剥离方法、剥离装置以及剥离系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及剥离方法、剥离装置以及剥离系统。提供一种能够使剥离处理高效化的技术。本公开的一技术方案的剥离方法包含保持的工序和剥离的工序。保持的工序对将第1基板与第2基板接合而成的重合基板进行保持。剥离的工序以重合基板的侧面为起点自重合基板剥离第1基板。另外，剥离的工序包含使含有水的流体与侧面接触的工序。面接触的工序。面接触的工序。

【技术实现步骤摘要】
剥离方法、剥离装置以及剥离系统


[0001]本公开涉及剥离方法、剥离装置以及剥离系统。

技术介绍

[0002]近年，例如在半导体器件的制造工序中，硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体基板的大口径化和薄型化不断发展。大口径且较薄的半导体基板在输送时、研磨处理时有可能产生翘曲、破裂。因此，在以使支承基板贴合于半导体基板的方式进行了加强后，进行输送、研磨处理，然后，进行将支承基板自半导体基板剥离的处理(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
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35562号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够使剥离处理高效化的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一技术方案的剥离方法包含保持的工序和剥离的工序。保持的工序对将第1基板与第2基板接合而成的重合基板进行保持。剥离的工序以所述重合基板的侧面为起点自所述重合基板剥离所述第1基板。另外，所述剥离的工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种剥离方法，其中，该剥离方法包含以下工序：对将第1基板与第2基板接合而成的重合基板进行保持；以及以所述重合基板的侧面为起点自所述重合基板剥离所述第1基板，所述剥离的工序包含使含有水的流体与所述侧面接触的工序。2.根据权利要求1所述的剥离方法，其中，所述含有水的流体是水蒸气。3.根据权利要求1所述的剥离方法，其中，所述含有水的流体是液体。4.根据权利要求1～3中任一项所述的剥离方法，其中，所述剥离的工序一边自多个喷嘴喷出所述含有水的流体一边进行。5.根据权利要求1～3中任一项所述的剥离方法，其中，所述剥离的工序包含以下工序：自喷嘴向所述侧面供给所述含有水的流体；以及将刃部向所述侧面的供给有所述含有水的流体的部位按压。6.根据权利要求3所述的剥离方法，其中，所述剥离的工序以将所述重合基板浸渍于贮存着的所述含有水的流体的方式进行。7.根据权利要求1～3中任一项所述的剥离方法，其中，所述含有水的流体被加热。8.根据权利要求1～3中任一项所述的剥离方法，其中，在所述重合基板，所述第1基板与所述第2基板利用分子间力接合。9.一种剥离装置，其中，该剥离装置具备：第1保持部，其保持将第1基板与第2基板接合而成的重合基板中的所述第1基板，并使所述第1基板向远离所述第2基板的方向移动；第2保持部，其保持所述重合基板中的所述第2基板；流体供给部，其向所述重合基板的侧面供给含有水的流体；以及控制部，其控制各部分，所述控制部利用所述第1保持...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺田尚司，三村勇之，前田浩史，野田和孝，本田胜，坂本亮一，山崎穰，北山殖也，福富亮，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：