等离子体处理方法以及等离子体处理系统技术方案

本申请提供一种提高相对于掩膜的选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法以及等离子体处理系统。该方法具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上形成的掩膜的基板的工序，掩膜包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜；(b)在腔室内，由处理气体生成等离子体的工序，所述处理气体包含：含氧气体；和含有Si或W、以及卤素的气体。(b)包含(b1)在掩膜的至少含碳膜上形成保护膜的工序和(b2)经由形成保护膜的掩膜蚀刻有机膜的工序。刻有机膜的工序。刻有机膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法以及等离子体处理系统


[0001]本公开的示例性实施方式涉及等离子体处理方法以及等离子体处理系统。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开有蚀刻含硅膜的方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：特开2010
‑
109373号公报

技术实现思路

[0006]本公开提供一种提高相对于掩膜的选择比的技术。
[0007]在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在所述有机膜上形成的掩膜的基板的工序，所述掩膜包含含硅膜和在所述含硅膜上形成的含碳膜；(b)在所述腔室内，由包含含氧气体以及含有Si或W、以及卤素的气体的处理气体生成等离子体的工序，所述(b)包含：(b1)在所述掩膜的至少所述含碳膜上形成保护膜的工序；以及(b2)经由形成所述保护膜的所述掩膜蚀刻所述有机膜的工序。
[0008]专利技术效果
[0009]根据本公开的一个示例性实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理方法，为在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在所述有机膜上形成的掩膜的基板的工序，所述掩膜包含含硅膜和在所述含硅膜上形成的含碳膜；以及(b)在所述腔室内，由处理气体生成等离子体的工序，所述处理气体包含：含氧气体；和含有Si或W、以及卤素的气体，所述(b)包含：(b1)在所述掩膜的至少所述含碳膜上形成保护膜的工序；以及(b2)经由形成所述保护膜的所述掩膜蚀刻所述有机膜的工序。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，含有所述Si或W、以及卤素的气体至少包含SiCl4。3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，含有所述Si或W、以及卤素的气体至少包含WF6。4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，所述保护膜含有硅或者钨。5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述含硅膜是SiON膜。6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述含碳膜为SOC膜或者BARC膜。7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述含氧气体包含从由O2、O3、CO、CO2以及H2O构成的组中选择的至少一种。8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述处理气体包含含硫气体。9.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其中，所述含硫气体包含COS或者SO2。10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述处理气体还包含含卤素气体。11.一种等离子体处理方法，为在...

【专利技术属性】
技术研发人员：新关智彦，户村幕树，木原嘉英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：