蚀刻方法和等离子体处理系统技术方案

提供一种提高蚀刻的选择比的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有基底膜和基底膜上的含硅膜的基板提供给腔室内的工序；和(b)使用由含有氟化氢气体的第一处理气体生成的第一等离子体将含硅膜进行蚀刻从而形成凹部的工序，其中，蚀刻进行到基底膜在凹部处露出之前为止或者到基底膜的一部分在凹部处露出为止，和(c)在与(b)的工序不同的条件下，在凹部处将含硅膜进一步进行蚀刻的工序。序。序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法和等离子体处理系统


[0001]本公开的例示性实施方式涉及蚀刻方法和等离子体处理系统。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开了使用含有非晶碳或有机聚合物的掩模对含有硅的基板内的膜进行蚀刻的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
39310号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本公开提供一种提高蚀刻的选择比的技术。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]在本公开的一个例示性实施方式中，提供一种蚀刻方法，其是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，该蚀刻方法包含下述的工序：(a)将具有基底膜和所述基底膜上的含硅膜的基板提供给腔室内的工序；和(b)使用由含有氟化氢气体的第一处理气体生成的第一等离子体将所述含硅膜进行蚀刻从而形成凹部的工序，其中，所述蚀刻进行到所述基底膜在所述凹部处露出之前为止或者到所述基底膜的一部分在所述凹部处露出为止；和(c)在与所述(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻方法，其是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，该蚀刻方法包含下述的工序：(a)将具有基底膜和所述基底膜上的含硅膜的基板提供给腔室内的工序；(b)使用由含有氟化氢气体的第一处理气体生成的第一等离子体将所述含硅膜进行蚀刻从而形成凹部的工序，其中，所述蚀刻进行到所述基底膜在所述凹部处露出之前为止或者到所述基底膜的一部分在所述凹部处露出为止；和(c)在与所述(b)的工序不同的条件下，在所述凹部处将所述含硅膜进一步进行蚀刻的工序。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述(c)的工序中，使用与所述第一处理气体不同的第二处理气体来生成第二等离子体。3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，所述第二等离子体的氟种的密度比所述第一等离子体的氟种的密度小。4.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，所述基底膜含有硅，所述第二处理气体含有相对于除去不活泼气体后的所述第二处理气体的总流量为50体积％以上的氟碳化物气体或氢氟碳化物气体和含氧气体。5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其中，所述第二处理气体中所含有的所述氟碳化物气体或所述氢氟碳化物气体的碳原子数为2以上。6.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，所述基底膜含有金属，所述第一处理气体还含有氟化氢以外的含氟气体，所述第二处理气体不含所述含氟气体、或者以比所述第一处理气体中的分压小的分压含有所述含氟气体。7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，所述含氟气体为NF3气体和SF6气体中的至少一种。8.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，所述第二处理气体还含有CO气体和含氯气体中的至少一种。9.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述(c)的工序中，按照使所述基板的温度高于所述(b)的工序中的所述基板的温度的方式来进行温度控制。10.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其中，所述进行温度控制包含下述的控制中的一个以上：(I)增大向所述腔室供给的源RF信号或偏置信号的功率；(II)减小支撑所述基板的基板支撑部的吸附力；(III)减小向所述基板和所述基板支撑部之间供给的传热气体的压力；和(IV)使所述基板支撑部的设定温度高于所述(b)的工序中的设定温度。11.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其中，所述进行温度控制包含进行使所述基板的温度比...

【专利技术属性】
技术研发人员：户村幕树，木原嘉英，本田昌伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：