基板处理方法和腔室清洁方法技术

本发明专利技术构思提供了一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：通过将过程等离子体传送到腔室的处理空间来处理基板；以及通过将清洁介质供应到定位在所述处理空间下方的所述腔室的排气空间来清洁排气空间。的排气空间来清洁排气空间。的排气空间来清洁排气空间。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和腔室清洁方法


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及一种基板处理方法和腔室清洁方法。

技术介绍

[0002]等离子体是指由离子、自由基和电子组成的电离气态。等离子体由非常高的温度、强电场或RF电磁场生成。半导体器件制造过程可以包括使用等离子体去除形成在诸如晶片的基板上的薄膜或异物的蚀刻过程。通过等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应来执行蚀刻过程。
[0003]在使用等离子体处理基板的过程中使用各种过程气体。由于这个原因，在用于处理基板的腔室中会产生包括颗粒的各种工艺副产物。如果工艺副产物沉积在腔室中，则颗粒可能附接到在腔室中被执行处理的基板W上，并且因此基板W可能被污染。另外，难以控制腔室内部的压力，因为无法进行腔室内部的排气。因此，保持腔室的内部环境处于清洁状态是很重要的。
[0004]通常，基板处理设备被分隔成用于处理基板的处理空间和定位在处理空间下方并排出处理空间的气氛的排气空间。在用于处理基板的处理空间中产生的工艺副产物被引入并沉积到排气空间中。由于排气空间定位成相对远离等离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括：通过将过程等离子体传送到腔室的处理空间来处理基板；以及通过将清洁介质供应到所述腔室的定位在所述处理空间下方的排气空间来清洁排气空间。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中所述处理空间和所述排气空间由具有通孔的排气挡板来分隔，所述通孔使所述处理空间和所述排气空间流体连通。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中所述清洁介质是由清洁气体产生的清洁等离子体。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中所述清洁等离子体由远程等离子体源产生，所述远程等离子体源激发所述清洁气体并且产生所述清洁等离子体。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中通过由供应端口将所述清洁等离子体加入到所述排气空间来执行所述清洁，所述供应端口面向在所述处理空间处支撑所述基板的支撑单元的一侧。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中执行所述清洁的时间的至少一部分与执行所述处理的时间重叠。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中在执行所述处理之后，另外执行所述清洁持续一段设定时间。8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中在执行所述处理之前，另外执行所述清洁持续一段设定时间。9.根据权利要求1或权利要求2所述的基板处理方法，其中所述清洁介质是中性气体，所述中性气体已经从通过激发清洁气体而产生的清洁等离子体中捕获了离子。10.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中所述清洁气体包括CF4、NF3、N2、O2、F2、Ar或其组合中的至少一种。11.一种用于清洁具有内部空间的腔室的腔室清洁方法，所述内部空间通过排气挡板分隔成用于处理基板的处理空间和排气空间，所述处理空间和所述排气空间通过形成在所述排气挡板处的通孔而流体连通，所述方法包括通过将清洁等离子体传送到所述处理空间和所述排气空间之中的所述排气空间来清洁所述排气空间。12.根据权利要求11所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元硕，尹荣培，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：