【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法和等离子体处理系统
[0001]本公开的例示性实施方式涉及蚀刻方法和等离子体处理系统。
技术介绍
[0002]在专利文献1中，公开了使用含有非晶碳或有机聚合物的掩模对含有硅的基板内的膜进行蚀刻的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
39310号公报
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本公开提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]在本公开的一个例示性实施方式中，提供一种蚀刻方法，其是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，所述蚀刻方法包含下述的工序：(a)将具有含硅膜和所述含硅膜上的掩模的基板提供至腔室内的基板支撑部上的工序；和(b)将所述含硅膜进行蚀刻的工序，所述(b)的工序包含下述的工序：(b
‑
1)使用由第一处理气体生成的等离子体将所述含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述第一处理气体含...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻方法，其是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，所述蚀刻方法包含下述的工序：(a)将具有含硅膜和所述含硅膜上的掩模的基板提供至腔室内的工序；和(b)将所述含硅膜进行蚀刻的工序，所述(b)的工序包含下述的工序：(b
‑
1)使用由第一处理气体生成的等离子体将所述含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述第一处理气体含有氟化氢气体和控制氟化氢与所述含硅膜的反应的反应控制气体，所述第一处理气体中，作为所述反应控制气体，含有促进所述反应的反应促进气体和抑制所述反应的反应抑制气体中的至少一者；和(b
‑
2)使用由含有氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体将所述含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述第二处理气体中，以比所述第一处理气体中的反应促进气体小的分压含有促进所述反应的反应促进气体、和/或以比所述第一处理气体中的反应抑制气体高的分压含有抑制所述反应的反应抑制气体、或不含有所述反应控制气体。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述(b)的工序中，在所述(b
‑
1)的工序之后进行所述(b
‑
2)的工序。3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述(b)的工序中，在所述(b
‑
2)的工序之后进行所述(b
‑
1)的工序。4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其中，在所述(b)的工序中，交替反复进行所述(b
‑
1)的工序和所述(b
‑
2)的工序。5.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其中，在所述(b)的工序中，根据通过蚀刻而在所述含硅膜上形成的凹部的深度、该凹部的长宽比以及蚀刻时间中的至少一者来进行所述(b
‑
1)的工序和所述(b
‑
2)的工序的切换。6.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其中，在所述(b
‑
1)的工序中，利用具有第一占空比的源RF信号的脉冲波，从所述第一处理气体生成等离子体，在所述(b
‑
2)的工序中，利用具有比所述第一占空比小的第二占空比的源RF信号的脉冲波，从所述第二处理气体生成等离子体。7.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述反应促进气体是选自含磷气体、含氮气体和含氢气体中的至少一种。8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，所述含磷气体是卤化磷气体。9.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，所述含氮气体是选自NH3气体、NF3气体、NO气体和NO2气体中的至少一种。10.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，所述含氢气体是具有OH基的气体。11.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述反应抑制气体是含氯气体。12.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其中，所述含氯气体是选自Cl2气体、SiCl2气体、SiH2Cl2气体、SiCl4气体、Si2Cl6气体、CHCl3气体、CCl4...
【专利技术属性】
技术研发人员：须田隆太郎，户村幕树，木原嘉英，三浦太树，朴宰永，福永裕介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。