【技术实现步骤摘要】
基板清洗装置
[0001]本专利技术涉及基板清洗装置,更详细地,涉及可以提高基板的处理性能并能够缩减基板的处理时间的基板清洗装置。
技术介绍
[0002]通常,在半导体工序中进行用于蚀刻晶圆的蚀刻工序、用于将晶圆切割成多个晶粒的切单工序(singulation process)、用于清洗晶圆的清洗工序等。基板处理装置用于晶圆的蚀刻工序或清洗工序。
[0003]基板处理装置以可旋转的方式设置,且包括在上部放置晶圆的旋转台、以环形结合在旋转台的边缘区域的密封圈等。在旋转台旋转的状态下,向放置于旋转台的晶圆供给处理液。
[0004]但是,对于现有的基板处理装置,当清洗被切割成多个晶粒的晶圆时,很难去除残存在多个晶粒之间的缝隙的异物。并且,为了去除多个晶粒之间的缝隙中的异物而需要充分延长清洗时间,因此有可能增加清洗时间。
[0005]并且,在旋转台的上部结合密封圈部的过程繁琐,在结合时密封圈的结合完成状态不恒定,因而可能会发生结合误差(错位等)。进一步地,当密封圈发生结合误差时,随着处理液向密封圈的外侧渗透,旋转台周围部的结构物可能会受损。
[0006]并且,设置晶圆固定模块以防止晶圆的位置变动,并设置用于固定密封圈的密封圈固定模块。因此,基板处理装置的结构变得复杂,并且制造成本可能会增加。
[0007]本专利技术的
技术介绍
公开在韩国公开专利公报第10
‑
2016
‑
0122067号(2016年10月21日公开,专利技术名称:晶圆处理装置及用于晶圆处 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板清洗装置,其特征在于,包括:真空卡盘部,用于放置晶圆;以及超声波清洗模块,用于向所述晶圆喷射清洗液,向清洗液施加超声波来使清洗液发生超声波振动。2.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,所述超声波清洗模块包括:升降臂驱动部;升降臂部,与所述升降臂驱动部连接,以通过所述升降臂驱动部进行升降;摆动部,与所述升降臂部连接,以使所述升降臂部旋转;以及超声波清洗部,与所述升降臂部连接,用于向所述晶圆喷射清洗液,并向所述清洗液施加超声波。3.根据权利要求2所述的基板清洗装置,其特征在于,所述超声波清洗部包括:清洗头部,与所述升降臂部连接,并浸渍在清洗液中;超声波产生部,配置在所述清洗头部的内部,以向清洗液施加超声波;电压施加部,配置在所述清洗头部的内部,以向所述超声波产生部施加电压;内压形成部,在所述清洗头部的内部形成比大气压高的压力;以及清洗液喷射部,形成在所述清洗头部,以向所述晶圆喷射清洗液。4.根据权利要求3所述的基板清洗装置,其特征在于,所述清洗液喷射部包括:清洗液流入部,供清洗液流入;以及多个喷射喷嘴,用于向所述晶圆喷射从所述清洗液流入部排出的清洗液。5.根据权利要求4所述的基板清洗装置,其特征在于,多个所述喷射喷嘴沿着清洗液在所述晶圆中流动的方向倾斜喷射清洗液。6.根据权利要求4所述的基板清洗装置,其特征在于,所述清洗头部的下表面部形成为清洗液的流入侧高于清洗液的流出侧。7.根据权利要求4所述的基板清洗装置,其特征在于,所述清洗头部根据所述晶圆的高度变化调节所述清洗头部的一侧下表面部的高度。8.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,包括:环形盖部,配置在所述真空卡盘部的一侧;扩张机模块,设置为可移动所述环形盖部,所述扩张机模块对所述晶圆的卡环部施加向所述真空卡盘部侧的压力,以扩大所述晶圆中晶粒的间隔;以及卡盘模块,设置在所述真空卡盘部,以将被所述扩张机模块施加压力的所述环形盖部限制在所述真空卡盘部。9.根据权利要求8所述的基板清洗装置,其特征在于,所述扩张机模块包括:扩张机移动部;扩张机头部,设置为能够通过所述扩张机移动部进行移动;以及多个扩张机臂部,与所述扩张机头部连接,以把持所述环形盖部来使所述环形盖部移
动,所述扩张机臂部对所述环形盖部施加压力,以使所述卡盘模块限制所述环形盖部。10.根据权利要求9所述的基板清洗装置,其特征在于,当所述卡盘模块将所述环形盖部限制在所述真空卡盘部时,所述扩张机臂部解除对所述环形盖部的施压。11.根据权利要求9所述的基板清洗装置,其特征在于,所述扩张机头部包括:扩张机套管部,与所述扩张...
【专利技术属性】
技术研发人员:白承大,金成烨,金南辰,
申请(专利权)人:杰宜斯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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