清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置制造方法及图纸

本申请提供能够降低静电吸盘表面的带电量的技术。本申请提供基板的等离子体处理装置中的清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置。清洁方法具有(a)在等离子体处理装置的腔室内的静电吸盘上没有保持基板的状态下在腔室内生成等离子体的工序和(b)在生成(a)的等离子体的状态下向静电吸盘施加电压而降低静电吸盘表面的带电量的工序。低静电吸盘表面的带电量的工序。低静电吸盘表面的带电量的工序。

【技术实现步骤摘要】
清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置


[0001]本公开的示例性实施方式涉及清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]作为抑制静电吸盘表层因残留电荷导致吸附的技术，存在专利文献1中记载的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
56928号公报

技术实现思路

[0006]在清洁等离子体处理装置时，静电吸盘表面带电。本公开提供能够降低静电吸盘表面的带电量的技术。
[0007]在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种清洁方法，具有：(a)在等离子体处理装置的腔室内的静电吸盘上没有保持基板的状态下，在腔室内生成等离子体的工序；以及(b)在(a)的生成等离子体的状态下，向静电吸盘施加电压而降低静电吸盘表面的带电量的工序。
[0008]专利技术效果
[0009]根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供可降低静电吸盘表面的带电量的技术。
附图说明
[0010]图1是概本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洁方法，所述清洁方法是在对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置中的清洁方法，具有：(a)在等离子体处理装置的腔室内的静电吸盘上没有保持基板的状态下，在腔室内生成等离子体的工序；以及(b)在所述(a)的生成等离子体的状态下，向静电吸盘施加电压而降低静电吸盘表面的带电量的工序。2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，所述(a)包含供给等离子体生成用的电力的工序，在所述(a)中开始供给等离子体生成用的电力后，开始所述(b)中的向所述静电吸盘施加电压，在所述(a)中停止供给等离子体生成用的电力前，停止所述(b)中的向所述静电吸盘施加电压。3.根据权利要求1或2所述的清洁方法，其中，在所述(a)之前，具有供给等离子体生成用的气体的工序，在所述(a)中开始供给等离子体生成用的气体后，开始所述(b)中的向所述静电吸盘施加电压，在所述(a)中停止供给等离子体生成用的气体前，停止所述(b)中的向所述静电吸盘施加电压。4.根据权利要求1～3中任一项所述的清洁方法，还具有：(c)在所述(a)的生成等离子体的状态下，测量静电吸盘表面的带电状态的工序，基于在所述(c)中测量的静电吸盘表面的带电状态确定在所述(b)中施加于所述静电吸盘的电压。5.根据权利要求4所述的清洁方法，其中，基于静电吸盘表面的带电状态与在该静电吸盘表面的带电状态中应当施加于静电吸盘的电压的关系，根据所述(c)中的静电吸盘表面的带电状态的测量结果确定所述(b)中的施加于所述静电吸盘的电压。6.根据权利要求1～5中任一项所述的清洁方法，其中，在所述(a)中，在腔室内生成等离子体而清洁腔室内的静电吸盘的表面。7.根据权利要求1～5中任一项所述的清洁方法，其中，在所述(a)中，在腔室内生成等离子体而清洁腔室的内部。8.根据权利要求1～5中任一项所述的清洁方法，具有：(a1)在等离子体处理装置的腔室内的静电吸盘上没有保持基板的状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：青木裕介，伊藤骏，布施吉贵，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：