公开的是等离子体导流板、衬底处理装置和衬底处理方法。所述等离子体导流板包括：下环；上环，所述上环在俯视图中位于所述下环外部并且垂直地延伸；以及中间环，所述中间环从所述下环延伸到所述上环以相对于水平方向形成锐角。所述下环包括：下中央孔，所述下中央孔垂直地穿过所述下环的中心；以及多个下狭缝，所述多个下狭缝位于所述下中央孔外部并且垂直地穿透所述下环。所述中间环提供将所述中间环的内侧表面连接到所述中间环的外侧表面的中间狭缝。所述多个下狭缝与所述下环的面积比等于或大于大约59％。或大于大约59％。或大于大约59％。
【技术实现步骤摘要】
等离子体导流板、衬底处理装置以及衬底处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年1月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0013339的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。
[0003]本专利技术构思的一些实施例涉及等离子体导流板、包括该等离子体导流板的衬底处理装置以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法，并且更具体地，涉及能够提高流速以有效去除衬底上的异物的等离子体导流板、包括该等离子体导流板的衬底处理装置以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法。
技术介绍
[0004]可以通过各种工艺来制造半导体器件。例如，可以通过对硅晶片执行的光刻工艺、蚀刻工艺和沉积工艺来制造半导体器件。可以在此类工艺中使用各种流体。例如，可以在蚀刻工艺和/或沉积工艺中使用等离子体。可能需要在工艺期间控制等离子体的位置。可以利用等离子体导流板来控制等离子体分配并且排出蒸气。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的一些实施例提供一种能够去除通过处理衬底而生成的异物的等离子体导流板、一种包括该等离子体导流板的衬底处理装置以及一种使用该衬底处理装置的衬底处理方法。
[0006]本专利技术构思的一些实施例提供一种能够提高对衬底的蚀刻良品率(yield)的等离子体导流板、一种包括该等离子体导流板的衬底处理装置以及一种使用该衬底处理装置的衬底处理方法。
[0007]本专利技术构思的一些实施例提供一种能够在将等离子体限制在优选区域内的同时提高流体的移动速度的等离子体导流板、一种包括该等离子体导流板的衬底处理装置以及一种使用该衬底处理装置的衬底处理方法。
[0008]本专利技术构思的一些实施例提供一种能够在圆周方向上独立地控制流速的等离子体导流板、一种包括该等离子体导流板的衬底处理装置以及一种使用该衬底处理装置的衬底处理方法。
[0009]本专利技术构思的目的不限于上面提及的，并且本领域技术人员将从以下描述清楚地理解上面尚未提及的其他目的。
[0010]根据本专利技术构思的一些实施例，等离子体导流板可以包括：下环；上环，所述上环在俯视图中位于所述下环外部并且垂直地延伸；以及中间环，所述中间环从所述下环延伸到所述上环以相对于水平方向形成锐角。所述下环可以包括：下中央孔，所述下中央孔垂直地穿过所述下环的中心；以及多个下狭缝，所述多个下狭缝位于所述下中央孔外部并且垂直地穿透所述下环。所述中间环可以提供将所述中间环的内侧表面连接到所述中间环的外
侧表面的中间狭缝。所述多个下狭缝与所述下环的面积比可以等于或大于大约59％。
[0011]根据本专利技术构思的一些实施例，衬底处理装置可以包括：载物台；以及等离子体导流板，所述等离子体导流板围绕所述载物台。所述载物台可以包括：卡盘，所述卡盘被构造为支撑衬底；以及聚焦环，所述聚焦环围绕所述卡盘。所述等离子体导流板可以包括：下环；以及中间环，所述中间环从所述下环的边缘向外延伸以相对于水平方向形成锐角。所述下环可以包括：下中央孔，所述下中央孔垂直地穿过所述下环的中心；以及下狭缝，所述下狭缝位于所述下中央孔外部并且垂直地穿透所述下环。所述中间环可以提供将所述中间环的内侧表面连接到所述中间环的外侧表面的中间狭缝。所述下狭缝的长度可以大于所述中间狭缝的长度。所述下狭缝的宽度可以与所述中间狭缝的宽度相同。
[0012]根据本专利技术构思的一些实施例，衬底处理方法可以包括：将衬底放置到衬底处理装置中；在所述衬底处理装置中对所述衬底执行蚀刻工艺；从所述衬底处理装置排出流体；以及在所述衬底处理装置中对所述衬底执行沉积工艺。对所述衬底执行所述蚀刻工艺的步骤可以包括：向所述衬底处理装置供应第一工艺气体；以及向所述衬底处理装置的卡盘施加第一射频(RF)功率。向所述衬底处理装置供应所述第一工艺气体的步骤可以包括使得一部分所述第一工艺气体能够通过围绕所述卡盘的等离子体导流板逸出。所述等离子体导流板可以包括：下环；以及中间环，所述中间环从所述下环的边缘向外延伸以相对于水平方向形成锐角。所述下环可以提供垂直地穿透所述下环并且在径向方向上延伸的下狭缝。所述中间环可以提供将所述中间环的内侧表面连接到所述中间环的外侧表面的中间狭缝。所述下狭缝的长度与宽度之比可以为大约9至大约16。所述长度可以是在所述径向方向上测得的。所述宽度可以是在圆周方向上测得的。
[0013]其他示例实施例的细节被包括在说明书和附图中。
附图说明
[0014]图1图示了示出根据本专利技术构思的一些实施例的衬底处理装置的横截面视图。
[0015]图2图示了示出根据本专利技术构思的一些实施例的等离子体导流板的立体图。
[0016]图3图示了部分地示出根据本专利技术构思的一些实施例的等离子体导流板的放大剖切立体图。
[0017]图4图示了示出根据本专利技术构思的一些实施例的等离子体导流板的横截面视图。
[0018]图5图示了示出根据本专利技术构思的一些实施例的等离子体导流板的放大横截面视图。
[0019]图6图示了示出根据本专利技术构思的一些实施例的等离子体导流板的俯视图。
[0020]图7图示了示出图6的部分X的放大俯视图。
[0021]图8图示了示出根据本专利技术构思的一些实施例的衬底处理方法的流程图。
[0022]图9至图15图示了示出根据图8的流程图的衬底处理方法的横截面视图。
[0023]图16图示了示出根据本专利技术构思的一些实施例的等离子体导流板的俯视图。
具体实施方式
[0024]下文现在将参考附图描述本专利技术构思的一些实施例。在整个描述中，相似的附图标记可以指示相似的部件。在附图中，为了清楚，可以夸大各层和各区域的尺寸和相对尺
寸。尽管不同的图示出了示例性实施例的变化，但是这些图不一定旨在彼此相互排斥。相反，如将从以下详细描述的上下文看到的，当将各图及其描述作为一个整体考虑时，在不同的图中描绘和描述的某些特征能够与来自其他图的其他特征组合以产生各种实施例。在确定本专利技术的要求时，应当引用权利要求的语言。
[0025]图1图示了示出根据本专利技术构思的一些实施例的衬底处理装置的横截面视图。
[0026]在本描述中，符号D1可以指示第一方向，符号D2可以指示与第一方向D1相交的第二方向，并且符号D3可以指示与第一方向D1和第二方向D2中的每一者相交的第三方向。可以将第一方向D1称作垂直方向。可以将第二方向D2和第三方向D3中的每一者称为水平方向。例如，第一方向D1、第二方向D2和第三方向D3可以彼此垂直。
[0027]参考图1，可以提供衬底处理装置A。衬底处理装置A可以是使用等离子体来处理衬底的设备。衬底可以包括或者可以是硅(Si)晶片，但是本专利技术构思不限于此。衬底处理装置A可以被构造为使得等离子体被用于对衬底执行蚀刻工艺和/或沉积工艺。例如，衬底处理装置A可以执行Bosch工艺，在所述Bosch工艺中等离子体被用于对衬底重复地执行蚀刻工艺和本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体导流板，包括：下环；上环，所述上环在俯视图中位于所述下环外部并且垂直地延伸；以及中间环，所述中间环从所述下环延伸到所述上环以相对于水平方向形成锐角，其中，所述下环包括：下中央孔，所述下中央孔垂直地穿过所述下环的中心；以及多个下狭缝，所述多个下狭缝位于所述下中央孔外部并且垂直地穿透所述下环，其中，所述中间环提供将所述中间环的内侧表面连接到所述中间环的外侧表面的中间狭缝，并且其中，所述多个下狭缝与所述下环的面积比等于或大于大约59％。2.根据权利要求1所述的等离子体导流板，其中，所述中间狭缝的长度与宽度之比为大约3.5至大约5.5，所述长度是在所述中间环的延伸方向上测得的，并且所述宽度是在所述中间环的圆周方向上测得的。3.根据权利要求1所述的等离子体导流板，其中，所述中间狭缝在所述中间环的圆周方向上的宽度与所述多个下狭缝中的每一个下狭缝在所述下环的圆周方向上的宽度相同。4.根据权利要求1所述的等离子体导流板，其中，所述多个下狭缝中的每一个下狭缝的长度与宽度之比为大约9至大约16，所述长度是在所述下环的径向方向上测得的，并且所述宽度是在所述下环的圆周方向上测得的。5.根据权利要求1所述的等离子体导流板，其中，所述中间环包括多个中间狭缝，其中，所述多个中间狭缝在所述中间环的圆周方向上彼此间隔开，并且其中，所述多个中间狭缝的数目大于所述多个下狭缝的数目。6.根据权利要求1所述的等离子体导流板，其中，所述多个下狭缝中的每一个下狭缝在所述下环的圆周方向上的宽度等于或小于大约3mm。7.根据权利要求1所述的等离子体导流板，其中，所述中间狭缝的厚度与所述多个下狭缝中的每一个下狭缝的厚度相同。8.根据权利要求1所述的等离子体导流板，其中，所述多个下狭缝包括：第一下狭缝；以及第二下狭缝，所述第二下狭缝在所述下环的圆周方向上与所述第一下狭缝间隔开，其中，所述第一下狭缝在所述下环的径向方向上的第一长度不同于所述第二下狭缝在所述径向方向上的第二长度。9.根据权利要求1所述的等离子体导流板，其中，所述多个下狭缝中的每一个下狭缝的宽度与厚度之比与所述中间狭缝的宽度与厚度之比相同，每一个所述下狭缝的宽度是在所述下环的圆周方向上测得的，所述中间狭缝的宽度是在所述中间环的圆周方向上测得的。10.一种衬底处理装置，包括：载物台；以及等离子体导流板，所述等离子体导流板围绕所述载物台，其中，所述载物台包括：卡盘，所述卡盘被构造为支撑衬底；以及聚焦环，所述聚焦环围绕所述卡盘，
其中，所述等离子体导流板包括：下环；以及中间环，所述中间环从所述下环的边缘向外延伸以相对于水平方向形成锐角，其中，所述下环包括：下中央孔，所述下中央孔垂直地穿过所述下环的中心；以及下狭缝，所述下狭缝位于所述下中央孔外部并且垂直地穿透所述下环，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金学泳，金道源，任志洙，卢泳辰，朴哲佑，许敏宁，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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