等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够改善等离子体处理中的基片的边缘区域处的倾斜角度的控制性和基片与边缘环之间的异常放电中的至少一者。等离子体处理装置是对基片进行等离子体处理的装置，包括：腔室；配置于上述腔室内的基片支承体，其具有基座、上述基座上的静电吸盘和以包围载置于上述静电吸盘上的基片的方式配置的边缘环；高频电源，其供给用于从上述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；对上述边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；控制上述直流电压的波形的波形控制元件；以及控制部，其调整上述波形控制元件的常数来控制上述直流电压达到所希望的值为止的时间。所希望的值为止的时间。所希望的值为止的时间。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开有一种等离子体处理装置，其包括配置在腔室内的载置晶片的载置台和以包围晶片的方式配置在载置台上的边缘环，并对晶片实施等离子体处理。在该等离子体处理装置中，通过对因等离子体而消耗的边缘环施加负的直流电压，消除鞘层的变形，使离子在晶片的整个面垂直地入射。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2008
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227063号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术所涉及的技术改善等离子体处理中的基片的边缘区域处的倾斜角度的控制性和基片与边缘环之间的异常放电中的至少一者。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式是一种对基片进行等离子体处理的装置，其包括：腔室；配置于上述腔室内的基片支承体，其具有基座、上述基座上的静电吸盘和以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其是对基片进行等离子体处理的装置，该等离子体处理装置的特征在于，包括：腔室；配置于所述腔室内的基片支承体，其具有基座、所述基座上的静电吸盘和以包围载置于所述静电吸盘上的基片的方式配置的边缘环；高频电源，其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；对所述边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；控制所述直流电压的波形的波形控制元件；以及控制部，其调整所述波形控制元件的常数来控制所述直流电压达到所希望的值为止的时间。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：包括与所述边缘环电连接的RF滤波器，所述波形控制元件配置在所述RF滤波器内。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述波形控制元件配置在所述直流电源内。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述直流电源包括生成所述直流电压的脉冲的脉冲生成部，所述波形控制元件配置在比所述脉冲生成部靠所述边缘环侧的位置。5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：用于对所述边缘环施加所述直流电压的直流电源电路；用于对所述边缘环进行除电的除电电路；和切换单元，其切换所述边缘环与所述直流电源电路或所述除电电路的连接，所述波形控制元件配置在所述切换单元内。6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述波形控制元件配置在所述直流电源与所述RF滤波器之间的路径。7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：具有馈电侧路径和返回侧路径，所述馈电侧路径将所述直流电源与所述边缘环连接，所述返回侧路径将所述边缘环接地，所述波形控制元件包含配置在所述馈电侧路径、或所述馈电侧路径与所述返回侧路径之间的容性元件、感性元件、电阻元件、电磁能量转换器、传输线路中的任一个或多个。8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：还包括非波形控制元件，所述非波形控制元件具有控制所述直流电压的波形的功能以外的其它功能，所述其它功能包含选自容性元件、感性元件、电阻元件、电磁能量转换器和传输线路中的至少一种功能。9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述波形控制元件具有控制所述直流电压的波形的功能以外的其它功能，所述其它功能包含选自容性元件、感性元件、电阻元件、电磁能量转换器和传输线路中的至少一种功能。
10.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟井夏实，永海幸一，舆水地盐，阿部淳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：