等离子体处理装置和气体供给方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供控制等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置和气体供给方法。本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理室，其具有构成为能够支承基片的基片支承部；具有多个气体导入部的喷淋头，其中，上述多个气体导入部构成为能够分别向上述等离子体处理室内的各区域导入气体；气体供给部，其构成为能够向多个上述气体导入部供给气体；等离子体生成部，其构成为能够生成上述气体的等离子体；和控制部，其构成为能够至少控制上述气体供给部，上述气体供给部包括：气体单元，其构成为能够向多个上述气体导入部供给共用气体；和注入单元，其构成为能够向多个上述气体导入部中的所选择的上述气体导入部供给注入气体，上述控制部控制上述注入单元，以使得将2种以上的上述注入气体供给到2个不同的上述气体导入部。的上述气体导入部。的上述气体导入部。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和气体供给方法


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置和气体供给方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种具有喷淋头的基片处理装置，该喷淋头具有向腔室内的中心区域导入气体的第一气体导入部、向腔室内的边缘区域导入气体的第二气体导入部和比第二气体导入部更向外侧区域导入气体的第三气体导入部。另外，公开了第一气体导入部和第二气体导入部将处理气体导入腔室内。另外，公开了第三气体导入部利用切换阀切换处理气体或附加气体而将其导入腔室内。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
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117477号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]在一个方面，本专利技术提供控制等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置和气体供给方法。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]为了解决上述技术问题，依照一个方式，提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理室，其具有构成为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理室，其具有构成为能够支承基片的基片支承部；具有多个气体导入部的喷淋头，其中，所述多个气体导入部构成为能够分别向所述等离子体处理室内的各区域导入气体；气体供给部，其构成为能够向多个所述气体导入部供给气体；等离子体生成部，其构成为能够生成所述气体的等离子体；和控制部，其构成为能够至少控制所述气体供给部，所述气体供给部包括：气体单元，其构成为能够向多个所述气体导入部供给共用气体；和注入单元，其构成为能够向多个所述气体导入部中的所选择的所述气体导入部供给注入气体，所述控制部控制所述注入单元，以使得将2种以上的所述注入气体供给到2个不同的所述气体导入部。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述注入单元构成为能够按每个所述气体导入部选择所述注入气体的气体种类。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述注入单元构成为能够按每个所述气体导入部调整所述注入气体的流量。4.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述控制部反复进行第一步骤和第二步骤来对所述基片...

【专利技术属性】
技术研发人员：四本松康太，荒卷昂，李黎夫，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：