基片支承器、等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片支承器、等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够适当地调节支承于基片支承器的基片的温度，即使在高温区域中也能够维持静电吸附。本发明专利技术的支承基片的基片支承器包括：基座；上述基座上的第一陶瓷层；和上述第一陶瓷层上的第二陶瓷层，上述第一陶瓷层包括：第一陶瓷制的第一基体部；和内置于上述第一基体部，用于调节上述基片的温度的多个加热电极，上述第二陶瓷层包括：与上述第一陶瓷不同的第二陶瓷制的第二基体部；和内置于上述第二基体部，用于保持上述基片的吸附电极。用于保持上述基片的吸附电极。用于保持上述基片的吸附电极。

【技术实现步骤摘要】
基片支承器、等离子体处理装置和等离子体处理方法


[0001]本专利技术涉及基片支承器、等离子体处理装置和等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种温度控制机构，其包括：多组加热器 和晶闸管(Thyristor)，其与将载置基片的静电吸盘细分而得的多个区 域各自对应地分别设置至少一组；从上述多组晶闸管向加热器供给电 流的一个电源；以及至少一组滤波器，其设置于从上述一个电源向上 述多个加热器供给电功率的电源线，去除对该电源施加的高频电功率。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
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084350号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的技术适当地调节支承于基片支承器的基片的温度，在高 温区域中也维持静电吸附。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式是支承基片的基片支承器，其包括：基座；上 述基座上的第一陶瓷层；和上述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对基片进行支承的基片支承器，其特征在于，包括：基座；所述基座上的第一陶瓷层；和所述第一陶瓷层上的第二陶瓷层，所述第一陶瓷层包括：第一陶瓷制的第一基体部；和内置于所述第一基体部，用于调节所述基片的温度的多个加热电极，所述第二陶瓷层包括：与所述第一陶瓷不同的第二陶瓷制的第二基体部；和内置于所述第二基体部，用于保持所述基片的吸附电极。2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于：所述第一基体部包含多个区域，所述多个加热电极配置在所述多个区域的每个区域。3.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：所述第一陶瓷层包括内置于所述第一基体部并与所述多个加热电极分别连接的多个多层电气配线。4.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于：所述第一基体部是将多个陶瓷层层叠而成的多层结构体，在所述多个陶瓷层的各层之间具有至少一个所述加热电极。5.如权利要求4所述的基片支承器，其特征在于：所述多个陶瓷层是多个生片的烧结体。6.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：所述第二基体部是第二陶瓷的烧结体。7.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：所述第二陶瓷与所述第一陶瓷相比体积电阻高。8.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：在所述第一陶瓷层与所述第二陶瓷层之间具有含有无机粘接剂的接合层。9.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：所述第一陶瓷和所述第二陶瓷以相同的陶瓷为主成分。10.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：所述第二陶瓷与所述第一陶瓷相比纯度高。11.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：所述第二基体部在室温以上且350℃以下时体积电阻为1
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Ω以上。12.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：所述第二陶瓷含有质量百分比浓度为99.95％以上的氧化铝。13.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：所述第二陶瓷的介电常数为10以上且11以下。14.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：所述第一基体部的热膨胀系数与所述第二基体部的热膨胀系数之差为5ppm以下。...

【专利技术属性】
技术研发人员：川端淳史，小岩真悟，工藤恭久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：