蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸

蚀刻方法包括工序(a)、工序(b)、工序(c)以及工序(d)。在工序(a)中，向载置台上提供具有基底层和形成于基底层上的蚀刻对象膜的基板。在工序(b)中，从处理气体生成等离子体。在工序(c)中，通过向载置台供给具有第一频率的偏压电力对蚀刻对象膜进行蚀刻，来形成凹部。在工序(d)中，根据工序(c)后的凹部的深宽比，将偏压电力的频率变更为与第一频率不同的第二频率，来进一步对蚀刻对象膜进行蚀刻。在蚀刻方法中，在生成等离子体后到基底层露出为止的期间，连续地对蚀刻对象膜进行蚀刻。连续地对蚀刻对象膜进行蚀刻。连续地对蚀刻对象膜进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法和蚀刻装置


[0001]本公开涉及一种蚀刻方法和蚀刻装置。

技术介绍

[0002]提出了用于高精度地形成高深宽比的图案的各种方法。例如，存在以下方法：向载置基板的载置台供给用于吸引离子的高频(RF：Radio Frequency，射频)偏压电力来促进向深度方向的蚀刻。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2008
‑
192906号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种通过蚀刻来改善形成于基板上的图案的形状异常的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，向载置台上提供具有基底层和形成于所述基底层上的蚀刻对象膜的基板；工序(b)，从处理气体生成等离子体；工序(c)，通过向所述载置台供给具有第一频率的偏压电力对所述蚀刻对象膜进行蚀刻，来形成凹部；以及工序(d)，根据所述工序(c)后的所述凹部的深宽比，将所述偏压电力的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括以下工序：工序(a)，向载置台上提供具有基底层和形成于所述基底层上的蚀刻对象膜的基板；工序(b)，从处理气体生成等离子体；工序(c)，通过向所述载置台供给具有第一频率的偏压电力对所述蚀刻对象膜进行蚀刻，来形成凹部；以及工序(d)，根据所述工序(c)后的所述凹部的深宽比，将所述偏压电力的频率变更为与所述第一频率不同的第二频率，来进一步对所述蚀刻对象膜进行蚀刻，在所述蚀刻方法中，在生成所述等离子体后到所述基底层露出为止的期间，连续地对所述蚀刻对象膜进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，在生成所述等离子体后到所述基底层露出为止的期间，连续地从所述处理气体生成等离子体。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，在生成所述等离子体后到所述基底层露出为止的期间，连续地向所述载置台供给偏压电力。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，基于与所述第一频率相对应的凹部的形状来选择所述第二频率，与所述第一频率相对应的凹部的形状是参照表示按所述偏压电力的每个频率将所述蚀刻对象膜蚀刻到所述基底层露出为止的情况下所形成的凹部的形状的数据来确定的。5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，当在所述数据中确定的所述凹部的形状为锥形形状的情况下，选择比所述第一频率大的频率来作为所述第二频率。6.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，当在所述数据中确定的所述凹部的形状为弓形形状的情况下，选择比所述第一频率小的频率来作为所述第二频率。7.根据权利要求4～6中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，参照根据所述数据确定的所述凹部的形状，在所述凹部的开口尺寸的最大值成为容许范围内的上限值以前、或者在所述凹部的开口尺寸的最小值成为所述容许范围的下限值以前，结束所述工序(c)，并执行所述工序(d)。8.根据权利要求4～7中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，参照根据所述数据确定的所述凹部的形状，来确定所述凹部的开口尺寸处于容许范围的深宽比的范围，在确定出的所述深宽比的范围内，结束所述工序(c)，并执行所述工序(d)。9.根据权利要求1～8中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，使用从所述工序(c)开始时起的经过时间或者所述等离子体的状态来估计所述凹部的深宽比。10.根据权利要求1～9中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序(d)后，至少执行一次以上如下工序：根据所述凹部的深宽比，将所述偏压电力的频率变更为与紧挨着变更之前的用于所述蚀刻对象膜的蚀刻的频率不同的频率，来
进一步对所述蚀刻对象膜进行蚀刻。11.根据权利要求1～10中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，最终在所述蚀刻对象膜形成具有50以上的深宽比的凹部。12.根据权利要求1～11中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，还包括以下工序：...

【专利技术属性】
技术研发人员：户村幕树，须田隆太郎，福井信志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：