蚀刻装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了蚀刻装置及其控制方法，所述蚀刻装置包括：蚀刻腔室，通过蚀刻液蚀刻对象体；蚀刻液供给部，回收所述蚀刻腔室内的蚀刻液，并通过蚀刻液泵向所述蚀刻腔室供给蚀刻液；气体循环管，形成为从所述蚀刻液供给部的上部规定位置连接到所述蚀刻腔室的上部规定位置，以供气体循环；以及气泵，形成于所述气体循环管的一侧，使气体强制循环。使气体强制循环。使气体强制循环。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻装置及其控制方法


[0001]本专利技术涉及蚀刻装置及其控制方法，更详细地，涉及如下的蚀刻装置及其控制方法，即，在蚀刻装置的蚀刻部的加压状态下，蚀刻液可以从蚀刻腔室顺畅地自然排向蚀刻液供给部。

技术介绍

[0002]通常，在整个半导体工序中包括蚀刻(ETCHING)工序，所述蚀刻工序包括干式蚀刻及湿式蚀刻。
[0003]所述干式蚀刻主要在真空状态下放入氟气和惰性气体等来进行，由于用于执行所述干式蚀刻的装置昂贵，因此商业用途受到了限制。由此，与干式蚀刻相比，广泛使用利用磷酸的湿式蚀刻。
[0004]所述湿式蚀刻通过蚀刻液的化学反应来在对象体(基板等)中选择性地蚀刻对象层，根据需要的特性或蚀刻度等来混合组成具有符合其的组成比的蚀刻液来执行蚀刻工序。
[0005]与干式蚀刻相比，所述湿式蚀刻提供进一步得到提高的作业兼容性，具有可以一次性处理大量的对象体且装置的价格低廉的优点。
[0006]但是，当进行湿式蚀刻时，一部分蚀刻液将汽化，对象体的温度有可能因汽化热量而降低，因蚀刻液的汽化而很难控制蚀刻液的浓度，从而存在造成损失的缺点。由此，需要一种对蚀刻部(例如：包括蚀刻腔室及蚀刻液供给部)施加压力(即，由通过规定的压力对蚀刻部施加压力的加压系统构成)来在蚀刻部中防止蚀刻液的汽化现象，以恒定维持蚀刻液的浓度的方式。
[0007]但是，如上所述，在对蚀刻部施加压力的情况下(即，在蚀刻部由加压系统构成的情况下)，当在高压加压状态下驱动蚀刻液泵时，因泵内外部压力差和温度而导致泵波纹管发生变形(例如：膨胀)，从而发生接触泵的内壁(例如：内部引导件)的现象，随着泵波纹管与内壁继续摩擦，部件将发生损伤(例如：发生波纹管的摩擦部位磨损的现象)，从而寿命缩短且泵性能也随之降低，最终，当在高温加压状态下波纹管发生破损时，存在有可能发生安全事故的问题。
[0008]并且，如上所述，当对蚀刻部施加压力时，蚀刻部内的蚀刻腔室与蚀刻液供给部的压力将变得相同，由此，存在蚀刻腔室内的蚀刻液很难自然排放(即，即使不利用蚀刻腔室内的蚀刻液移动力(例如：使蚀刻液强制从蚀刻腔室向蚀刻液供给部排出的泵)，也能够通过重力自然地向配置在蚀刻腔室下部的蚀刻液供给部排出蚀刻液的方式)的问题。
[0009]如上所述，当因蚀刻液的排出并不顺畅而导致蚀刻腔室被蚀刻液淹没时无法进行工序，蚀刻液渗透到与蚀刻腔室连接的部件并引发腐蚀或变形，从而发生蚀刻部被破坏的问题。
[0010]因此，目前需要可以防止从蚀刻部内的蚀刻液供给部向蚀刻腔室移送蚀刻液的蚀刻液泵内部的波纹管发生损伤，并且，即使在蚀刻部的加压状态下，蚀刻液也可以从蚀刻腔
室顺畅地自然排向供给部的技术。
[0011]本专利技术的
技术介绍
公开在韩国授权专利第10
‑
0691479号(2007年02月28日授权，大面积基板的蚀刻装置)。

技术实现思路

[0012]根据本专利技术的一实施方式，本专利技术为了解决如上所述的问题而提出，本专利技术的目的在于，提供如下的蚀刻装置及其控制方法，即，在蚀刻装置的蚀刻部的加压状态下，蚀刻液也可以从蚀刻腔室顺畅地自然排向蚀刻液供给部。
[0013]本专利技术一实施方式的蚀刻装置包括：蚀刻腔室，通过蚀刻液蚀刻对象体；蚀刻液供给部，回收所述蚀刻腔室内的蚀刻液，并通过蚀刻液泵向所述蚀刻腔室供给蚀刻液；气体循环管，形成为从所述蚀刻液供给部的上部规定位置连接到所述蚀刻腔室的上部规定位置，以供气体循环；以及气泵，形成于所述气体循环管的一侧，使气体强制循环。
[0014]本专利技术的特征在于，形成所述气体循环管的规定位置为高于蚀刻液的位置且气体所在的上部的规定位置。
[0015]本专利技术的特征在于，所述蚀刻装置还包括控制所述气泵的控制部，当蚀刻装置开始驱动并通过所述蚀刻液泵向所述蚀刻腔室开始供给蚀刻液时，所述控制部按规定速度驱动所述气泵。
[0016]本专利技术的特征在于，当因蚀刻装置停止驱动或蚀刻液泵停止驱动而停止向蚀刻腔室供给蚀刻液时，所述控制部直接停止所述气泵的驱动。
[0017]本专利技术的特征在于，所述蚀刻液供给部通过基于重力的自然排放方式回收所述蚀刻腔室内的蚀刻液。
[0018]本专利技术的特征在于，所述蚀刻装置还包括阀，所述阀为了在所述蚀刻液泵的内部对称形成的第一波纹管和第二波纹管的抽吸工作而交互工作，使气体流入到所述第一波纹管的气体室和所述第二波纹管的气体室中的一个气体室并排出剩余一个气体室中的气体。
[0019]本专利技术的特征在于，当气体通过所述阀向所述第一波纹管的气体室流入时，启动所述第一波纹管并向蚀刻部排出蚀刻液，在所述第二波纹管的气体室中的气体通过所述阀排出。
[0020]本专利技术的特征在于，所述蚀刻装置还包括通过至少一个配管连接到所述蚀刻液泵的背压调节部，控制部将施加到所述背压调节部的压力调节成与施加到蚀刻部的压力相同，以维持所述蚀刻液泵的外部压力与内部压力相同。
[0021]根据本专利技术的另一实施方式，本专利技术为蚀刻装置的控制方法，所述蚀刻装置包括：蚀刻腔室；蚀刻液供给部，向所述蚀刻腔室供给蚀刻液；气体循环管，形成为从所述蚀刻液供给部的上部规定位置连接到所述蚀刻腔室的上部规定位置，以供气体循环；气泵，形成于所述气体循环管的一侧，使气体强制循环；以及控制部，所述蚀刻装置的控制方法包括如下步骤：当所述蚀刻装置开始驱动并通过所述蚀刻液泵向所述蚀刻腔室开始供给蚀刻液时，所述控制部按规定速度驱动所述气泵。
[0022]本专利技术的特征在于，所述蚀刻装置的控制方法还包括如下步骤：当因所述蚀刻装置停止驱动或蚀刻液泵停止驱动而停止向蚀刻腔室供给蚀刻液时，所述控制部直接停止所述气泵的驱动。
[0023]本专利技术的特征在于，所述蚀刻液供给部通过基于重力的自然排放方式回收所述蚀刻腔室内的蚀刻液，并通过所述蚀刻液泵向所述蚀刻腔室供给蚀刻液。
[0024]根据本专利技术的一实施方式，在蚀刻装置的蚀刻部的加压状态下，蚀刻液也可以从蚀刻腔室顺畅地自然排向蚀刻液供给部。
附图说明
[0025]图1为示出本专利技术第一实施例的蚀刻装置的简要结构的例示图。
[0026]图2为示出本专利技术第二实施例的蚀刻装置的简要结构的例示图。
[0027]图3为用于说明控制所述图2所示的蚀刻装置的工作的方法的流程图。
[0028]图4为示出为了说明所述图1中的蚀刻液泵的工作的例示图。
[0029]图5为示出所述图1中的蚀刻部的具体结构的例示图。
[0030]图6为用于说明控制所述图5所示的蚀刻装置的工作的方法的流程图。
具体实施方式
[0031]以下，参照附图，说明本专利技术的蚀刻装置及其控制方法的一实施例。
[0032]在此过程中，为了说明的明确性和便利性，图中所示的线的厚度或结构要素的大小等可以被放大。并且，后述的术语为考虑到在本专利技术中的功能而定义的术语，这可根据使用人员、运用人员的意图或惯例改变。因此，对于这种术语的定义应基于本说明书中的全部内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：蚀刻腔室，通过蚀刻液蚀刻对象体；蚀刻液供给部，回收所述蚀刻腔室内的蚀刻液，并通过蚀刻液泵向所述蚀刻腔室供给蚀刻液；气体循环管，形成为从所述蚀刻液供给部的上部规定位置连接到所述蚀刻腔室的上部规定位置，以供气体循环；以及气泵，形成于所述气体循环管的一侧，使气体强制循环。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，形成所述气体循环管的规定位置为高于蚀刻液且气体所在的上部的规定位置。3.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置还包括控制所述气泵的控制部，当蚀刻装置开始驱动并通过所述蚀刻液泵向所述蚀刻腔室开始供给蚀刻液时，所述控制部按规定速度驱动所述气泵。4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，当因蚀刻装置停止驱动或蚀刻液泵停止驱动而停止向蚀刻腔室供给蚀刻液时，所述控制部直接停止所述气泵的驱动。5.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻液供给部通过基于重力的自然排放方式回收所述蚀刻腔室内的蚀刻液。6.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置还包括阀，所述阀为了在所述蚀刻液泵的内部对称形成的第一波纹管和第二波纹管的抽吸工作而交互工作，使气体流入到所述第一波纹管的气体室和所述第二波纹管的气体室中的一个气体室并排出剩余一个气体室中的气体。7.根据权利要求6所述的蚀刻装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昇勋，牟圣元，李羊浩，韩兴洙，裵祯贤，
申请(专利权)人：杰宜斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：