在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法技术

本发明专利技术涉及一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法，所属硅片加工技术领域，如下操作步骤：第一步：采用溶胶凝胶法制备出的高活性硅溶胶作为磨料成分。第二步：配比抛液，抛液由PH调节剂、磨料、氧化剂、表面活性剂和润滑剂组成，FA/O作为表面活性剂添加。第三步：抛布由纱线编织为抛布中心层和抛布表层，抛布表层材料生产时加入羟乙基纤维素和CMC类丝状物质。第四步：硅片进行CMP反应过程，由抛液中的碱、有机物与硅片反应，生成硬度较单晶硅更低的结合产物。第五步：抛液中的磨料在抛布与硅片的相对运动中机械去除这层反应层。具有省时省力、抛光效果好和运行稳定性高的优点。利于控制硅片去除形貌，使得产品平坦度更佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法。

技术介绍

1、cmp抛布与抛液是cmp工艺中几乎最重要的物料，目前市场上抛布与抛液为不同公司分开设计，设计时没有搭配设计，达到的效果很有限。在使用中出现很多问题，比如硅片吸片，抛液在抛布上难以充分流动和硅片nt值过大等。

2、cmp过程中抛光布需要承担的作用有：承载硅片及其运动、承载抛液和及时排出反应后的抛液和硅渣、抛布渣等废料。所以抛布本身的材料特性，如硬度、、厚度、成分、表面活性和结构等对于抛光过程影响非常大。目前cmp行业很大一痛点便是抛布难以使用无沟槽抛布，使用无沟槽抛布时易有抛布吸片情况发生，使作业中断，无法按正常作业。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决现有技术中存在 的不足，提供了一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法，其具有省时省力、抛光效果好和运行稳定性高的优点。硅片、抛布、抛液之间流动型增强，利于控制硅片去除形貌，使得产品平坦度更佳。

2、本专利技术的上述技术问题主要是通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于：使用有机碱作为PH调节剂，PH调节剂的含量范围为10%～18.88%，此时的抛光速率最大。

3.根据权利要求1所述的在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于：溶胶凝胶法就是用含高化学活性组分的化合物作前驱体，在液相下将这些原料均匀混合，并进行水解、缩合化学反应，在溶液中形成稳定的透明溶胶体系，溶胶经陈化胶粒间缓慢聚合，形成三维网络结构的凝胶，凝胶网络间充满了失去流动性的溶剂，形成凝胶。...

【技术特征摘要】

1.一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于：使用有机碱作为ph调节剂，ph调节剂的含量范围为10%～18.88%，此时的抛光速率最大。

3.根据权利要求1所述的在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于：溶胶凝胶法就是用含高化学活性组分的化合物作前驱体，在液相下将这些原料均匀混合，并进行水解、缩合化学反应，在溶液中形成稳定的透明溶胶体系，溶胶经陈化胶粒间缓慢聚合，形成三维网络结构的凝...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜翠兰，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：