硅片处理方法，其特征在于，对所述单晶硅片上的预聚物进行固化包括：对所述单晶硅片进行加热，加热的时间为10min
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60min，温度为40℃
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70℃。4.根据权利要求2所述的硅片处理方法，其特征在于，所述预聚物采用疏水性材料。5.根据权利要求2所述的硅片处理方法，其特征在于，所述方法还包括制作所述第一模板，制作所述第一模板包括：提供一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宇轩，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：