基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基板处理装置，更详细来说涉及一种在利用等离子体对基板执行处理工艺、或者利用等离子体清洗腔室内部的情况下可补偿第一电极及腔室内部的热损失且进一步调节等离子体分布的基板处理装置。等离子体分布的基板处理装置。等离子体分布的基板处理装置。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本专利技术涉及一种基板处理装置，更详细来说涉及一种在利用等离子体对基板执行处理工艺、或者利用等离子体清洗腔室内部的情况下可补偿第一电极及腔室内部的热损失且进一步调节等离子体分布的基板处理装置。

技术介绍

[0002]一般来说，基板处理装置对基板执行沉积、刻蚀等各种处理工艺。在这种情况，在利用等离子体执行处理工艺的情况下可更有效地执行对基板的处理工艺。另外，这种等离子体不仅可用于对基板的处理工艺，而且可用于清洗腔室的内部的情况。
[0003]在基板处理装置中，在使用等离子体的情况，在腔室内部配置施加射频(radio frequency，RF)功率的喷头(shower head)，且以接地方式布置与这种喷头相对并支撑基板的基座。
[0004]在以往的基板处理装置的情况，施加RF功率的喷头与腔室绝缘。然而，这种喷头的边缘通过绝缘部利用热传导产生热损失，特别是在腔室中布置供基板出入的狭缝的区域的情况，经常发生由基板的出入带来的热损失。
[0005]另外，在喷头与基座之间产生等离子体的情况下，需要在对基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室，提供对基板的处理空间；第一电极，配置在所述腔室的内侧；绝缘部，配置在所述腔室且在所述腔室内支撑所述第一电极以将所述第一电极与所述腔室绝缘；第二电极，与所述第一电极对向布置在所述腔室内侧，且所述基板安装在所述第二电极；以及调节单元，配置在所述腔室的侧壁以对所述第一电极的边缘区域的温度及等离子体进行调节。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述调节单元配置有布置在所述绝缘部的导体部以及配置在所述导体部的射频电极及加热器，所述绝缘部包括支撑所述第一电极的第一绝缘部以及布置在所述第一绝缘部的下部的第二绝缘部，所述导体部位于所述第一绝缘部与所述第二绝缘部之间。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述导体部的至少一部分在进行对所述基板的处理工艺时布置在与所述基板的高度相同的高度处。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，在所述调节单元中，使所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙洪儁，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：