本发明专利技术是一种在基片的周缘部涂敷涂敷液的涂敷处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；涂敷液供给嘴，其向由上述保持旋转部保持的基片的周缘部供给涂敷液；使上述涂敷液供给嘴移动的移动机构；以及控制部，控制上述保持旋转部、上述涂敷液供给嘴和上述移动机构，上述控制部构成为能够进行以下控制：在使保持上述基片的上述保持旋转部旋转的同时，一边利用上述涂敷液供给嘴供给涂敷液，一边控制上述移动机构以第一速度使上述涂敷液供给嘴从上述基片的周边外侧移动至上述基片上的周缘的规定位置，之后，一边利用上述涂敷液供给嘴供给涂敷液，一边控制上述移动机构以比上述第一速度高的第二速度使上述涂敷液供给嘴从上述规定位置向上述基片的周边外侧移动。动。动。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】涂敷处理装置、涂敷处理方法和计算机存储介质
[0001]本专利技术涉及涂敷处理装置、涂敷处理方法和计算机存储介质。
技术介绍
[0002]一直以来，进行在半导体晶片(以下，有时简称为晶片)等基片的周缘部涂敷涂敷液的处理。
[0003]关于这一点，在专利文献1中记载有一种周缘部涂敷装置，其包括：旋转保持部，水平地保持圆形的基片并使其旋转；喷嘴，其供给涂敷液以在上述基片的表面的周缘部形成涂敷膜；移动机构，其使上述喷嘴移动以使上述涂敷液的供给位置在基片的周缘部与基片的外侧位置之间移动；以及控制部，其输出控制信号以控制利用上述旋转保持部进行的基片的旋转、来自上述喷嘴的涂敷液的释放和利用移动机构进行的喷嘴的移动。此外，上述控制部输出控制信号，以使得一边进行基片的旋转和来自喷嘴的涂敷液的供给，一边使涂敷液的供给位置从基片的外侧朝向基片的周缘部移动，将涂敷液涂敷成在俯视观察该基片时其角度为10
°
以下的楔形，接着，在持续进行基片的旋转和涂敷液的供给的状态下停止喷嘴的移动，沿着基片的周缘部带状地涂敷涂敷液，涂敷成该带状的涂敷液的端部与涂敷成上述楔形的涂敷液接触，遍及基片的整周地涂敷涂敷液。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2013
‑
62436号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术的技术在基片的周缘部的侧面高精度地形成涂敷膜。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]本专利技术的一方式是一种在基片的周缘部涂敷涂敷液的涂敷处理装置，其包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；涂敷液供给嘴，其向由上述保持旋转部保持的基片的周缘部供给涂敷液；使上述涂敷液供给嘴移动的移动机构；以及控制部，其控制上述保持旋转部、上述涂敷液供给嘴和上述移动机构，上述控制部构成为能够进行以下控制：在使保持着上述基片的上述保持旋转部旋转的同时，一边利用上述涂敷液供给嘴供给涂敷液，一边控制上述移动机构以第一速度使上述涂敷液供给嘴从上述基片的周边外侧移动至上述基片上的周缘的规定位置，之后，一边利用上述涂敷液供给嘴供给涂敷液，一边控制上述移动机构以比上述第一速度高的第二速度使上述涂敷液供给嘴从上述规定位置向上述基片的周边外侧移动。
[0011]专利技术效果
[0012]依照本专利技术，能够在基片的周缘部的侧面高精度地形成涂敷膜。
附图说明
[0013]图1是表示晶片的周缘部的保护膜的形成状态的说明图。
[0014]图2是表示在杯状件内表面渊部附着有保护液的状态的说明图。
[0015]图3是示意性地表示实施方式的涂敷处理装置的概要结构的侧面截面的说明图。
[0016]图4是示意性地表示实施方式的涂敷处理装置的概要结构的俯视面的说明图。
[0017]图5是表示利用实施方式的涂敷处理方法进行的喷嘴的移动的说明图。
[0018]图6是表示喷嘴从晶片扫出时的抗蚀剂液飞散的情形的说明图。
[0019]图7是表示保护膜形成至晶片的周缘部的下侧的状态的说明图。
[0020]图8是表示仅在晶片的周缘部的上侧形成有保护膜的状态的说明图。
具体实施方式
[0021]在半导体器件等的制造工艺中，进行包含向晶片上供给抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理等在内的一连串光刻步骤，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。上述一连串处理在搭载有处理晶片的各种液处理装置、热处理装置、输送晶片的输送装置等的涂敷显影处理系统中进行。此外，有时对光刻步骤结束后的晶片之后进行蚀刻处理等，再次进行光刻步骤的一连串处理。
[0022]在这样的工艺中，出于保护上述蚀刻处理时的晶片的周缘部的目的，有时实施在该周缘部形成保护膜的涂敷处理。基于图1对其进行详细说明，如图所示，晶片W的周缘部被划分为大致上表面侧平坦部的区域Z1、从区域Z1起连续的斜面的区域Z2、从区域Z2起连续的垂直的侧端面(周缘部侧端面)即区域Z3、从区域Z3起连续的斜面的区域Z4、以及从区域Z4起连续的下表面侧平坦部的区域Z5。
[0023]此外，对于在蚀刻处理时未形成抗蚀剂图案，因此容易因蚀刻剂而受到损伤的区域Z1、区域Z2、区域Z3，形成保护膜P。作为保护膜P，例如使用由抗蚀剂液形成的抗蚀剂膜。
[0024]这样的周缘部的涂敷处理，一直以来由周缘部涂敷处理装置进行。具体而言，在利用保持晶片的旋转卡盘等保持旋转部使晶片旋转的同时，使图2所示的形成保护膜的保护液供给嘴N一边释放保护液，一边从晶片W的周边部外侧向晶片W的中心侧移动，在涂敷区域的晶片W中心侧的端部处停止，之后再次使保护液供给嘴N向晶片W的周边部外侧避让。由此，如图1所示，在晶片W的周缘部的区域Z1、区域Z2、区域Z3，形成保护膜P。
[0025]此外，对于区域Z3，为了在所希望的区域，例如从上端起60％～80％的区域形成保护膜P，进行调节旋转卡盘等保持旋转部的旋转速度的处理。
[0026]然而，已知虽然在旋转卡盘等保持旋转部的外侧配置有图2所示的杯状件C，但如上所述在区域Z3的所希望的区域形成保护膜时，若使保持旋转部高速旋转，则保护液飞散至杯状件C的渊部(特别是后述的设置于杯状件C的渊部的块体的内表面)，在杯状件C的渊部内表面附着由保护液形成的污垢D。
[0027]因此，本专利技术的技术在对晶片等基片的周缘部涂敷涂敷液时，抑制保护液向杯状件的内表面渊部的附着，在该周缘部侧面高精度地形成保护膜。
[0028]以下，参照附图，对本实施方式进行说明。另外，在本说明书中，对具有实质上相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，从而省略重复的说明。
[0029]图3是示意性地表示实施方式的涂敷处理装置1的纵截侧面的图，图4是示意性地
表示涂敷处理装置1的俯视面的图。该涂敷处理装置1构成为在晶片W的周缘部涂敷作为保护液的例如抗蚀剂液来形成保护膜的装置。涂敷处理装置1包括作为保持旋转部的旋转卡盘10。旋转卡盘10构成为通过真空吸附水平地保持例如其直径为300mm的圆形基片即晶片W。旋转卡盘10与包括马达等的旋转驱动部11连接。旋转驱动部11以与从后述的控制部100输出的控制信号相应的旋转速度，使旋转卡盘10绕铅垂方向旋转。
[0030]晶片W向旋转卡盘10的授受通过支承晶片W的背面的三根支承销12(图中，为了便于图示，仅示出两根)的升降来进行。支承销12设置于基座13上，基座13通过升降机构14的驱动而自由升降。
[0031]在旋转卡盘10的下方侧设置有截面形状为山形的引导环20，在该引导环20的外周缘部设置有向下方延伸的环状的外周壁21。此外，以包围旋转卡盘10和引导环20的方式配置有杯状件22。即，杯状件22的上表面呈圆形地开口，具有包围被旋转卡盘10保持的晶片W的形态。此外，在杯状件22的顶部的内缘设置有圆筒状的块体22a。块体22a具有抑制杯状件22内的雾向外侧放出，且将下降流本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在基片的周缘部涂敷涂敷液的涂敷处理装置，其特征在于，包括：保持基片并使其旋转的保持旋转部；涂敷液供给嘴，其向由所述保持旋转部保持的基片的周缘部供给涂敷液；使所述涂敷液供给嘴移动的移动机构；以及控制部，其控制所述保持旋转部、所述涂敷液供给嘴和所述移动机构，所述控制部构成为能够进行以下控制：在使保持着所述基片的所述保持旋转部旋转的同时，一边利用所述涂敷液供给嘴供给涂敷液，一边控制所述移动机构以第一速度使所述涂敷液供给嘴从所述基片的周边外侧移动至所述基片上的周缘的规定位置，之后，一边利用所述涂敷液供给嘴供给涂敷液，一边控制所述移动机构以比所述第一速度高的第二速度使所述涂敷液供给嘴从所述规定位置向所述基片的周边外侧移动。2.根据权利要求1所述的涂敷处理装置，其特征在于：所述第二速度是超过50mm/sec的速度。3.根据权利要求1所述的涂敷处理装置，其特征在于：所述保持旋转部的旋转速度为500rpm以上。4.根据权利要求1所述的涂敷处理装置，其特征在于：所述第二速度是超过50mm/sec的速度，所述保持旋转部的旋转速度为500rpm以上。5.根据权利要求4所述的涂敷处理装置，其特征在于：所述保持旋转部的旋转速度为800rpm～2000rpm。6.一种在基片的周缘部涂敷涂敷液的涂敷处理方法，其特征在于：在使所述基片旋转的同时，一边利用涂敷液供给嘴供给涂敷液，一边以第一速度使所述涂敷液供给嘴从所述基片的周边外侧移动至所述基片上的周缘的规定位置，之后，一边利用所述涂敷液供给嘴供给涂敷液，一边以比所述第一速度高的第二速度使所述涂敷液...
【专利技术属性】
技术研发人员：稻叶翔吾，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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