蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸

本公开涉及一种蚀刻方法和蚀刻装置，提高通过蚀刻形成的图案的垂直加工性。蚀刻方法包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)提供具有不包含氧及氮的含硅膜、以及形成于含硅膜上的掩模的基板。工序b)利用包含含卤气体的第一处理气体的等离子体对含硅膜进行蚀刻来形成凹部。工序c)利用包含含氧气体以及含有碳、氢及氟的气体的第二处理气体的等离子体在凹部形成氧化膜。工序d)在工序c)之后，利用第一处理气体的等离子体进一步对含硅膜进行蚀刻。工序e)将工序c)和工序d)重复执行预先设定的次数。在该蚀刻方法中，在工序e)中变更工序c)和工序d)中的至少一方的处理条件，由此变更形成的氧化膜的厚度。此变更形成的氧化膜的厚度。此变更形成的氧化膜的厚度。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和蚀刻装置


[0001]本公开涉及一种蚀刻方法和蚀刻装置。

技术介绍

[0002]以往，存在一种利用含卤气体的等离子体对从下起依次层叠有硅膜和图案掩模的基板的硅膜进行蚀刻的技术(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
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37091号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够提高通过蚀刻形成的图案的垂直加工性的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本公开的一个方式的蚀刻方法包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)是提供具有不包含氧和氮的含硅膜、以及形成于含硅膜上的掩模的基板的工序。工序b)是利用包含含卤气体的第一处理气体的等离子体对含硅膜进行蚀刻来形成凹部的工序。工序c)是利用包含含氧气体以及含有碳、氢及氟的气体的第二处理气体的等离子体在凹部形成氧化膜的工序。工序d)是在工序c)之后利用第一处理气体的等离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，包括以下工序：工序a)：提供具有不包含氧和氮的含硅膜、以及形成于所述含硅膜上的掩模的基板；工序b)：利用包含含卤气体的第一处理气体的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻，来形成凹部；工序c)：利用包含含氧气体以及含有碳、氢及氟的气体的第二处理气体的等离子体在所述凹部形成氧化膜；工序d)：在所述工序c)之后，利用所述第一处理气体的等离子体进一步对所述含硅膜进行蚀刻；以及工序e)：将所述工序c)和所述工序d)重复执行预先设定的次数，其中，在所述工序e)中变更所述工序c)和所述工序d)中的至少一方的处理条件，由此变更形成的所述氧化膜的厚度。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序e)中，将所述第二处理气体中的所述含氧气体与所述含有碳、氢及氟的气体的流量比作为所述处理条件进行变更，由此变更形成的所述氧化膜的厚度。3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序e)中，将所述工序c)和所述工序d)重复执行至少n次以上，n为2以上的自然数，在直到第(n
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1)次为止的所述工序c)中，将所述含有碳、氢及氟的气体相对于所述含氧气体的流量比设定为最大值，在第n次以后的所述工序c)中，将该流量比变更为比所述最大值低的值，由此变更形成的所述氧化膜的厚度。4.根据权利要求2或3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含有碳、氢及氟的气体相对于所述含氧气体的流量比为0.3以下。5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序e)中，将所述工序c)的处理时间与所述工序d)的处理时间之比作为所述处理条件进行变更，由此变更形成的所述氧化膜的厚度。6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序e)中，将所述工序c)和所述工序d)重复执行至少n次以上，其中，n为2以上的自然数，在直到第(n
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1)次为止的所述工序c)和所述工序d)中，将所述工序d)的处理时间相对于所述工序c)的处理时间之比设定为最小值，在第n次以后的所述工序c)和所述工序d)中，将该比变更为比所述最小值高的值，由此变更形成的所述氧化膜的厚度。7.根据权利要求5或6所述的蚀刻方法，其特征在于，所述工序d)的处理时间相对于所述工序c)的处理时间之比为0.5以上且5.0以下。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含卤气体是从由含氯气体和含溴气体构成的组中选择的至少一种含卤气体。9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含氯气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：高田郁弥，泷野裕辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：