【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及程序
[0001]本公开涉及一种基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及程序。
技术介绍
[0002]作为半导体器件(半导体设备)的制造工序的一个工序，存在如下工序：在反应管内在基板的表面形成氧化膜。在该氧化膜形成工序中，有时将多张基板以隔开间隔的方式装载于反应室内，同时进行处理(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2010
‑
62528号公报
技术实现思路
[0006]多张基板在反应室内的配置场所不同，从而有时在基板形成的氧化膜的膜厚不同(负载效应：Loading effect)。为了解决该课题，需要维持反应室内的氧化气体的浓度的均匀性。因此，想到调整向反应室内供给的气体的流量，但为了使膜厚的均匀性提高，要求进一步的研究。
[0007]本公开是考虑上述事实而做成的，提供一种不管基板的配置位置如何，都能够使氧化膜的厚度的均匀性提高的技...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其具有：反应管，其具有供多张基板出入的底开口，用于处理所述多张基板；保持器具，其在所述反应管内使所述多张基板排列而保持于基板排列区域；第1喷嘴，其与所述基板排列区域中的供多个产品基板排列的第1区域相对应地配置，从与该第1区域相对应的多个部位向所述反应管内供给含氢气体；第2喷嘴，其与所述第1区域相对应地配置，从与该第1区域相对应的位置向所述反应管内供给含氧气体；第3喷嘴，其与第2区域相对应地配置，从与该第2区域相对应的位置向所述反应管内供给稀释气体，其中，所述第2区域与所述第1区域相比位于所述底开口侧，且供保持于所述保持器具的虚设基板或者隔热体排列；排气口，其对所述反应管内进行排气；以及控制部，其构成为能够控制从所述第1喷嘴供给的所述含氢气体的供给和从所述第3喷嘴供给的所述稀释气体的供给，以使得所述第2区域的所述含氢气体的浓度比所述第1区域的所述含氢气体的浓度低，所述第1喷嘴由多根多孔喷嘴构成，其中，该多根多孔喷嘴具有与在基板的排列方向上将包括所述第1区域但不包括所述第2区域的区域分割而成的分割区域相对应的喷射孔。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第3喷嘴的上端的喷射孔与所述第1喷嘴的下端的喷射孔之间的高度方向上的间隔比所述第1喷嘴的彼此相邻的喷射孔的间隔中任一间隔都大。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述反应管具有顶部气体供给部，该顶部气体供给部设置于作为与所述底开口相反一侧的封闭端的顶部，向所述反应管内供给非活性气体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，所述多根多孔喷嘴中的、具有最靠所述底开口侧的喷射孔的多孔喷嘴的喷射孔具有每单位长度的喷出量从所述反应管的顶部侧朝向所述底开口单调增加这样的开口或者间隔。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，还具备从所述反应管的顶部侧向所述反应管内供给稀释气体的气体供给口，所述排气口与所述第1区域相比设置于下方。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述分割区域以在该分割区域中排列25张或者25张的倍数的基板的方式分割。7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其中，还具备将所述第2区域的多个所述虚设基板或者隔热体一并覆盖的罩。8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其中，所述稀释气体是非活性气体或者含氧气体。9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第1喷嘴和所述第2喷嘴的喷射孔构成为，对于气体分子的从所述基板的缘朝向中心的移动中的、扩散的比例和对流的比例，含氧气体的对流的比例比含氢气体的对流的比例大。10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第1喷嘴的喷射孔和所述第2喷嘴的喷射孔中的至少一方在与基板平行的方向上开口。11.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第1喷嘴的喷射孔和所述第2喷嘴的喷射孔中的至少一方朝向基板的中心开口。12.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第1喷嘴的喷射孔的数量比所述第2喷嘴的喷射孔的数量少。13.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第2喷嘴的喷射孔至少与配置于所述第1区域的所述多个产品基板分别相对应地设置。14.根据权利要求3或9所述的基板处理装置，其中，所述第2喷嘴具...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木隆史，堀井贞义，槣原美香，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。