本发明专利技术提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。偏置功率。偏置功率。
【技术实现步骤摘要】
基片支承部和等离子体处理装置
[0001]本专利技术涉及基片支承部和等离子体处理装置。
技术介绍
[0002]一直以来，在等离子体处理装置中，为了保持基片而使用进行静电吸附的静电吸盘。在静电吸盘内设置静电吸附用的电极，通过从直流电源对该电极施加电压来吸附静电吸盘上的基片。另外，在等离子体处理装置中，为了供给偏置功率，例如将高频电源连接到支承静电吸盘的电介质膜的基材(专利文献1)。另外，为了供给偏置功率，例如，在电介质膜内部设置内周部电极和外周部电极，将高频电源连接到内周部电极和外周部电极(专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利申请公开第2019/0295823号说明书
[0006]专利文献2：美国专利申请公开第2019/0237300号说明书
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]本专利技术的一方面的基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。
[0011]专利技术效果
[0012]依照本专利技术，能够使偏置功率的低频侧的效率提高。
附图说明
[0013]图1是表示本专利技术的第一实施方式中的等离子体处理装置的一例的图。
[0014]图2是表示本实施方式和参考例中的静电吸盘和等离子体的等效电路的一例的图。
[0015]图3是表示偏置功率的供给的实验结果的一例的图。
[0016]图4是表示偏置功率的供给的实验结果的一例的图。
[0017]图5是表示蚀刻处理的实验结果的一例的图。
[0018]图6是表示将基座与偏置电极电绝缘时的向偏置电极的连接的一例的图。
[0019]图7是表示变形例1的将基座与偏置电极电绝缘时的向偏置电极的连接的一例的图。
[0020]图8是表示变形例2的将基座与偏置电极电连接时的向偏置电极的连接的一例的图。
[0021]图9是表示变形例3的将基座与偏置电极电连接时的向偏置电极的连接的一例的图。
[0022]图10是表示基座、偏置电极和基片的各电位的图像的一例的图。
[0023]图11是表示变形例4的将基座与偏置电极电连接时的向偏置电极的连接的一例的图。
[0024]图12是表示变形例5的将基座与偏置电极电连接时的向偏置电极的连接的一例的图。
[0025]图13是表示变形例6的将基座与偏置电极电连接时的向偏置电极的连接的一例的图。
[0026]图14是表示第二实施方式中的静电吸盘的一例的局部截面图。
[0027]图15是表示俯视时的静电电极的一例的截面图。
[0028]图16是表示俯视时的偏置电极的第一层的一例的截面图。
[0029]图17是表示俯视时的偏置电极的第二层的一例的截面图。
[0030]图18是表示俯视时的偏置电极的第三层的一例的截面图。
[0031]图19是表示俯视时的向静电电极的供给层的一例的截面图。
[0032]图20是表示第二实施方式中的环组件附近的鞘电位的一例的图。
[0033]图21是表示第二实施方式中的实验结果的一例的图。
[0034]附图标记说明
[0035]1等离子体处理装置
[0036]10 等离子体处理腔室
[0037]11 基片支承部
[0038]31a第一RF生成部
[0039]31b第二RF生成部
[0040]33、34、330偏置电极
[0041]33a、337端子
[0042]80贯通孔
[0043]80a、80b孔
[0044]80c铆接部
[0045]82、82a插接件端子
[0046]83、87c供电线
[0047]84、87b接合端子
[0048]86、86a、87粘合剂
[0049]87a 板簧
[0050]111 主体部
[0051]111a 中央区域
[0052]111b 环状区域
[0053]112 环组件
[0054]331 第一层
[0055]332 第二层
[0056]333 第三层
[0057]334～336通孔
[0058]350 供给层
[0059]1110 基座
[0060]1111 静电吸盘
[0061]1111a陶瓷部件
[0062]1111b、1111d静电电极
[0063]1111c加热电极
[0064]1112 粘合层
[0065]1120 边缘环
[0066]1121 覆盖环
[0067]W基片。
具体实施方式
[0068]下面，基于附图，对公开的基片支承部和等离子体处理装置的实施方式详细地进行说明。另外，公开技术不由以下的实施方式限定。
[0069]在将高频电源连接于基座来供给偏置功率的情况下，为了提高蚀刻速率而考虑提高基片上的电压(Vpp)。但是，在从高频电源经由等离子体至上部电极的回路中，由基座与静电吸盘内的加热电极之间的静电电容带来的串联的分压量对基片上的Vpp的提高没有帮助而会消耗无用的功率。而且，在该回路中，对基座供给的偏置功率的电压变高，回路的各部件所要求的耐压也变高。特别是，在偏置功率的频率低的情况下，影响变大。因此，人们希望降低对基座供给的偏置功率的电压，并且提高偏置功率的低频侧的效率。
[0070](第一实施方式)
[0071][等离子体处理系统的结构][0072]以下，对等离子体处理系统的结构例进行说明。图1是表示本专利技术的第一实施方式中的等离子体处理装置的一例的图。如图1所示，等离子体处理系统包含电感耦合型的等离子体处理装置1和控制部2。即，电感耦合型的等离子体处理装置1是ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)方式的等离子体处理装置。电感耦合型的等离子体处理装置1包含等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30和排气系统40。等离子体处理腔室10是处理容器的一例，包含电介质窗。另外，等离子体处理装置1包含基片支承部11、气体导入部和天线14。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内。天线14配置在等离子体处理腔室10上或其上方(即，电介质窗101上或其上方)。等离子体处理腔室10具有由电介质窗101、等离子体处理腔室10的侧壁102和基片支承部11规定的等离子体处理空间10本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种能够配置在处理容器内的基片支承部，其特征在于，包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从所述第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承所述静电吸盘的基座，所述第二电极配置在至所述第一支承面的距离为至所述基座的距离以下的位置，对所述第一电极能够施加用于吸附所述基片的电压，对所述第二电极能够供给偏置功率。2.根据权利要求1所述的基片支承部，其特征在于：所述基座由导电性部件形成。3.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：所述第二电极配置在至所述第一支承面的距离比至所述基座的距离短的位置。4.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：所述静电吸盘在内部还具有加热电极，所述第二电极配置在所述第一电极与所述加热电极之间。5.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：所述静电吸盘具有以包围所述第一支承面的方式设置，支承边缘环的第二支承面，并且从所述第二支承面侧起依次在内部具有第三电极和第四电极，所述第四电极配置在至所述第二支承面的距离为至所述基座的距离以下的位置，对所述第三电极能够施加用于吸附所述边缘环的电压，对所述第四电极能够供给偏置功率。6.根据权利要求5所述的基片支承部，其特征在于：所述第三电极与所述第一电极为一体的。7.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：所述静电吸盘具有以包围所述第一支承面的方式设置，支承边缘环的第二支承面，并且在所述第二支承面的内部具有第四电极，所述第四电极配置在至所述第二支承面的距离为至所述基座的距离以下的位置，对所述第四电极能够供给偏置功率。8.根据权利要求5所述的基片支承部，其特征在于：所述第四电极配置在至所述第二支承面的距离比至所述基座的距离短的位置。9.根据权利要求5所述的基片支承部，其特征在于：所述第四电极与所述第二电极为一...
【专利技术属性】
技术研发人员：石川真矢，针生大辉，佐藤隆彦，永井力，津田垒文，丰田启吾，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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