基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置和基片处理方法，在使用具有环部件的基片处理装置的基片处理中，抑制由环部件的温度引起的不良情况发生，其中，该环部件包围载置台的载置面的周围。处理基片的基片处理装置包括：在内部处理上述基片的处理腔室；构成该处理腔室的腔室壁部；设置在上述处理腔室的内部，具有载置上述基片的载置面的载置台；以包围上述载置面的外周的方式配置的环部件；第一流路，其设置在上述环部件以外的、该基片处理装置的构成部件的内部，供温度调节介质流通；和第二流路，其设置在上述环部件的内部，以流体能够流通的方式与上述第一流路连接。第一流路连接。第一流路连接。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法


[0001]本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开有在处理容器内与载置基片的载置台相对地配置，具有喷出处理气体的喷淋头的基片处理装置。在该基片处理装置中，在喷淋头的基体部件、处理容器的容器主体的侧壁部分和载置台分别形成有流路，关于各流路，分别设定了温度的流动性热介质单独地从冷却单元在其中循环。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
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114653号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的技术是在使用具有环部件的基片处理装置的基片处理中，抑制由环部件的温度引起的不良情况发生，其中环部件包围载置台的载置面的周围。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式为处理基片的基片处理装置，其包括：在内部处理上述基片的处理腔室；构成该处理腔室的腔室壁部；设置在上述处理腔室的内部，具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理基片的基片处理装置，其特征在于，包括：在内部处理所述基片的处理腔室；构成该处理腔室的腔室壁部；设置在所述处理腔室的内部，具有载置所述基片的载置面的载置台；以包围所述载置面的外周的方式配置的环部件；第一流路，其设置在所述环部件以外的、该基片处理装置的构成部件的内部，供温度调节介质流通；和第二流路，其设置在所述环部件的内部，以流体能够流通的方式与所述第一流路连接。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，包括：腔室侧流路，其设置在所述腔室壁部的内部，供第一温度调节介质流通；和载置台侧流路，其设置在所述载置台的内部，供第二温度调节介质流通。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述第一流路是所述腔室侧流路，设置有所述腔室侧流路的所述腔室壁部为侧壁部或底壁部中的至少任一者。4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述第一流路是所述腔室侧流路，设置有所述腔室侧流路的所述腔室壁部为顶板部。5.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述第一流路是所述载置台侧流路。6.如权利要求2～5中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述第一温度调节介质和所述第二温度调节介质分别独立地进行温度控制。7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：所述第一温度调节介质被温度控制为比所述第二温度调节介质高的温度。8.如权利要求1～7中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：在所述环部件的上表面配置有包围所述载置面的环状的整流壁。9.如权利要求1～7中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述环部件与包围所述载置面的环状的整流壁形成为一体。10.如权利要求1～9中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述环部件的至少内...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中诚治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：