等离子体处理方法以及等离子体处理系统技术方案

本申请提供一种提高相对于掩膜的选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法以及等离子体处理系统。该方法具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上形成的掩膜的基板的工序，掩膜包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜；(b)在腔室内，由处理气体生成等离子体的工序，所述处理气体包含：含氧气体；和含有Si或W、以及卤素的气体。(b)包含(b1)在掩膜的至少含碳膜上形成保护膜的工序和(b2)经由形成保护膜的掩膜蚀刻有机膜的工序。刻有机膜的工序。刻有机膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法以及等离子体处理系统


[0001]本公开的示例性实施方式涉及等离子体处理方法以及等离子体处理系统。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开有蚀刻含硅膜的方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：特开2010
‑
109373号公报

技术实现思路

[0006]本公开提供一种提高相对于掩膜的选择比的技术。
[0007]在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在所述有机膜上形成的掩膜的基板的工序，所述掩膜包含含硅膜和在所述含硅膜上形成的含碳膜；(b)在所述腔室内，由包含含氧气体以及含有Si或W、以及卤素的气体的处理气体生成等离子体的工序，所述(b)包含：(b1)在所述掩膜的至少所述含碳膜上形成保护膜的工序；以及(b2)经由形成所述保护膜的所述掩膜蚀刻所述有机膜的工序。
[0008]专利技术效果
[0009]根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供提高相对于掩膜的选择比的技术。
附图说明
[0010]图1是概略地示出示例性等离子体处理系统的图。
[0011]图2是表示本处理方法的流程图。
[0012]图3是示意性地示出在工序ST1提供的基板W的截面构造的一例的图。
[0013]图4是示意性地示出工序ST3刚开始后的基板W的截面构造的一例的图。
[0014]图5是示意性地示出工序ST3处理中的基板W的截面构造的一例的图。
[0015]图6是示意性地示出工序ST3处理中的基板W的截面构造的其他例的图。
[0016]图7是描绘实施例涉及的基板的一例的图。
[0017]图8是示意性示出变形例涉及的基板W
’
的截面构造的一例的图。
具体实施方式
[0018]以下，关于本公开的各实施方式进行说明。
[0019]在一个示例性实施方式中，提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上形成的掩膜的基板的工序，掩膜包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜；以及(b)在腔室内，由包含含氧气体以及含有Si或W、以及卤素的气体的处理气体生成等离子体的工序，(b)包含：(b1)在掩膜的至少
含碳膜上形成保护膜的工序；以及(b2)经由形成保护膜的掩膜蚀刻有机膜的工序。
[0020]在一个示例性实施方式中，含有Si或W、以及卤素的气体至少包含SiCl4。
[0021]在一个示例性实施方式中，含有Si或W、以及卤素的气体至少包含WF6。
[0022]在一个示例性实施方式中，保护膜含有硅或者钨。
[0023]在一个示例性实施方式中，含硅膜是SiON膜。
[0024]在一个示例性实施方式中，含碳膜是SOC膜或者BARC膜。
[0025]在一个示例性实施方式中，含氧气体包含从由O2、O3、CO、CO2以及H2O构成的组选择的至少一种。
[0026]在一个示例性实施方式中，处理气体包含含硫气体。
[0027]在一个示例性实施方式中，含硫气体包含COS或者SO2。
[0028]在一个示例性实施方式中，处理气体还包含含卤素气体。
[0029]在一个示例性实施方式中，提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上形成且包含含碳膜的掩膜的基板的工序；以及(b)在腔室内，由包含含氧气体以及含有Si或W、以及卤素的气体的处理气体生成等离子体的工序，(b)包含：(b1)在掩膜的至少含碳膜上形成保护膜的工序；以及(b2)经由形成保护膜的掩膜蚀刻有机膜的工序。
[0030]在一个示例性实施方式中，提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上的包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜的掩膜的基板的工序；以及(b)在腔室内，供给包含含氧气体以及含有Si或W、以及卤素的第一含卤素气体的处理气体而生成等离子体，经由掩膜蚀刻有机膜的工序，包含Si或W、以及卤素的气体相对于处理气体的总流量的流量小于5体积％。
[0031]在一个示例性实施方式中，提供一种等离子体处理系统，具备腔室、基板支承部、处理气体供给部以及控制部，控制部执行以下控制：(a)在腔室内的基板支承部上提供具有有机膜和在有机膜上形成的掩膜的基板，掩膜包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜；(b)通过处理气体供给部，向腔室内供给包含含氧气体以及含有Si或W、以及卤素的气体的处理气体而生成等离子体，(b)包含：(b1)在掩膜的至少含碳膜上形成保护膜；以及(b2)经由形成保护膜的掩膜蚀刻有机膜。
[0032]＜等离子体处理系统的构成例＞
[0033]以下，关于等离子体处理系统的构成例进行说明。图1是概略地示出示例性等离子体处理系统的图。
[0034]等离子体处理系统包含电感耦合型等离子体处理装置1以及控制部2。电感耦合型等离子体处理装置1包含等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30以及排气系统40。等离子体处理腔室10包含电介质窗。此外，等离子体处理装置1包含基板支承部11、气体导入部以及天线14。基板支承部11配置于等离子体处理腔室10内。天线14配置于等离子体处理腔室10上或者其上方(即电介质窗101上或者其上方)。等离子体处理腔室10具有由电介质窗101、等离子体处理腔室10的侧壁102以及由基板支承部11限定的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有用于向等离子体处理空间10s供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口和用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。等离子体处理腔室10接地。
[0035]基板支承部11包含主体部111以及环组件112。主体部111具有用于支承基板W的中央区域111a和用于支承环组件112的环状区域111b。晶圆是基板W的一例。主体部111的环状区域111b在俯视下包围主体部111的中央区域111a。基板W配置在主体部111的中央区域111a上，环组件112以包围主体部111的中央区域111a上的基板W的方式配置在主体部111的环状区域111b上。因此，中央区域111a也称为用于支承基板W的基板支承面，环状区域111b也称为用于支承环组件112的环支承面。
[0036]在一实施方式中，主体部111包含基台1110以及静电吸盘1111。基台1110包含导电性部件。基台1110的导电性部件能够作为偏置电极发挥作用。静电吸盘1111配置在基台1110上。静电吸盘1111包含陶瓷部件1111a和配置在陶瓷部件1111a内的静电电极1111b。陶瓷部件1111a具有中央区域111a。在一实施方式中，陶瓷部件1111a也具有环状区域111b。此外，也可以是包围如环状静电吸盘或环状绝缘部件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理方法，为在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在所述有机膜上形成的掩膜的基板的工序，所述掩膜包含含硅膜和在所述含硅膜上形成的含碳膜；以及(b)在所述腔室内，由处理气体生成等离子体的工序，所述处理气体包含：含氧气体；和含有Si或W、以及卤素的气体，所述(b)包含：(b1)在所述掩膜的至少所述含碳膜上形成保护膜的工序；以及(b2)经由形成所述保护膜的所述掩膜蚀刻所述有机膜的工序。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，含有所述Si或W、以及卤素的气体至少包含SiCl4。3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，含有所述Si或W、以及卤素的气体至少包含WF6。4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，所述保护膜含有硅或者钨。5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述含硅膜是SiON膜。6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述含碳膜为SOC膜或者BARC膜。7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述含氧气体包含从由O2、O3、CO、CO2以及H2O构成的组中选择的至少一种。8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述处理气体包含含硫气体。9.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其中，所述含硫气体包含COS或者SO2。10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述处理气体还包含含卤素气体。11.一种等离子体处理方法，为在...

【专利技术属性】
技术研发人员：新关智彦，户村幕树，木原嘉英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：