基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了基板处理装置，基板处理装置具备：旋转工作台，支撑晶片并以旋转轴线为中心进行旋转；以及下侧面喷射模块，固定配置于旋转工作台的中央部，当被旋转工作台支撑的晶片旋转时，向晶片的下侧面喷射处理流体。下侧面喷射模块包括倾斜喷射喷嘴，所述倾斜喷射喷嘴以使处理流体倾斜入射到晶片的下侧面的方式喷射处理流体。式喷射处理流体。式喷射处理流体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本专利技术涉及基板处理装置，更具体地，涉及一种向旋转的晶片的下侧面喷出处理流体以处理晶片的基板处理装置。

技术介绍

[0002]一般地，半导体制造工序包括蚀刻基板即晶片(wafer)的蚀刻工序、将晶片截断为多个裸片的切单工序、清洗晶片的清洗工序等。这种晶片处理工序由基板处理装置执行，所述基板处理装置具备旋转卡盘(chuck)和流体喷出单元(unit)，所述旋转卡盘在晶片蚀刻工序或清洗工序中能旋转地支撑晶片，所述流体喷出单元向旋转的晶片喷出处理流体。
[0003]在半导体制造工序中，不仅是晶片中的上侧面，有时下侧面也需要蚀刻或清洗处理。此时，需依次执行以下过程，即，在将晶片的上侧面蚀刻或清洗后，将晶片从旋转卡盘取下(unloading)，将晶片上下翻转再重新放置(loading)于旋转卡盘，在使晶片旋转的同时喷出处理流体。因此，作业生产率低下，作业所需耗电也增大。
[0004]另一方面，还已知一种在使晶片旋转的同时向晶片下侧面喷出处理流体以蚀刻或清洗晶片下侧面的基板处理装置。但是，这种以往的基板处理装置存在处理流体的喷出集中于晶片的下侧面中央部的问题。因此，特别是在晶片下侧面蚀刻工序中，存在蚀刻率(etch rate)的均一度(uniformity)低下的问题。
[0005]本专利技术的
技术介绍
在韩国公开专利公报第10
‑
2002
‑
0017401号(2002.03.07公开，专利技术名称：薄板处理装置)中公开。

技术实现思路

[0006]本专利技术正是为了改善如上所述问题而提出的，提供一种以倾斜入射到晶片下侧面的方式喷射处理流体的基板处理装置。
[0007]本专利技术提供一种基板处理装置，包括：旋转工作台，支撑晶片并以旋转轴线为中心进行旋转；以及下侧面喷射模块，固定配置于所述旋转工作台的中央部，当被所述旋转工作台支撑的晶片旋转时，向所述晶片的下侧面喷射处理流体；其中，所述下侧面喷射模块包括倾斜喷射喷嘴，所述倾斜喷射喷嘴以使所述处理流体倾斜入射到所述晶片的下侧面的方式喷射所述处理流体。
[0008]可以是，所述倾斜喷射喷嘴从所述旋转轴线偏心配置，所述倾斜喷射喷嘴沿靠近所述旋转轴线或横穿所述旋转轴线的方向，向上倾斜地喷射所述处理流体。
[0009]可以是，所述倾斜喷射喷嘴喷射的所述处理流体为蚀刻液(etching agent)。
[0010]可以是，所述下侧面喷射模块还包括垂直喷射喷嘴，所述垂直喷射喷嘴以使所述处理流体沿垂直方向入射到所述晶片的下侧面的方式喷射所述处理流体，所述垂直喷射喷嘴从所述旋转轴线偏心配置。
[0011]可以是，所述倾斜喷射喷嘴的喷射口的高度不高于所述垂直喷射喷嘴的喷射口的高度。
[0012]可以是，所述下侧面喷射模块还包括：废水排水流路，引导向所述晶片喷射后落下到所述下侧面喷射模块的所述处理流体的废水排出到所述旋转工作台和所述下侧面喷射模块的外部；以及废水引导倾斜面，倾斜地形成在所述下侧面喷射模块的上侧面以使所述废水流入所述废水排水流路的流入口。
[0013]可以是，本专利技术的基板处理装置还包括废水收集部，所述废水收集部以使所述废水通过所述废水排水流路被吸入而在所述废水排水流路形成负压。
[0014]可以是，本专利技术的基板处理装置为使杂质不侵入所述下侧面喷射模块与所述旋转工作台之间的缝隙，还包括向所述缝隙供应吹扫气体(purge gas)并从所述缝隙的上端开口释放的吹扫气体供应部。
[0015]可以是，所述缝隙的纵剖面形状沿迷宫形图案(labyrinth pattern)延伸。
[0016]本专利技术的基板处理装置具备以向旋转的晶片下侧面倾斜入射的方式喷射处理流体的倾斜喷射喷嘴，可以向晶片下侧面的全体区域均一喷射处理流体。因此，在向晶片下侧面喷射蚀刻液以蚀刻晶片下侧面的工序中，提高蚀刻率的均一度，在半导体制造中提高良品收率。
[0017]当本专利技术的基板处理装置还具备向晶片上侧面喷射处理流体的上侧面喷射喷嘴时，可以以将晶片搭载于旋转工作台的状态同时处理上侧面和下侧面。因此，提高晶片处理作业的生产率，减少耗电，并节省半导体制造成本。
附图说明
[0018]图1是本专利技术一实施例的基板处理装置的构成图。
[0019]图2是图1的基板处理装置的俯视图。
[0020]图3是沿III
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III线截断图2示出的剖面图。
[0021]图4是沿IV
‑
IV线截断图2示出的剖面图。
具体实施方式
[0022]下面参照附图，详细描述本专利技术实施例的基板处理装置。本说明书中使用的术语(terminology)是为了适宜地表现本专利技术的优选实施例而使用的术语，会因使用者或运用者的意图或本专利技术所属领域的惯例等而异。因此，对本术语的定义应以本说明书通篇内容为基础作出。
[0023]图1是本专利技术一实施例的基板处理装置的构成图，图2是图1的基板处理装置的俯视图，图3是沿III
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III线截断图2示出的剖面图，图4是沿IV
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IV线截断图2示出的剖面图。
[0024]一同参照图1至图4，本专利技术实施例的基板处理装置10是向圆盘(disk)形状的半导体用晶片(wafer)1的下侧面喷射处理流体以处理晶片1的装置。
[0025]基板处理装置10可以包括旋转工作台11、下侧面喷射模块(module)20。
[0026]旋转工作台11在支撑晶片1的同时以旋转轴线RC为中心旋转。旋转工作台11固定支撑于旋转柱61，所述旋转柱61可以被提供旋转动力的马达(未示出)所旋转驱动。
[0027]旋转工作台11可以在外周部具备支撑晶片1的晶片支架(holder)15。晶片支架15以从旋转工作台11的上侧面分开的方式支撑晶片1。
[0028]晶片支架15可以具备以旋转轴线RX为中心隔开相同角度间隔的多个支撑销(pin)
16。多个支撑销16的上端可以错层形成，以便使晶片1的外周部插入并安放。虽然未示出，晶片支架15可以还具备真空吸附晶片1的多个吸附销。
[0029]下侧面喷射模块20在旋转工作台11的中央部，以不旋转的方式固定配置于旋转轴线RC上。下侧面喷射模块20可以固定支撑于从旋转柱61内部沿旋转轴线RC延伸的固定柱63。下侧面喷射模块20在被旋转工作台11支撑的晶片1旋转时，向晶片1的下侧面喷射处理流体。
[0030]下侧面喷射模块20可以包括向晶片1下侧面喷射第一处理流体的倾斜喷射喷嘴(nozzle)30。
[0031]倾斜喷射喷嘴30以使晶片1的第一处理流体倾斜入射到下侧面的方式喷射第一处理流体。第一处理流体可以是对应于细微电路图案地蚀刻晶片1下侧面的蚀刻液(etching agent)。
[0032]倾斜喷射喷嘴30从旋转轴线RC偏心配置，换言之，从旋转轴线RC分开配置。倾斜喷射喷嘴30可以包括：形成得使流体能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：旋转工作台，支撑晶片并以旋转轴线为中心进行旋转；以及下侧面喷射模块，固定配置于所述旋转工作台的中央部，当被所述旋转工作台支撑的晶片旋转时，向所述晶片的下侧面喷射处理流体；所述下侧面喷射模块包括倾斜喷射喷嘴，所述倾斜喷射喷嘴以使所述处理流体倾斜入射到所述晶片的下侧面的方式喷射所述处理流体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述倾斜喷射喷嘴从所述旋转轴线偏心配置，所述倾斜喷射喷嘴沿靠近所述旋转轴线或横穿所述旋转轴线的方向，向上倾斜地喷射所述处理流体。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述倾斜喷射喷嘴喷射的所述处理流体为蚀刻液。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述下侧面喷射模块还包括垂直喷射喷嘴，所述垂直喷射喷嘴以使所述处理流体沿垂直方向入射到所述晶片的下侧面的方式喷射所述处理流体，所述垂直喷射喷嘴从所述旋转轴线偏心配置。5.根据权利要求4所述的基板处理装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：金康元，朴汉成，鲁政润，
申请(专利权)人：杰宜斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：