基片处理方法和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理方法和基片处理装置，能够抑制生产率的恶化，并且除去在蚀刻基片表面的钼膜时产生的反应生成物。对多个基片按每个上述基片依次进行处理的基片处理方法中，上述基片在表面具有钼膜，上述基片处理方法包括：(A)将上述基片送入处理容器的内部并载置到载置台的步骤；(B)在上述(A)步骤之后，将含氟的第一处理气体等离子体化而蚀刻上述钼膜的步骤；(C)在上述(B)步骤之后，将含氯的第二处理气体等离子体化而蚀刻上述钼膜的步骤；和(D)在上述(A)步骤与上述(B)步骤之间，在上述处理容器的内部生成上述第一处理气体的等离子体，对上述处理容器的内部进行清洁的步骤，持续进行上述(D)步骤，直至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。等离子体光的发光强度不再变化为止。等离子体光的发光强度不再变化为止。

【技术实现步骤摘要】
基片处理方法和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及基片处理方法和基片处理装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1所公开的蚀刻装置的清洁方法中，在每当蚀刻一个具有金属膜的试样时，调换仿真基片和试样。在该方法中，通过成为第一步骤的氧与四氟化碳的等离子体处理除去碳系物质的沉积物，通过成为第二步骤的三氯化硼与氯的等离子体处理来除去没能够在第一步骤中除去的残留物和金属膜，进行真空容器内的清洁。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2006
‑
237432号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术所涉及的技术抑制生产率的恶化，并且将在蚀刻基片表面的钼膜时产生的反应生成物除去。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式是对多个基片按每个上述基片依次进行处理的基片处理方法，上述基片在表面具有钼膜，上述基片处理方法包括：(A)将上述基片送入处理容器的内部并载置到载置台的步骤；(B)在上述(A)步骤之后，将含氟的第一处理气体等离子体化而蚀刻上述钼膜的步骤；(C)在上述(B)步骤之后，将含氯的第二处理气体等离子体化而蚀刻上述钼膜的步骤；和(D)在上述(A)步骤与上述(B)步骤之间，在上述处理容器的内部生成上述第一处理气体的等离子体，对上述处理容器的内部进行清洁的步骤，持续进行上述(D)步骤，直至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，能够抑制生产率的恶化，并且将在蚀刻基片表面的钼膜时产生的反应生成物除去。
附图说明
[0012]图1是表示作为本实施方式的基片处理装置的等离子体处理装置的概要结构的纵剖视图。
[0013]图2是表示作为图1的等离子体处理装置的处理对象的基片的剖视图。
[0014]图3是用于说明利用图1的等离子体处理装置进行的基片处理的一例的流程图。
[0015]图4是表示基片处理中的基片的状态的图。
[0016]图5是表示基片处理中的基片的状态的图。
[0017]图6是表示在比较例的步骤S3中的利用第一处理气体的等离子体蚀刻钼膜时由发
光监视器检测出的、特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。
[0018]图7是表示在实施例的步骤S2中的利用第一处理气体进行等离子体的清洁和与步骤S2连续地进行的步骤S3中的利用该等离子体蚀刻钼膜时由发光监视器检测出的、特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。
[0019]图8是表示在比较例的步骤S4中的利用第二处理气体蚀刻等离子体钼膜时由发光监视器检测出的、特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。
[0020]图9是表示在实施例中与图8同样地检测出的特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。
[0021]附图标记说明
[0022]1等离子体处理装置
[0023]30载置台
[0024]C处理容器
[0025]F1钼膜
[0026]G玻璃基片
[0027]U控制部。
具体实施方式
[0028]在制造液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)时，有时利用等离子体对形成于玻璃基片等基片表面的钼(Mo)膜进行蚀刻。Mo膜的蚀刻在基片载置于基片处理装置的处理容器内的载置台的状态下进行。
[0029]然而，当对Mo膜进行蚀刻时，产生反应生成物。对于一个基片，在Mo膜的蚀刻结束后，在该反应生成物残留于处理容器内的状态下，若对下一个基片进行蚀刻，则有时会出现在基片上产生缺陷等问题。因此，实施除去处理容器内的反应生成物的清洁。
[0030]作为清洁方法，有如下方法：在蚀刻结束后，将处理容器内的基片调换为仿真基片并将其载置到载置台，在该状态下生成清洁用气体的等离子体，除去处理容器内的反应生成物。另外，也存在不使用仿真基片的清洁方法。在该方法中，在将蚀刻后的基片从处理容器送出后，在送入下一个基片之前，生成清洁用气体的等离子体，除去处理容器内的反应生成物。
[0031]然而，在使用仿真基片的方法中，由于存在通常的产品用的基片与仿真基片的调换所需的时间等，因此生产率恶化。另外，在不使用仿真基片的方法中，由于载置台的基片载置面暴露于等离子体，因此无法提高等离子体的强度，因此处理容器内的反应生成物的除去需要时间。所以，不使用仿真基片的方法在生产率方面也存在改善的余地。
[0032]因此，本专利技术所涉及的技术抑制生产率的恶化，并且将在蚀刻基片表面的钼膜时产生的反应生成物除去。
[0033]以下，参照附图，对本实施方式所涉及的基片处理方法和基片处理装置进行说明。注意，在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
[0034]<等离子体处理装置1>
[0035]图1是表示作为本实施方式的基片处理装置的等离子体处理装置的概要结构的纵
剖视图。图2是表示作为图1的等离子体处理装置的处理对象的基片的剖视图。
[0036]图1的等离子体处理装置1是对多个基片按每个基片依次进行处理的单片式的装置。作为等离子体处理装置1的处理对象的基片是俯视成矩形的玻璃基片G(以下，称为“基片G”)。如图2所示，在基片G的表面形成有钼(Mo)膜F1。
[0037]等离子体处理装置1利用处理气体的等离子体对基片G进行处理，来蚀刻Mo膜F1。
[0038]在本实施方式中，Mo膜F1形成于栅极绝缘(GI)膜F2上，被等离子体处理装置1蚀刻以作为栅极电极发挥功能。GI膜F2例如是硅系绝缘膜。在Mo膜F1上形成有作为蚀刻掩模的光致抗蚀剂(PR)膜F3。
[0039]另外，Mo膜F1的厚度例如为200nm～300nm。
[0040]如图1所示，等离子体处理装置1具有有底的方筒形状的容器主体10。容器主体10由导电性材料例如铝形成，并电接地。另外，在容器主体10的上表面形成有开口。该开口被与容器主体10绝缘设置的矩形形状的金属窗20气密地封闭，具体而言，被金属窗20和后述的金属框14气密地封闭。由容器主体10和金属窗20包围的空间成为作为等离子体处理的处理对象的基片G在等离子体处理时所处的处理空间K1，金属窗20的上方侧的空间成为配置后述的高频天线(等离子体天线)80的天线室K2。在容器主体10的侧壁设置有用于向处理空间K1内送入送出基片G的送入送出口11和开闭送入送出口11的闸门(gate valve)12。
[0041]在处理空间K1的下部侧以与金属窗20相对的方式设置有载置台30。载置台30具有其上表面成为载置基片G的基片载置面的台主体31，台主体31经由脚部32设置于容器主体10的底面。
[0042]台主体31设置有由导电性材料例如铝构成的基部31a和通过静电吸附保持基片G的静电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对多个基片按每个所述基片依次进行处理的基片处理方法，其特征在于：所述基片在表面具有钼膜，所述基片处理方法包括：(A)将所述基片送入处理容器的内部并载置到载置台的步骤；(B)在所述(A)步骤之后，将含氟的第一处理气体等离子体化而蚀刻所述钼膜的步骤；(C)在所述(B)步骤之后，将含氯的第二处理气体等离子体化而蚀刻所述钼膜的步骤；和(D)在所述(A)步骤与所述(B)步骤之间，在所述处理容器的内部生成所述第一处理气体的等离子体，对所述处理容器的内部进行清洁的步骤，持续进行所述(D)步骤，直至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：连续地实施所述(D)步骤和所述(B)步骤。3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：所述第一处理气体包含六氟化硫气体，所述第二处理气体包含氯气。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(D)步骤中，所述基片暴露于所述第一处理气体的等离子体。5.一种对多个基片按每个所述基片依次进行处理的基片处理装置，其特征在于，包括：载置台，其能...

【专利技术属性】
技术研发人员：小滨直道，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：