基板搬送位置的偏移量探测方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板搬送位置的偏移量探测方法和基板处理装置。基板搬送位置的偏移量探测方法包括以下工序：工序a)，将基板支承面设定为在基板支承面内为相同温度；工序b)，对形成于基板上的第一蚀刻对象膜进行蚀刻；工序c)，获取第一蚀刻对象膜的第一蚀刻速率；工序d)，将基板支承面的温度设定为从中心部去向周缘部而同心圆状地逐渐升高、或者从中心部去向周缘部而同心圆状地逐渐降低；工序e)，对形成于基板上的、种类与第一蚀刻对象膜的种类相同的第二蚀刻对象膜进行蚀刻；工序f)，获取第二蚀刻对象膜的第二蚀刻速率；工序g)，计算获取到的第一蚀刻速率与第二蚀刻速率的差分；以及工序f)，基于计算出的差分来计算基板的偏移量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
基板搬送位置的偏移量探测方法和基板处理装置


[0001]本公开涉及一种基板搬送位置的偏移量探测方法和基板处理装置。

技术介绍

[0002]在通过基板处理装置进行蚀刻处理的情况下，静电吸盘(ESC：Electric Static Chuck)由于会消耗而被定期更换。已知的是，由于更换后的ESC的设置位置包含误差，因此会导致ESC与基板的相对位置的偏移，对基板的特性造成较大的不良影响。对此，已知的是为了校正基座与基板的相对位置的误差而进行所谓的示教，即，一边通过目视来确认基板的搬送位置一边将位置坐标存储于控制部。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2000
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127069号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够探测静电吸盘与基板的相对位置的偏移量的基板搬送位置的偏移量探测方法和基板处理装置。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本专利技术的一个方式的基板搬送位置的偏移量探测方法是用于探测基板处理装置中的基板搬送位置的偏移量探测方法，所述基板处理装置具备：工艺模块，其在腔室的内部设置有具有基板支承面的载置台；以及控制部，其能够同心圆状地控制基板支承面的温度，所述基板搬送位置的偏移量探测方法包括以下工序：工序a)，将基板支承面设定为在所述基板支承面内为相同温度；工序b)，对形成于基板上的第一蚀刻对象膜进行蚀刻；工序c)，获取第一蚀刻对象膜的蚀刻速率即第一蚀刻速率；工序d)，将基板支承面的温度设定为从中心部去向周缘部而同心圆状地逐渐升高、或者从中心部去向周缘部而同心圆状地逐渐降低；工序e)，对形成于基板上的、种类与第一蚀刻对象膜为相同的第二蚀刻对象膜进行蚀刻；工序f)，获取第二蚀刻对象膜的蚀刻速率即第二蚀刻速率；工序g)，计算获取到的第一蚀刻速率与第二蚀刻速率的差分；以及工序f)，基于计算出的差分来计算基板的偏移量。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够探测静电吸盘与基板的相对位置的偏移量。
附图说明
[0012]图1是示出本专利技术的一个实施方式中的基板处理装置的一例的横剖俯视图。
[0013]图2是示出本实施方式中的等离子体处理装置的一例的图。
[0014]图3是示出本实施方式中的基板支承部的主体部的温度控制区域的一例的图。
[0015]图4是示出本实施方式中的基板支承部的主体部的截面的一例的图。
[0016]图5是示出本实施方式中的各蚀刻处理的温度条件的一例的图。
[0017]图6是示出本实施方式中的等高线图和X、Y方向的蚀刻速率的曲线图的一例的图。
[0018]图7是示出表示本实施方式中的X、Y方向的蚀刻速率的差分的曲线图和等高线图的一例的图。
[0019]图8是示出根据表示本实施方式中的X方向的蚀刻速率的差分的曲线图通过线性近似式来计算重心的偏移量的一例的图。
[0020]图9是示出根据表示本实施方式中的Y方向的蚀刻速率的差分的曲线图通过线性近似式来计算重心的偏移量的一例的图。
[0021]图10是示出本实施方式中的晶圆中心相对于ESC中心的偏移量的一例的图。
[0022]图11是示出本实施方式中的偏移量探测处理的一例的流程图。
具体实施方式
[0023]下面，基于附图来对公开的基板搬送位置的偏移量探测方法和基板处理装置的实施方式详细地进行说明。此外，并不通过以下的实施方式来限定公开技术。
[0024]如上所述，当ESC中心与基板中心存在偏移时，RF(Radio Frequency：射频)特性、温度特性变得不均匀，导致蚀刻速率、蚀刻形状的面内不均匀性。难以在组装于腔室内之后将这样的ESC与基板的相对位置的误差进行数值化。因此，期待准确且简便地探测静电吸盘与基板的相对位置的偏移量。
[0025][基板处理装置的结构][0026]图1是示出本公开的一个实施方式中的基板处理装置的一例的横剖俯视图。图1所示的基板处理装置1是能够单张地对基板(下面，也称为晶圆。)实施等离子体处理等各种处理的基板处理装置。
[0027]如图1所示，基板处理装置1具备传送模块10、六个工艺模块20、加载模块30以及两个加载互锁模块40。
[0028]传送模块10在俯视时具有大致五边形形状。传送模块10具有真空室，在内部配置有搬送机构11。搬送机构11具有导轨(未图示)、两个臂12、以及配置于各臂12的前端并支承晶圆的叉子13。各臂12为SCARA臂类型，构成为转动、伸缩自如。搬送机构11沿导轨移动，在工艺模块20、加载互锁模块40之间搬送晶圆。此外，搬送机构11只要能够在工艺模块20、加载互锁模块40之间搬送晶圆即可，并不限定于图1所示的结构。例如，搬送机构11的各臂12也可以构成为转动、伸缩自如且升降自如。
[0029]工艺模块20辐射状地配置于传送模块10的周围并与传送模块10连接。此外，工艺模块20是等离子体处理装置的一例。工艺模块20具有处理室，并且具有配置于内部的圆柱状的基板支承部21(载置台)。基板支承部21具有从上表面突出自如的多个例如三个细棒状的升降销22。各升降销22在俯视时配置在同一圆周上，通过从基板支承部21的上表面突出来支承并抬起被载置于基板支承部21的晶圆，并且通过退出到基板支承部21内来使所支承的晶圆载置于基板支承部21。在将晶圆载置于基板支承部21之后，将工艺模块20的内部减压并导入处理气体，并且对内部施加高频电力来生成等离子体，从而利用等离子体对晶圆实施等离子体处理。传送模块10和工艺模块20通过开闭自如的闸阀23被分隔。
[0030]加载模块30与传送模块10相向地配置。加载模块30为长方体状，是被保持为大气
压气氛的大气搬送室。在加载模块30的沿着长边方向的一个侧面连接有两个加载互锁模块40。在加载模块30的沿着长边方向的另一个侧面连接有三个加载端口31。在加载端口31载置作为用于收容多个晶圆的容器的FOUP(Front
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Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)(未图示)。在加载模块30的沿着短边方向的一个侧面连接有对准器32。另外，在加载模块30内配置有搬送机构35。并且，在加载模块30的沿着短边方向的另一侧面连接有测定部38。
[0031]对准器32进行晶圆的对位。对准器32具有通过驱动马达(未图示)进行旋转的旋转台33。旋转台33例如具有比晶圆的直径小的直径，构成为能够以在上表面载置有晶圆的状态旋转。在旋转台33的附近设置有用于探测晶圆的外周缘的光学传感器34。在对准器32中，通过光学传感器34来检测晶圆的中心位置以及切口相对于晶圆的中心的方向，以使晶圆的中心位置和切口的方向成为规定位置和规定方向的方式将晶圆交接到后述的叉子37。由此，调整晶圆的搬送位置，以使在加载互锁模块40内晶圆的中心位置和切口的方向成为规定位置和规定方向。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板搬送位置的偏移量探测方法，用于探测基板处理装置中的基板搬送位置的偏移量，所述基板处理装置具备：工艺模块，其在腔室的内部设置有具有基板支承面的载置台；以及控制部，其能够同心圆状地控制所述基板支承面的温度，所述基板搬送位置的偏移量探测方法包括以下工序：工序a)，将所述基板支承面设定为在所述基板支承面内为相同温度；工序b)，对形成于基板上的第一蚀刻对象膜进行蚀刻；工序c)，获取所述第一蚀刻对象膜的蚀刻速率即第一蚀刻速率；工序d)，将所述基板支承面的温度设定为从中心部去向周缘部而同心圆状地逐渐升高、或者从所述中心部去向所述周缘部而同心圆状地逐渐降低；工序e)，对形成于所述基板上的、种类与第一蚀刻对象膜的种类相同的第二蚀刻对象膜进行蚀刻；工序f)，获取所述第二蚀刻对象膜的蚀刻速率即第二蚀刻速率；工序g)，计算获取到的所述第一蚀刻速率与所述第二蚀刻速率的差分；以及工序h)，基于计算出的所述差分来计算所述基板的偏移量。2.根据权利要求1所述的基板搬送位置的偏移量探测方法，其特征在于，所述第一蚀刻速率和所述第二蚀刻速率各自包括通过所述基板的中心的不同的两个方向上的蚀刻速率。3.根据权利要求2所述的基板搬送位置的偏移量探测方法，其特征在于，所述不同的两个方向上的蚀刻速率是相互正交的两个方向的蚀刻速率。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板搬送位置的偏移量探测方法，其特征在于，在所述工序g)中，分别计算通过所述基板的中心的同一方向的直线上的所述第一蚀刻速率与所述第二蚀刻速率的差分，在所述工序h)中，关于用曲线图表示所述直线上的各个差分的情况下的、从所述基板的中心起到两侧的周缘部为止的各区间中的特定的对应范围，分别求出线性近似式，基于各个所述线性近似式来计算所述偏移量。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板搬送位置的偏移量探测方法，其特征在于，所述基板支承面同心圆状地具有至少两个温度控制区域。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板搬送位置的偏移量探测方法，其特征在于，所述载置台在所述基板支承面的外周侧具有环状的环形支承面，在所述工序a)中，将所述基板支承面的温度和所述环形支承面的温度设定为相同温度，在所述工序d)中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高良穣二，木村友里，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：