基片处理方法和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供有效地抑制凹凸图案的图案倒塌的基片处理方法和基片处理装置。例示的实施方式的基片处理方法包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤(S04、S05)；和对基片实施低分子化处理的步骤(S06)，其中，低分子化处理一边将加强材维持为固体状态、一边使加强材中含有的分子间的键合数减少。材中含有的分子间的键合数减少。材中含有的分子间的键合数减少。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基片处理方法和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及基片处理方法和基片处理装置。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开有一种将在表面形成有凹凸图案的基片上的液体除去而使基片干燥的基片干燥方法(基片处理方法)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2012
‑
243869号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供对凹凸图案的图案倒塌的抑制有效的基片处理方法和基片处理装置。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方面的基片处理方法包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤；和对基片实施低分子化处理的步骤，其中，低分子化处理一边将加强材维持为固体状态，一边使加强材中含有的分子间的键合数减少。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，能够提供对凹凸图案的图案倒塌的抑制有效的基片处理方法和基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：将在表面形成有凹凸图案的基片的凹部内的液体替换为固体状态的加强材的步骤；和对所述基片实施低分子化处理的步骤，其中，所述低分子化处理一边将所述加强材维持为固体状态，一边使所述加强材中含有的分子间的键合数减少。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在实施所述低分子化处理时，使所述加强材中含有的分子间的键合数减少至所述加强材比所述凹凸图案更容易升华的程度。3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：还包括使被实施了所述低分子化处理的所述加强材升华而将其除去的步骤。4.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：所述使加强材升华而将其除去的步骤，包括通过将所述基片放置在被减压了的空间而使所述加强材升华的步骤。5.如权利要求3或4所述的基片处理方法，其特征在于：所述使加强材升华而将其除去的步骤，包括对所述加强材实施使用等离子体的蚀刻处理的步骤。6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：所述替换为加强材的步骤包括：通过对所述基片的表面供给处理液，将所述凹部内的液体替换为该处理液的步骤；和使所述处理液干燥而在所述凹部内形成所述加强材的步骤。7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：所述凹凸图案包含多个所述凹部，所述对基片的表面供给所述处理液的步骤，包括在多个所述凹部内分别残留有液体的状态下，开始对所述基片的表面供给所述处理液的步骤。8.如权利要求1～7中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：只友浩贵，村松诚，上田健一，A，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：