改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种改善硅片厚外延Si

【技术实现步骤摘要】
改善硅片厚外延Si
‑
Nodule和Crown的工艺方法


[0001]本专利技术涉及硅片生产加工
，具体涉及一种改善硅片厚外延Si
‑
Nodule和Crown的工艺方法。

技术介绍

[0002]对于重掺杂的硅片，需要对硅片背表面进行处理，一般在背面生长多晶硅膜或二氧化硅膜，或者二者组合，目的是防止硅外延工艺中重掺杂硅片的自掺杂作用。Si
‑
Nodule为硅结核颗粒，Crown为边缘兴起物。
[0003]对于生长厚外延的工艺（外延厚度＞65μm），边缘处理不当，会影响外延后边缘质量。目前工艺技术重掺锑产品在厚外延加工过程中发生了2个问题：1、背面边缘出现Si
‑
Nodule；2、背面边缘发生Crown。

技术实现思路

[0004]本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种改善硅片厚外延Si
‑
Nodule和Crown的工艺方法，其具有操作简便和效果好的特点。解决了硅片在厚外延生长过程中引起的Si/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善硅片厚外延Si
‑
Nodule和Crown的工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：线切割，切片厚度835μm，采用TOYO450E线切割机进行切割；第二步：一次倒角，通过一次倒角将硅片边缘加工成圆弧形（R
‑
Type）；第三步：研磨，研磨去除量65μm，研磨后目标厚度770μm，研磨设备24BNS，研磨辅材由研磨粉F0
‑
1000#，悬浮液、防锈剂、消泡剂组成，研磨通过下定盘旋转和载体的旋转对硅片进行双面研磨；第四步：二次倒角，二次倒角决定了硅片的边缘轮廓，而硅片的边缘轮廓对外延后crown有影响；第五步：酸腐蚀采用的药液为HF、HNO3、HAC（醋酸），酸腐蚀去除量30μm，腐蚀后硅片厚度740μm；第六步：中间检查，对硅片正反面进行外观检查，采用人工分别在荧光灯、聚光灯下对硅片表面缺陷进行检查；第七步：先进行边缘抛光，然后进行 Poly （厚度15000
ꢀÅ
），然后进行LTO（厚度4800
ꢀÅ
），然后腐蚀法去掉边缘LTO，最后进行正面抛光，抛光后背面和边缘膜结构不同，膜结构不同影响了外延Si
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Nodule的发生；第八步：抛光去除量15μm，抛光后厚度725μm；第九步：洗净，包括去蜡洗净后最终洗净，先进行去蜡洗净，去除硅片背面蜡残；然后进行最终洗净，最终洗净采用SC1药液进行清洗，达到去除硅片表面沾污的目的。2.根据权利要求1所述的改善硅片厚外延Si
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Nodule和Crown的工艺方法，其特征在于：线切割时，采用φ0.12钢线、砂浆进行切割，通过正晶向切片，按X方向偏离
±<...

【专利技术属性】
技术研发人员：何荣，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：