刻蚀方法、阶梯孔形成方法及圆台孔形成方法技术

本发明专利技术涉及一种刻蚀方法、阶梯孔形成方法及圆台孔形成方法。所述刻蚀方法包括：获取待刻蚀结构；通过光刻在所述待刻蚀结构上形成露出了刻蚀窗口的光刻胶；在所述刻蚀窗口的侧壁形成掩模增筑结构；以所述光刻胶和掩模增筑结构为刻蚀掩模，对所述待刻蚀结构进行刻蚀。上述刻蚀方法，通过在光刻胶形成的刻蚀窗口侧壁形成掩模增筑结构，使刻蚀窗口的尺寸得到进一步缩小，因此缩小后的刻蚀窗口的尺寸可以小于光刻机光刻的最小线宽，从而得到小于光刻机光刻的最小线宽的半导体结构；同时上述刻蚀方法的工艺流程步骤少，成本较低且生产效率高。成本较低且生产效率高。成本较低且生产效率高。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀方法、阶梯孔形成方法及圆台孔形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种刻蚀方法，还涉及一种阶梯孔形成方法，以及一种圆台孔形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，近年来工艺制程从28nm逐步进化到14nm、7nm乃至5nm。在更先进的制程中，对光刻工艺的要求不断提高，光刻流程的成本占总生产成本的比例越来越大。因此减少先进工艺中最先进层次的次数以及实现后进工艺对先进工艺的替代，是部分fab厂的芯片设计与新技术开发的重中之重。所谓后进工艺对先进工艺的替代，是指在相对落后工艺中，对其核心层次的关键尺寸使用一些技术手段以达到先进工艺中相同结构的线宽，从而在相对落后工艺的基础上实现器件性能优化与集成度提高。
[0003]硬掩模(hardmask)保护自对准(self
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aligned)的尺寸微缩(shrink)工艺(HSASP)是一种实现后进工艺对先进工艺替代的技术，在0.18微米e
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flash(嵌入式闪存)制程中，其Cell存储单元的选择栅(select gat本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，包括：获取待刻蚀结构；通过光刻在所述待刻蚀结构上形成露出了刻蚀窗口的光刻胶；在所述刻蚀窗口的侧壁形成掩模增筑结构；以所述光刻胶和掩模增筑结构为刻蚀掩模，对所述待刻蚀结构进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述获取待刻蚀结构的步骤之后，还包括在所述待刻蚀结构上形成牺牲层的步骤，所述光刻胶形成于所述牺牲层上。3.根据权利要求1或2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述在所述刻蚀窗口的侧壁形成掩模增筑结构的步骤包括：沉积有机膜层。4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述沉积有机膜层是使用等离子沉积刻蚀一体机台进行。5.根据权利要求1或2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述在所述刻蚀窗口的侧壁形成掩模增筑结构的步骤包括：在干法刻蚀机台中使刻蚀气体与所述光刻胶反应，形成附着于所述光刻胶表面的所述掩模增筑结构。6.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述在所述刻蚀窗口的侧壁形成掩模增筑结构的步骤包括：在干法刻蚀机台中，使刻蚀气体与所述牺牲层反应生成聚合物作为所述掩模增筑结构。7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体为包括Cl2、BCl3及Ar的混合气体，所述牺牲层包括铪基复合材料。8.根据权利要求1或2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述对所述待刻蚀结构进...

【专利技术属性】
技术研发人员：马凤麟，杨晓芳，金兴成，李玉岱，郭崇永，张建，
申请(专利权)人：无锡华润微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：