等离子体处理装置和盖构件制造方法及图纸

本发明专利技术涉及等离子体处理装置和盖构件。即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下，也能够利用远程等离子体进行清洁。处理容器在内部配置有载置基板的载置台，该处理容器在载置台的上侧形成有开口。盖构件将处理容器的开口密封。盖构件在与载置台相对的区域形成有用于配置放射微波的放射部的一个或多个贯通孔，盖构件在成为处理容器的内部侧的第1面形成有沿着开口的边缘向处理容器的内部侧突出的突出部，在突出部的内部形成有流路，在第1面形成有与流路连通的多个气孔，盖构件在成为处理容器的外部侧的第2面形成有与流路连通的供给口。远程等离子体单元与供给口连接，将清洁气体等离子体化并向供给口供给。将清洁气体等离子体化并向供给口供给。将清洁气体等离子体化并向供给口供给。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和盖构件


[0001]本公开涉及等离子体处理装置和盖构件。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了如下结构：在腔室(处理容器)的上部配置远程等离子体单元，利用远程等离子体单元将清洁气体等离子体化并向腔室内供给。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2006
‑
319042号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下也能够利用远程等离子体进行清洁的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一技术方案的等离子体处理装置具有处理容器、盖构件和远程等离子体单元。处理容器在内部配置有载置基板的载置台，该处理容器在载置台的上侧形成有开口。盖构件将处理容器的开口密封。盖构件在与载置台相对的区域形成有用于配置放射微波的放射部的一个或多个贯通孔，盖构件在成为处理容器的内部侧的第1面形成有沿着开口的边缘向处理容器的内部侧突出的突出部，在突出部的内部形成有流路，在第1面形成有与流路连通的多个气孔，盖构件在成为处理容器的外部侧的第2面形成有与流路连通的供给口。远程等离子体单元与供给口连接，将清洁气体等离子体化并向供给口供给。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下，也能够利用远程等离子体实施清洁。
附图说明
[0012]图1是示意性地表示实施方式的等离子体处理装置的一个例子的剖视图。
[0013]图2是表示实施方式的顶壁部的结构的一个例子的图。
[0014]图3是表示实施方式的顶壁部的结构的一个例子的图。
[0015]图4是表示实施方式的顶壁部的结构的一个例子的放大图。
[0016]图5是表示实施方式的顶壁部的结构的另一例子的放大图。
具体实施方式
[0017]以下，参照附图，对本申请所公开的等离子体处理装置和盖构件的实施方式详细地进行说明。此外，所公开的等离子体处理装置和盖构件并不限定于本实施方式。
[0018]近年，伴随着半导体产品的高密度化和高微细化，在半导体产品的制造工序中，正在使用在成膜处理中使用了微波的等离子体处理装置。在这样的等离子体处理装置中，在对处理容器的上表面进行密封的盖构件配置微波放射机构等放射微波的放射部，自放射部向处理容器内放射微波而生成等离子体。等离子体处理装置通过使用微波，从而即使在压力比较低的高真空状态下，也能够稳定地维持等离子体。另外，等离子体处理装置通过使用微波，从而能够产生高密度等离子体。
[0019]另外，在等离子体处理装置进行了成膜处理的情况下，沉积物在处理容器内的内壁面等处理容器内的构造物表面沉积。因此，考虑进行向处理容器内供给利用远程等离子体单元等离子体化了的清洁气体来去除沉积物的清洁。若流路较长，则利用远程等离子体单元等离子体化了的清洁气体会在中途失活。因此，在以往技术中，将远程等离子体单元配置于盖构件之上等处理容器的上部，以缩短等离子体化了的清洁气体流动的流路。但是，使用了微波的等离子体处理装置在处理容器的上部配置有放射部，因而无法在处理容器的上部配置远程等离子体单元。因此，期待一种即使在处理容器的上部配置有放射微波的放射部的情况下也能够利用远程等离子体进行清洁的技术。
[0020][实施方式][0021]对本公开的等离子体处理装置的一个例子进行说明。图1是示意性地表示实施方式的等离子体处理装置100的一个例子的剖视图。图1所示的等离子体处理装置100具有处理容器101、载置台102、气体供给机构103、排气装置104以及微波导入装置105。
[0022]处理容器101收纳半导体晶圆等基板W。处理容器101在内部设有载置台102。在载置台102载置基板W。气体供给机构103向处理容器101内供给气体。排气装置104对处理容器101内进行排气。微波导入装置105产生用于在处理容器101内生成等离子体的微波，并且向处理容器101内导入微波。
[0023]处理容器101例如由铝及其合金等金属材料形成，呈大致圆筒形状。处理容器101具有板状的顶壁部200和底壁部113、以及将它们连结的侧壁部112。处理容器101构成为构成上表面的顶壁部200能够装卸。处理容器101在载置台102的上侧形成有开口101a。顶壁部200形成为与处理容器101的开口101a对应的形状，将开口101a密封。在实施方式中，顶壁部200对应于本公开的盖部件。处理容器101的内壁利用氧化钇(Y2O3)等涂覆而设有保护膜。微波导入装置105设于处理容器101的上部，向处理容器101内导入电磁波(微波)而生成等离子体。关于微波导入装置105，随后详细说明。
[0024]顶壁部200具有供微波导入装置105的后述的微波放射机构143和气体导入喷嘴123嵌入的多个贯通孔201、202。侧壁部112具有用于与输送室(未图示)之间进行基板W的送入送出的送入送出口114，该输送室与处理容器101相邻。另外，侧壁部112在比载置台102靠上侧的位置设有气体导入喷嘴124。送入送出口114利用闸阀115进行开闭。
[0025]在底壁部113设有开口113a，经由与开口113a连接的排气管116设有排气装置104。排气装置104具备真空泵和压力控制阀。利用排气装置104的真空泵经由排气管116对处理容器101内进行排气。处理容器101内的压力由排气装置104的压力控制阀控制。
[0026]载置台102形成为圆板状。载置台102由金属材料或者陶瓷材料构成，金属材料例如为在表面实施有阳极氧化处理的铝，陶瓷材料例如为氮化铝(AlN)。载置台102在上表面载置基板W。载置台102利用自处理容器101的底部中央向上方延伸的圆筒状的由AlN等陶瓷
构成的支承构件120和基部构件121支承。在载置台102的外缘部设有用于引导基板W的引导环181。另外，在载置台102的内部，以能够相对于载置台102的上表面突出没入的方式设有用于使基板W升降的升降销(未图示)。
[0027]而且，在载置台102埋入有加热器182。加热器182通过自加热器电源183供电而对载置于载置台102的基板W进行加热。另外，载置台102插入有热电偶(未图示)，能够基于来自热电偶的信号来控制基板W的加热温度。而且，载置台102在加热器182的上方埋设有与基板W相同程度大小的电极184。在电极184电连接有高频偏压电源122。高频偏压电源122对载置台102施加用于引入离子的高频偏压。此外，根据等离子体处理的特性，也可以不设置高频偏压电源122。
[0028]气体供给机构103向处理容器101内供给各种气体。气体供给机构103具有气体导入喷嘴123、124、气体供给配管125、126和气体供给部127。气体导入喷嘴123嵌入于在处理容器101的顶壁部200形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置具有：处理容器，其在内部配置有载置基板的载置台，该处理容器在所述载置台的上侧形成有开口；盖构件，其将所述处理容器的所述开口密封，且所述盖构件在与所述载置台相对的区域形成有用于配置放射微波的放射部的一个或多个贯通孔，所述盖构件在成为所述处理容器的内部侧的第1面形成有沿着所述开口的边缘向所述处理容器的内部侧突出的突出部，在所述突出部的内部形成有流路，在所述第1面形成有与所述流路连通的多个气孔，所述盖构件在成为所述处理容器的外部侧的第2面形成有与所述流路连通的供给口；以及远程等离子体单元，其与所述供给口连接，将清洁气体等离子体化并向所述供给口供给。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述盖构件相对于所述第1面的被所述突出部包围的中央部分在所述突出部形成有向所述处理容器的内部侧倾斜的倾斜面，在所述倾斜面形成有所述多个气孔。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，所述盖构件相对于所述倾斜面至少在两个方向上针对每个方向排列地形成有所述多个气孔。4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其中，所述盖构件在所述流路的靠所述第1面侧的内壁形成有台阶，所述多个气孔形成为相对于所述倾斜面在两个方向上针对每个方向分别贯通于构成所述台阶的两个面。5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述盖构件在所述第1面形成有抑制表面波的传播的规定角度以上的角度的变化。6.根据权利要求1～5中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤裕志，古屋治彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：