清洗半导体表面污染物的方法技术

本发明专利技术涉及半导体清洗技术领域，公开了一种清洗半导体表面污染物的方法，包括：将半导体置于激光加热器的照射范围之内；控制所述激光加热器对所述半导体的表面进行激光加热，以去除所述半导体表面的污染物；其中，加热时长为8.0

【技术实现步骤摘要】
清洗半导体表面污染物的方法


[0001]本专利技术涉及半导体清洗
，特别是涉及一种清洗半导体表面污染物的方法。

技术介绍

[0002]目前，在半导体领域中，半导体的表面通常沾有胶和蜡，因而通常要求对半导体进行表面清洗处理。目前，传统的清洗方法主要有：化学清洗、物理清洗，超声波清洗和水清洗。其中，化学清洗主要是酸洗和碱洗等，容易污染环境，而物理清洗，超声波清洗、水清洗等方式的清洗效率较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种清洗半导体表面污染物的方法，能够高效地清洁半导体表面的污染物，并且，不会对环境造成污染。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种清洗半导体表面污染物的方法，包括：
[0005]将半导体置于激光加热器的照射范围之内；
[0006]控制所述激光加热器对所述半导体的表面进行激光加热，以去除所述半导体表面的污染物；其中，加热时长为8.0
‑
10.0s。
[0007]作为上述方案的改进，所述激光加热器的平均输出功率为50
‑
60W。
[0008]作为上述方案的改进，所述激光加热器的脉冲频率为90
‑
100KHz。
[0009]作为上述方案的改进，所述激光加热器的激光电压为2.5
‑
3.5V。
[0010]作为上述方案的改进，所述激光加热器的输出波长为800
‑
1000nm。
[0011]作为上述方案的改进，所述将半导体置于激光加热器的照射范围之内，具体为：
[0012]通过夹具将半导体固定在用于聚焦激光加热器输出的激光的聚焦透镜下，以使所述半导体置于激光加热器的照射范围之内。
[0013]作为上述方案的改进，所述聚焦透镜与所述夹具之间的距离为300
‑
500um。
[0014]作为上述方案的改进，加热温度保持在115
‑
125℃。
[0015]实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：
[0016]本专利技术实施例提供一种清洗半导体表面污染物的方法，将半导体置于激光加热器的照射范围之内，并控制所述激光加热器对所述半导体的表面加热8.0
‑
10.0s，以去除所述半导体表面的污染物。采用本实施例提供的清洗半导体表面污染物的方法，通过激光加热半导体表面，能够瞬间使半导体表面的胶和蜡挥发成气体，而不伤害半导体，从而能够高效地清洁半导体表面的污染物，并且，不会对环境造成污染。
附图说明
[0017]图1是本专利技术提供的实施例中的一种清洗半导体表面污染物的方法的流程图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]请参阅图1所示，其是本专利技术提供的实施例中的一种清洗半导体表面污染物的方法的流程图，所述的清洗半导体表面污染物的方法包括以下步骤：
[0020]S1、将半导体置于激光加热器的照射范围之内；
[0021]S2、控制所述激光加热器对所述半导体的表面进行激光加热，以去除所述半导体表面的污染物；其中，加热时长为8.0
‑
10.0s。
[0022]采用本实施例提供的清洗半导体表面污染物的方法，通过激光加热半导体表面，能够瞬间使半导体表面的胶和蜡挥发成气体，而不伤害半导体，从而能够高效地清洁半导体表面的污染物，并且，不会对环境造成污染。
[0023]进一步地，为了保证激光加热的效果，本实施例中的所述激光加热器的平均输出功率为50
‑
60W。例如，所述平均输出功率可以为50W、52.5W、55W、57.5W、60W。当然，所述平均输出功率不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0024]进一步地，为了保证激光加热的效果，本实施例中的所述激光加热器的脉冲频率为90
‑
100KHz。例如，所述脉冲频率可以为90KHz、92.5KHz、95KHz、97.5KHz、100KHz。当然，所述脉冲频率不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0025]进一步地，为了保证激光加热的效果，本实施例中的所述激光加热器的激光电压为2.5
‑
3.5V。例如，所述激光电压可以为2.5V、2.75V、3V、3.25V、3.5V。当然，所述激光电压不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0026]进一步地，为了保证激光加热的效果，本实施例中的所述激光加热器的输出波长为800
‑
1000nm。例如，所述输出波长可以为800nm、850nm、900nm、950nm、1000nm。当然，所述输出波长不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0027]进一步地，所述将半导体置于激光加热器的照射范围之内，具体为：
[0028]通过夹具将半导体固定在用于聚焦激光加热器输出的激光的聚焦透镜下，以使所述半导体置于激光加热器的照射范围之内。
[0029]在本实施例中，通过夹具将半导体固定在用于聚焦激光加热器输出的激光的聚焦透镜下，能够有效保证激光清洗的效率。
[0030]具体地，为了防止温度太高而烧坏半导体，本实施例中的所述聚焦透镜与所述夹具之间的距离为300
‑
500um。例如，所述距离可以为300、350um、400um、450um、500um。当然，所述距离不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0031]进一步地，为了防止温度太高而烧坏半导体，本实施例中的加热温度保持在115
‑
125℃。例如，所述加热温度可以为115℃、117.5℃、120℃、122.5℃、125℃。当然，所述加热
温度不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0032]下面通过第一个具体实施例来描述本方案的实施过程，包括：
[0033](1)通过夹具将半导体固定在用于聚焦激光加热器输出的激光的聚焦透镜下，以使半导体置于激光加热器的照射范围之内；其中，聚焦透镜和夹具之间的距离为300um；
[0034](2)控制激光加热器对半导体进行激光加热，以去除半导体表面的污染物；其中，激光加热器的输出波长为800nm，平均输出功率为50W，脉冲频率为90KHz，加热时的激光电压为2.5V，加热时长为10.0S，半导体表面温度保持在115℃。
[0035]下面通过第二个具体实施例来描述本方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗半导体表面污染物的方法，其特征在于，包括：将半导体置于激光加热器的照射范围之内；控制所述激光加热器对所述半导体的表面进行激光加热，以去除所述半导体表面的污染物；其中，加热时长为8.0
‑
10.0s。2.如权利要求1所述的清洗半导体表面污染物的方法，其特征在于，所述激光加热器的平均输出功率为50
‑
60W。3.如权利要求1所述的清洗半导体表面污染物的方法，其特征在于，所述激光加热器的脉冲频率为90
‑
100KHz。4.如权利要求1所述的清洗半导体表面污染物的方法，其特征在于，所述激光加热器的激光电压为2.5
‑
3.5V...

【专利技术属性】
技术研发人员：何际福，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：