具有多个嵌入式电极的基板支撑件制造技术

提供了一种用于在等离子体辅助处理腔室中将基板偏压的区域的方法和设备。将基板(或基板的区域)偏压增加了在基板与处理腔室中形成的等离子体之间的电位差，从而将来自等离子体的离子加速朝向基板区域的活性表面。在本文中的多个偏压电极以有利于管理跨越基板的处理结果的均匀性的图案的方式跨越基板支撑件而空间地布置。而空间地布置。而空间地布置。

【技术实现步骤摘要】
具有多个嵌入式电极的基板支撑件
本申请是申请日为2018年7月19日、申请号为201880053380.1、名称为“具有多个嵌入式电极的基板支撑件”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2018/042956)的分案申请。


[0001]在本文中描述的实施例总体上涉及在半导体制造中使用的处理腔室，具体地，涉及具有被配置为偏压基板的基板支撑组件的处理腔室和偏压基板的方法。

技术介绍

[0002]可靠地产生高深宽比特征是半导体器件的下一代超大规模集成0电路(VLSI)和极大规模集成电路(ULSI)的关键技术挑战之一。形成高深宽比特征的一种方法使用等离子体辅助蚀刻工艺以在基板的材料层(诸如介电层)中形成高深宽比开口。在典型的等离子体辅助蚀刻工艺中，在处理腔室中形成等离子体，并且来自等离子体的离子朝向基板和在基板上的掩模中形成的开口加速，以在掩模表面下方的材料层中形成开口。通常，通过将400kHz至2MHz的范围中的低频RF功率耦合到基板来将离子朝向基板加速，从而在基板上产生偏压电压。然而，将RF功率耦合到基板不会相对于等离子体向基板施加单电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理系统，所述基板处理系统包括基板支撑组件，所述基板支撑组件包括：金属基座，所述金属基座具有设置在其上的基板支撑件，所述基板支撑件包括多个电极，其中所述多个电极中的每一个电极与所述基板支撑件的基板支撑表面通过第一介电材料层间隔开，所述多个电极与所述金属基座通过第二介电材料层间隔开，所述多个电极中的每一个电极与所述多个电极中的不同的一个电极通过介电材料的一部分隔离，所述多个电极中的第一电极电耦合至第一脉冲DC电压源，所述多个电极中的第二电极耦合至第二脉冲DC电压源，所述多个电极中的所述第二电极相对于所述第一电极径向向外设置，且至少部分地围绕所述第一电极，以及所述多个电极中的一个电极耦合至夹持功率供应，以用于将基板电夹持到所述基板支撑件的所述基板支撑表面。2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述第一介电材料层具有约5μm与约300μm之间的厚度。3.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述多个电极中耦合至所述夹持功率供应的所述一个电极包括金属网。4.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述第一电极和所述第二电极绕所述基板支撑件的所述基板支撑表面的中心同心地设置。5.如权利要求4所述的基板处理系统，其中所述第一电极在与所述基板支撑表面平行的平面中具有基本圆形的形状。6.如权利要求4所述的基板处理系统，其中所述第二电极设置成邻近所述基板支撑件的周向边缘。7.如权利要求4所述的基板处理系统，其中所述基板支撑表面包括多个突起，以及穿过所述基板支撑件形成的一个或多个气体导管与所述基板支撑表面处形成在多个突起之间的空间流体连通。8.如权利要求7所述的基板处理系统，其中所述一个或多个气体导管流体耦合至惰性气体源。9.如权利要求8所述的基板处理系统，其中形成在所述金属基座中的一个或多个流体导管流体耦合至冷却剂源。10.如权利要求9所述的基板处理系统，其中所述基板支撑件与所述金属基座通过夹在它们之间的粘结剂层热耦合。11.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述第一脉冲DC电压源包括第一高压DC功率供应和一个或多个第一开关，用于将第一静态DC电压从所述第一高压DC功率供应转换至第一脉冲DC电压。12.如权利要求11所述的基板处理系统，其中所述第二脉冲DC电压源包括第二高压DC功率供应和一个或多个第二开关，用于将第二静态DC电压从所述第二高...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：