【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开了一种基板支承台，其具有载置环状部件的环状部件载置面和构成为能够从所述环状部件载置面突出的3根以上的升降器。根据专利文献1的记载，在所述环状部件的底面中的与所述升降器分别对应的位置设置有由向上方凹陷的凹面形成的凹部，在俯视时，所述凹部形成为比所述环状部件向所述环状部件载置面的上方的输送精度大，且比所述升降器的上端部大。另外，所述升降器的上端部形成为半球状，所述凹面形成为曲率比所述升降器的上端部的形成所述半球状的凹面小。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2021
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141313号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的课题
[0007]本专利技术的技术提供一种能够进行环组件相对于基板支承部的适当的定位的等离子体处理装置。
[0008]用于解决课题的方法
[0009]本专利技术的一个技术方案...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；配置在所述等离子体处理腔室内的具有基板支承面和环支承面的基板支承部；配置在所述环支承面上的具有至少3个贯通孔的绝缘性环，所述至少3个贯通孔分别具有上侧孔部分和下侧孔部分，所述上侧孔部分具有所述绝缘性环的径向上的第1宽度和所述绝缘性环的周向上的第2宽度，所述第2宽度比所述第1宽度小，所述下侧孔部分具有从横向观察时向下方扩展的喇叭形状；由所述绝缘性环支承的在下表面具有与所述至少3个贯通孔分别对应的至少3个槽的导电性环，所述至少3个槽分别具有所述导电性环的径向上的第3宽度和所述导电性环的周向上的第4宽度，所述第4宽度比所述第3宽度小；和配置在所述环支承面的下方的与所述至少3个槽分别对应的至少3个升降销，所述至少3个升降销分别具有上侧支承部分和下侧支承部分，所述上侧支承部分构成为通过经由所述绝缘性环的所述贯通孔与所述导电性环的所述槽的底面接触而从下方支承所述导电性环，所述下侧支承部分构成为通过与规定所述下侧孔部分的所述绝缘性环的倾斜面接触而从下方支承所述绝缘性环；和构成为使所述至少3个升降销在纵向移动的至少1个致动器。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述升降销的所述下侧支承部分构成为在所述绝缘性环的周向上不与所述倾斜面接触，而在所述绝缘性环的径向上与所述倾斜面以2点接触。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述绝缘性环的所述至少3个贯通孔从上方观察分别具有矩形形状。4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述上侧支承部分具有圆柱形状，该圆柱形状具有比所述第2宽度小的第1直径，所述下侧支承部分具有圆柱形状，该圆柱形状具有比所述第2宽度大的第2直径。5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述升降销的所述上侧支承部分的前端具有半球形状。6.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述升降销的所述上侧支承部分的前端具有平坦面。7.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导电性环的所述至少3个槽分别由平坦底面、从所述平坦底面向下方延伸的垂直侧面、和从所述垂直侧面向下方扩展的喇叭状侧面所规定。8.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导电性环的所述至少3个槽分别由弯曲底面所规定。9.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导电性环的所述至少3个槽分别由平坦底面、和从所述平坦底面向下方扩展的喇叭状侧面规定。10.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述导电性环的所述至少3个槽分别具有：具有能够与所述升降销的所述上侧支承部分的前端嵌合的形状的底面；和
从所述底面向下方扩展的喇叭状侧面。11.如权利要求1～10中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：还包括以包围所述导电性环和所述绝缘性环的周围的方式配置的追加的导电性环，所述追加的导电性环的至...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤秀征，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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