【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体基板的热氧化膜形成方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体基板的热氧化膜形成方法。
技术介绍
[0002]随着半导体集成电路元件的多层化、薄型化，要求构成元件的各种膜进一步薄膜化。例如专利文献1中记载了在硅晶圆的贴合中，所使用的硅晶圆需要表面具有OH基，使用通常的SC1清洗液进行清洗，则会在表面形成自然的氧化膜。此外，例如专利文献2刚开了一种提高MOS晶体管的栅极特性的方法，该方法在即将形成栅极氧化膜之前，对硅表面进行清洗，从而在氢封端化的基础上形成栅极绝缘膜。由此，为了在面内或基板间均匀且再现性良好地形成极薄的硅氧化膜，不可能无视预先形成在半导体基板上的自然氧化膜或化学氧化膜(通过半导体基板的清洗工序中所使用的清洗液而形成的氧化膜)的影响。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本特开平09
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063910号公报专利文献2：日本特开2000
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216156号公报专利文献3：日本特开2003
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115516号公报专利文献4：日本特开2002>‑
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其是在半导体基板上形成热氧化膜的方法，其特征在于，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个半导体基板，所述多个半导体基板具有由清洗而形成的化学氧化膜且所述化学氧化膜的构成各不相同，在相同的热氧化处理条件下对所述多个半导体基板进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出所述化学氧化膜的构成与所述热氧化膜的厚度的相关关系；清洗条件确定工序，其中，根据在所述相关关系获取工序中得到的所述相关关系，以使形成于作为形成热氧化膜的对象的半导体基板的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定所述化学氧化膜的构成，并同时确定形成具有所述确定出的化学氧化膜的构成的化学氧化膜的清洗条件；基板清洗工序，其中，在所述清洗条件确定工序中所确定的清洗条件下对所述半导体基板进行清洗；以及热氧化膜形成工序，其中，对于在所述基板清洗工序中进行了清洗的所述半导体基板，在与所述相关关系获取工序中的所述热氧化处理条件相同的条件下，对所述半导体基板进行热氧化处理，从而在所述半导体基板表面形成热氧化膜。2.一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其是在半导体基板上形成热氧化膜的方法，其特征在于，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个半导体基板，所述多个半导体基板具有由清洗而形成的化学氧化膜且所述化学氧化膜中所含的OH基的量各不相同，在相同的热氧化处理条件下对所述多个半导体基板进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出所述化学氧化膜中的OH基的量与所述热氧化膜的厚度的相关关系；清洗条件确定工序，其中，根据在所述相关关系获取工序中得到的所述相关关系，以使形成于作为形成热氧化膜的对象的半导体基板的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定所述化学氧化膜中的OH基的量，并同时确定形成具有所述确定出的OH基的量的化学氧化膜的清洗条件；基板清洗工序，其中，在所述清洗条件确定工序中所确定的清洗条件下对所述半导体基板进行清洗；以及热氧化膜形成工序，其中，对于在所述基板清洗工序中进行了清洗的所述半导体基板，在与所述相关关系获取工序中的所述热氧化处理条件相同的条件下，对所述半导体基板进行热氧化处理，从而在所述半导体基板表面形成热氧化膜。3.根据权利要求2所述的半导体基板的热氧化膜形成方法，其特征在于，所述OH基的量通过使用ATR测定用棱镜对所述化学氧化膜进行ATR
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FT
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IR测定并根据3300cm
‑1附近的OH基的吸光度而计算出。4.根据权利要求2或3所述的半导体基板的热氧化膜形成方法，其特征在于，在所述基板清洗工序之后且所述热氧化膜形成工序之前，进一步具有OH基的量的测定工序，其中，测定由所述基板清洗工序中进行的清洗而形成于所述半导体基板的化学氧化膜中所含的OH基的量。
5.一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其是在半导体基板上形成热氧化膜的方法，其特征在于，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个半导体基板，所述多个半导体基板具有由清洗而形成的化学氧化膜且所述化学氧化膜的构成元素的化学计量比各不相同，在相同的热氧化处理条件下对所述多个半导体基板进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出所述化学氧化膜的构成元素的化学计量比与所述热氧化膜的厚度的相关关系；清洗条件确定工序，其中，根据在所述相关关系获取工序中得到的所述相关关...
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