等离子体处理装置和内腔室制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置和内腔室，其能够降低基片处理空间内的径向上的气体的流速的不均。所公开的等离子体处理装置在外腔室内包括基片支承部、上部电极、内腔室和排气装置。基片支承部设置于外腔室内。上部电极设置在基片支承部的上方。内腔室在基片支承部上划分出基片处理空间。排气装置与设置于外腔室的底部的排气口连接。内腔室包括顶部和侧壁部。顶部在基片处理空间上延伸，提供多个气孔，与上部电极一起构成喷淋头。侧壁部以包围基片处理空间的方式在周向上延伸，提供多个贯通孔。侧壁部具有沿着从其下端去往上端的方向阶梯地或连续地增加的开口面积。地或连续地增加的开口面积。地或连续地增加的开口面积。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和内腔室


[0001]本专利技术的例示性的实施方式涉及等离子体处理装置和内腔室。

技术介绍

[0002]作为等离子体处理装置的一种，使用电容耦合型的等离子体处理装置。专利文献1和专利文献2所记载的电容耦合型的等离子体处理装置具有腔室、基片支承部、上部电极和挡板。基片支承部包括下部电极，设置于腔室内。基片支承部对载置于其上表面之上的基片进行支承。上部电极设置于基片支承部上，构成喷淋头。挡板以在比基片支承部的上表面靠下方的位置包围基片支承部的方式设置。挡板提供多个贯通孔。腔室的底部在挡板的下方提供排气口，该排气口与排气装置连接。挡板以随着从其内周部去往外周部而开口面积变宽的方式形成。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
‑
200460号公报
[0006]专利文献2：日本特开平11
‑
317397号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术提供一种降低基片处理空间内的径向上的气体的流速的不均的技术。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]在一个例示的实施方式中，提供等离子体处理装置。等离子体处理装置包括外腔室、基片支承部、上部电极、内腔室和排气装置。外腔室在其底部提供排气口。基片支承部包括下部电极，设置于外腔室内。上部电极设置于基片支承部的上方。内腔室与基片支承部一起在外腔室内在基片支承部上划分出基片处理空间。排气装置经由外腔室的排气口与被提供在外部腔室至中且内部腔室之外的空间连接。内腔室相对于于上部电极可拆装。内腔室包括顶部和侧壁部。顶部在基片处理空间上延伸，提供多个气孔。顶部与上部电极一起构成喷淋头。侧壁部以包围基片处理空间的方式在周向上延伸。侧壁部提供多个贯通孔。侧壁部具有沿着从其下端去往上端的方向阶梯地或连续地增加的开口面积。
[0011]专利技术效果
[0012]依照一个例示的实施方式，能够降低基片处理空间内的径向上的气体的流速的不均。
附图说明
[0013]图1是概略地表示一个例示性的实施方式的等离子体处理装置的图。
[0014]图2的(a)、图2的(b)和图2的(c)分别是内腔室的上侧部分和下侧部分各自的例示性的平面图。
[0015]图3的(a)、图3的(b)和图3的(c)分别是内部腔室的上侧部分和下侧部分各自的例示性的平面图。
[0016]图4的(a)和图4的(b)分别是表示第一模拟和第二模拟的结果的图。
[0017]附图标记说明
[0018]1……
等离子体处理装置
[0019]10
……
外腔室
[0020]11
……
排气装置
[0021]12
……
基片支承部
[0022]14
……
上部电极
[0023]16
……
内腔室
[0024]16c
……
顶部
[0025]16s
……
侧壁部
[0026]16h
……
贯通孔。
具体实施方式
[0027]以下，对各种例示的实施方式进行说明。
[0028]在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括外腔室、基片支承部、上部电极、内腔室和排气装置。外腔室在其底部提供排气口。基片支承部包括下部电极，设置于外腔室内。上部电极设置于基片支承部的上方。内腔室与基片支承部一起在外腔室内在基片支承部上划分出基片处理空间。排气装置经由外腔室的排气口与被提供在外部腔室之中且内部腔室之外的空间连接。内腔室相对于上部电极可拆装。内腔室包括顶部和侧壁部。顶部在基片处理空间上延伸，提供多个气孔。顶部与上部电极一起构成喷淋头(气体喷淋头)。侧壁部以包围基片处理空间的方式在周向上延伸。侧壁部提供多个贯通孔。侧壁部具有沿着从其下端去往上端的方向阶梯地或连续地增加的开口面积。
[0029]在另一例示的实施方式中，提供一种在等离子体处理装置的外腔室内使用的内腔室。内腔室包括顶部和侧壁部。顶部在基片处理空间上延伸，提供多个气孔。侧壁部以包围基片处理空间的方式在基片处理空间的侧方在周向上延伸。侧壁部提供多个贯通孔，具有沿着从其下端去往上端的方向阶梯地或连续地增加的开口面积。
[0030]依照上述实施方式，能够降低在基片处理空间内径向上的气体的压力的不均。因此，能够降低基片处理空间内的径向上的气体的流速的不均。
[0031]在一个例示的实施方式中，也可以为，侧壁部包括上侧部分和下侧部分。也可以为，上侧部分的开口面积比下侧部分的开口面积大。
[0032]在一个例示的实施方式中，也可以为，上侧部分是侧壁部中从上端与下端之间的中央至上端的部分。即，也可以为，上侧部分是侧壁部的上半侧的部分。也可以为，下侧部分是侧壁部中从该中央至下端的部分。即，也可以为，下侧部分是侧壁部的下半侧的部分。
[0033]在一个例示的实施方式中，也可以为，多个贯通孔具有圆形或长圆形状。
[0034]在一个例示的实施方式中，也可以为，多个贯通孔中的设置于上侧部分的多个第一贯通孔各自的最大宽度(直径或者长轴的宽度)，比多个贯通孔中的设置于下侧部分的多个第二贯通孔各自的最大宽度(直径或者长轴的宽度)大。
[0035]在一个例示的实施方式中，也可以为，上侧部分中的多个贯通孔的密度比下侧部分中的多个贯通孔的密度大。
[0036]在一个例示的实施方式中，也可以为，多个贯通孔各自具有比多个贯通孔中的设置于比其更靠近下端处的贯通孔的最大宽度(直径或者长轴的宽度)大的最大宽度(直径或者长轴的宽度)。
[0037]在一个例示的实施方式中，也可以为，多个贯通孔的密度沿着从下端去往上端的方向增加。
[0038]在一个例示的实施方式中，也可以为，侧壁部具有在上端与下端之间膨胀的形状。或者，也可以为，侧壁部具有圆筒形状。
[0039]以下，参照附图，对各种例示性的实施方式详细地进行说明。另外，在各附图中，对相同或相应的部分标注相同的附图标记。
[0040]图1是概略地表示一个例示性的实施方式的等离子体处理装置的图。图1所示的等离子体处理装置1是电容耦合型的等离子体处理装置。等离子体处理装置1包括外腔室10、基片支承部12、上部电极14、内腔室16和排气装置11。
[0041]外腔室10在其内部提供内部空间。外腔室10由铝之类的金属形成。外腔室10电接地。在外腔室10的表面上也可以形成有耐腐蚀性的膜。耐腐蚀性的膜例如由氧化铝或氧化钇之类的材料形成。
[0042]外腔室10包括侧壁10s。侧壁10s具有大致圆筒形状。侧壁10s的中心轴线沿着铅垂方向延伸，在图1中被表示为轴线AX。侧壁10s提供通路10p。通路10p能够通过闸门10g进行开闭。在利用输送装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：外腔室；设置于所述外腔室内的基片支承部，其包含下部电极；设置于所述基片支承部的上方的上部电极；内腔室，其与所述基片支承部一起在所述外腔室内在所述基片支承部上划分出基片处理空间；和排气装置，其经由设置于所述外腔室的底部的排气口，与被提供在所述外腔室之中且所述内腔室之外的空间连接，所述内腔室相对于所述上部电极可拆装，并包括：顶部，其在所述基片处理空间上延伸，提供多个气孔，与所述上部电极一起构成喷淋头；和以包围所述基片处理空间的方式在周向上延伸的侧壁部，所述侧壁部提供多个贯通孔，具有沿着从其下端去往上端的方向阶梯地或连续地增加的开口面积。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述侧壁部包括上侧部分和下侧部分，所述上侧部分的开口面积比所述下侧部分的开口面积大。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述上侧部分是所述侧壁部中从所述上端与下端之间的中央至所述上端的部分，所述下侧部分是所述侧壁部中从所述中央至所述下端的部分。4.如权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多个贯通孔具有圆形或长圆形状。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多个贯通孔中的设置于所述上侧部分的多个第一贯通孔各自的最大宽度，比所述多个贯通孔中的设置于所述下侧部分的多个第二贯通孔各自的最大宽度大。6.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述上侧部分中的所述多个贯通孔的密度比所述下侧部分中的所述多个贯通孔的密度大。7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多个贯通孔具有圆形或长圆形状。8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多个贯通孔各自具有比该多个贯通孔中的设置于比其更靠近所述下端处的贯通孔的最大宽度大的最大宽度。9.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤功英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：