半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上或在形成于半导体基板的下部电极上，形成电介质膜的工序；使金属选择性地附着在电介质膜的表面上的规定区域的工序；通过对金属实施热处理，在电介质膜的表面上的规定区域形成绝缘性的金属氧化膜的工序；以及在电介质膜的表面上的规定区域形成有金属氧化膜的状态下，在电介质膜上形成上部电极的工序。在电介质膜上形成上部电极的工序。在电介质膜上形成上部电极的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及一种半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1、2中公开了在半导体装置的制造工序中，在成为下部电极与上部电极之间的电容绝缘膜、栅极绝缘膜的电介质膜上，通过单原子层沉积(ALD：atomic layer deposition)法形成绝缘性的金属氧化膜的技术。通过绝缘性的金属氧化膜，能够降低电介质膜的泄漏电流。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2007－88301号公报
[0006]专利文献2：日本特开2012－80095号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]本公开提供了一种能够在不使电介质膜的电容等效膜厚(CET：Capacitance Equivalent Thickness)增大的情况下降低泄漏电流的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的一个方案的半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上或在形成于半导体基板的下部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上或在形成于半导体基板的下部电极上，形成电介质膜的工序；使金属选择性地附着在所述电介质膜的表面上的规定区域的工序；通过对所述金属实施热处理，在所述电介质膜的表面上的规定区域形成绝缘性的金属氧化膜的工序；以及在所述电介质膜的表面上的规定区域形成有所述金属氧化膜的状态下，在所述电介质膜上形成上部电极的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在使所述金属附着的工序中，使金属选择性地附着在包含在所述电介质膜的表面上露出的晶界的周缘的区域。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，在使所述金属附着的工序中，通过进行镀敷处理，使金属选择性地附着在包含在所述电介质膜的表面上露出的晶界的周缘的区域，所述镀敷处理是使用了经由存在于所述电介质膜中的晶界进行传导的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山浩二，田村知大，菲利普，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：