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本公开涉及一种蚀刻方法和蚀刻装置，提高通过蚀刻形成的图案的垂直加工性。蚀刻方法包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)提供具有不包含氧及氮的含硅膜、以及形成于含硅膜上的掩模的基板。工序b)利用包含含卤气体的第一处理气...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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