基片处理方法和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理方法和基片处理装置，其抑制从在处理腔室中进行了处理的基片释放的处理气体对输送腔室的影响。基片处理方法包括：在第一处理腔室中对基片实施第一处理的步骤；在第二处理腔室中对其他基片实施第二处理的步骤；在实施第一处理的步骤之后，在第一处理腔室中使基片待机的步骤；从对其他基片的第二处理结束的时间点起经过第一时间后，利用输送装置从第一处理腔室向输送腔室送出基片的步骤；和在开始向输送腔室送出基片的步骤之后，利用输送装置将基片输送到第二处理腔室，在第二处理腔室中将基片与其他基片进行对换的步骤。的步骤。的步骤。

【技术实现步骤摘要】
基片处理方法和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及基片处理方法和基片处理装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载了一种半导体装置的制造装置，其包括蚀刻用腔室、灰化用腔室和具有交接晶片的输送臂的输送室，经由输送臂将基片从蚀刻用腔室输送到灰化用腔室。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2006
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108470号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]在一个方面，本专利技术提供基片处理方法和基片处理装置，其抑制从在处理腔室中进行了处理的基片释放的处理气体对输送腔室的影响。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]为了解决上述技术问题，依照本专利技术的一个方面，提供一种基片处理方法，其是包括对基片实施处理的多个处理腔室的基片处理装置中的基片处理方法，上述多个处理腔室至少具有对上述基片实施第一处理的第一处理腔室和对上述基片实施第二处理的第二处理腔室，上述基片处理装置包括输送腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理方法，其特征在于：所述基片处理方法是包括对基片实施处理的多个处理腔室的基片处理装置中的基片处理方法，所述多个处理腔室至少具有对所述基片实施第一处理的第一处理腔室和对所述基片实施第二处理的第二处理腔室，所述基片处理装置包括输送腔室，所述输送腔室与所述第一处理腔室和所述第二处理腔室相邻，并具有能够输送所述基片的输送装置，所述基片处理方法包括：在所述第一处理腔室中对所述基片实施所述第一处理的步骤；在所述第二处理腔室中对其他基片实施所述第二处理的步骤；在实施所述第一处理的步骤之后，在所述第一处理腔室中使所述基片待机的步骤；在从对所述其他基片的所述第二处理结束的时间点起经过了第一时间后，利用所述输送装置开始从所述第一处理腔室向所述输送腔室送出所述基片的步骤；和在开始向所述输送腔室送出所述基片的步骤之后，利用所述输送装置将所述基片输送到所述第二处理腔室，在所述第二处理腔室中将所述基片和所述其他基片进行对换的步骤。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：所述第一时间是第二时间与第三时间之差，其中，所述第二时间是在所述第二处理腔室中的所述第二处理之后实施的第三处理所需的时间，所述第三时间比所述第二时间短，是将所述第一处理腔室中的所述基片送出所需的时间。3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：所述第三处理是所述第二处理腔室中的所述基片的除电处理。4.如权利要求2或3所述的基片处理方法，其特征在于：所述第三时间包括将预先保持在所述输送装置中的未实施所述第一处理的未处理基片与载置于所述第一处理腔室的载置部并实施了所述第一处理的所述基片进行对换的时间。5.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：所述第一处理是蚀刻处理，所述第二处理是灰化处理。6.一种基片处理方法，其特征在于：所述基片处理方法是包括多个处理腔室的对基片实施处理的基片处理装置中的基片处理方法，所述多个处理腔室至少具有对所述基片实施第一处理的第一处理腔室和对所述基片实施第二处理及第三处理的第二处理腔室，所述基片处理装置包括输送腔室，所述输送...

【专利技术属性】
技术研发人员：武部一宏，三浦知久，山田洋平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：