基板处理方法技术

本发明专利技术的基板处理方法的特征在于，包括如下的步骤：将晶圆部放置在卡盘台；将环形盖部装载于卡盘台，以将晶圆部限制在卡盘台；喷射吸入臂模块向晶圆部喷射处理液，且从处理液吸入异物；从卡盘台卸载环形盖部；以及喷射臂模块向晶圆部喷射清洗液来清洗晶圆部。块向晶圆部喷射清洗液来清洗晶圆部。块向晶圆部喷射清洗液来清洗晶圆部。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法


[0001]本专利技术涉及基板处理方法，更详细地，涉及可缩减晶圆部的处理时间，并可提高晶圆部的处理及清洗性能的基板处理方法。

技术介绍

[0002]通常，在半导体工序中进行用于蚀刻晶圆部的蚀刻工序、用于将晶圆部切割成多个晶粒的分离工序、用于清洗晶圆部的清洗工序等。基板处理装置用于晶圆部的蚀刻工序或清洗工序。
[0003]基板处理装置以可旋转的方式设置，包括在上部放置晶圆部的旋转台、以环形结合到旋转台的边缘区域的密封圈等。在旋转台旋转的状态下，向放置于旋转台的晶圆部供给处理液。
[0004]本专利技术的
技术介绍
公开在韩国公开专利公报第10
‑
2016
‑
0122067号(2016年10月21日公开，专利技术的名称：晶圆部处理装置及用于晶圆部处理装置的密封圈)。

技术实现思路

[0005]本专利技术为了解决所述问题而提出，本专利技术的目的在于，提供可缩减晶圆部的处理时间，并可提高晶圆部的处理及清洗性能的基板处理方法。
[0006]本专利技术的基板处理方法的特征在于，包括如下的步骤：将晶圆部放置在卡盘台；将环形盖部装载于所述卡盘台，以将所述晶圆部限制在所述卡盘台；喷射吸入臂模块向所述晶圆部喷射处理液，且从处理液吸入异物；从所述卡盘台卸载所述环形盖部；以及喷射臂模块向所述晶圆部喷射清洗液来清洗所述晶圆部。
[0007]将所述晶圆部放置在所述卡盘台的步骤包括如下的步骤：传输装置把持从第二移送模块传递的所述晶圆部；以及随着所述传输装置下降，将所述晶圆部放置在所述卡盘台。
[0008]所述环形盖部装载于所述卡盘台，以将所述晶圆部限制在所述卡盘台的步骤包括如下的步骤：所述环形盖部被倾斜装置的把持单元限制；所述倾斜装置在所述卡盘台的上侧结合所述环形盖部；所述卡盘台的卡盘模块限制所述环形盖部；所述把持单元解除对所述环形盖部的限制；以及所述倾斜装置向所述卡盘台的外侧移动。
[0009]所述喷射吸入臂模块向所述晶圆部喷射处理液，所述喷射吸入臂模块从处理液吸入异物的步骤包括如下的步骤：所述喷射吸入臂模块向所述晶圆部的上侧移动；所述喷射吸入臂模块在设定角度范围内摆动并向所述晶圆部喷射处理液；以及所述喷射吸入臂模块在固定范围内吸入异物。
[0010]从所述卡盘台卸载所述环形盖部的步骤包括如下的步骤：倾斜装置进行旋转而位于所述环形盖部的上侧；所述倾斜装置的把持单元限制所述环形盖部；所述卡盘台的卡盘模块解除对所述环形盖部的限制；所述倾斜装置使所述环形盖部旋转来使所述环形盖部向所述卡盘台的外侧移动。
[0011]所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射清洗液来清洗所述晶圆部的步骤包括如下的
步骤：所述喷射臂模块向所述晶圆部的上侧移动；以及所述喷射臂模块在设定角度范围内摆动并向所述晶圆部喷射清洗液来最终清洗所述晶圆部。
[0012]在从所述卡盘台卸载所述环形盖部的步骤之前，还包括所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射清洗液来中间清洗所述晶圆部的步骤。
[0013]所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射清洗液来中间清洗所述晶圆部的步骤包括如下的步骤：所述喷射吸入臂模块向所述晶圆部的外侧移动；所述喷射臂模块向所述晶圆部的上侧移动；以及所述喷射臂模块在设定角度范围内摆动并向所述晶圆部喷射清洗液。
[0014]在所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射清洗液来中间清洗所述晶圆部的步骤之后，还包括在所述卡盘台中第一次干燥所述晶圆部的步骤。
[0015]在所述卡盘台中第一次干燥所述晶圆部的步骤可包括：所述喷射臂模块向所述卡盘台的外侧移动；以及随着所述卡盘台进行旋转，第一次干燥所述晶圆部。
[0016]在所述喷射臂模块向所述晶圆部喷射清洗液来清洗所述晶圆部的步骤之后，还包括在所述卡盘台中第二次干燥所述晶圆部的步骤。
[0017]在所述卡盘台中第二次干燥所述晶圆部的步骤可包括：所述喷射臂模块向所述卡盘台的外侧移动；以及随着所述卡盘台进行旋转，第二次干燥所述晶圆部。
[0018]根据本专利技术，即使在狭小的空间，传输装置也可以从第二移送模块接收晶圆部并放置在卡盘台，并可从卡盘台排出完成处理的晶圆部。
[0019]并且，根据本专利技术，随着倾斜装置进行旋转，可以轻松将环形盖部限制在卡盘台装置及从其解除。并且，卡盘台装置的卡盘模块可以迅速限制及解除环形盖部。因此，可以缩减晶圆部的处理及清洗时间。
[0020]并且，根据本专利技术，喷射臂模块和喷射吸入臂模块处理晶圆部，因此，可以利用多个种类的处理液或清洗液来处理晶圆部。因此，可通过多种方式进行晶圆部的处理工序。
[0021]并且，根据本专利技术，卡盘台装置包括：晶圆限制部，用于限制晶圆部的卡环部；盖限制部，用于限制环形盖部；以及移动模块，使真空卡盘部移动，以向半径方向拉动晶圆部。因此，可以进行在晶圆限制部将晶圆部的卡环部限制在卡盘台，且移动模块使真空卡盘部移动来展开晶圆部的晶粒之间的间隔的状态下处理晶圆部的扩晶工序。并且，可以进行在盖限制部将环形盖部限制在真空卡盘部的上侧的状态下处理晶圆部的剥离清洗工序。
附图说明
[0022]图1为简要示出本专利技术一实施例的晶圆部的俯视图。
[0023]图2为简要示出本专利技术一实施例的基板处理装置的框图。
[0024]图3为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的视觉矫正器的俯视图。
[0025]图4为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的第一处理腔室和第二处理腔室的俯视图。
[0026]图5为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的传输装置的侧视图。
[0027]图6为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的传输装置的俯视图。
[0028]图7为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置的传输装置中的夹具部的侧视图。
[0029]图8为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置的传输装置中的夹具部被引出
的状态的侧视图。
[0030]图9为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的倾斜装置的侧视图。
[0031]图10为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置的倾斜装置中的把持单元下降的状态的侧视图。
[0032]图11为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的倾斜装置的把持单元的俯视图。
[0033]图12为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的倾斜装置的把持单元的后视图。
[0034]图13为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的倾斜装置的把持单元的放大图。
[0035]图14为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的卡盘台装置的剖视图。
[0036]图15为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的卡盘台装置的卡盘模块的俯视图。
[0037]图16为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置中的卡盘台装置的卡盘模块的放大图。
[0038]图17为简要示出在本专利技术一实施例的基板处理装置的卡盘台装置中，卡盘模块限制环形盖部的状本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括如下的步骤：将晶圆部放置在卡盘台；将环形盖部装载于所述卡盘台，以将所述晶圆部限制在所述卡盘台；喷射吸入臂模块向所述晶圆部喷射处理液，且从处理液吸入异物；从所述卡盘台卸载所述环形盖部；以及喷射臂模块向所述晶圆部喷射清洗液来清洗所述晶圆部。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，将所述晶圆部放置在所述卡盘台的步骤包括如下的步骤：传输装置把持从第二移送模块传递的所述晶圆部；以及随着所述传输装置下降，将所述晶圆部放置在所述卡盘台。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述环形盖部装载于所述卡盘台，以将所述晶圆部限制在所述卡盘台的步骤包括如下的步骤：所述环形盖部被倾斜装置的把持单元限制；所述倾斜装置在所述卡盘台的上侧结合所述环形盖部；所述卡盘台的卡盘模块限制所述环形盖部；所述把持单元解除对所述环形盖部的限制；以及所述倾斜装置向所述卡盘台的外侧移动。4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述喷射吸入臂模块向所述晶圆部喷射处理液，所述喷射吸入臂模块从处理液吸入异物的步骤包括如下的步骤：所述喷射吸入臂模块向所述晶圆部的上侧移动；所述喷射吸入臂模块在设定角度范围内摆动并向所述晶圆部喷射处理液；以及所述喷射吸入臂模块在固定范围内吸入异物。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，从所述卡盘台卸载所述环形盖部的步骤包括如下的步骤：倾斜装置进行旋转...

【专利技术属性】
技术研发人员：白承大，许今东，金进愿，孙在焕，李强圆，
申请(专利权)人：杰宜斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：