本发明专利技术的基片处理装置包括：收纳处理液和基片的处理槽；在上述处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及向上述多个气体喷嘴供给上述气体的气体供给部，上述气体喷嘴具有管体，该管体沿着上述处理槽的底面配置，形成有在第一方向释放上述气体的多个释放孔，上述基片处理装置具有液体引导部件，该液体引导部件伴随着从上述释放孔释放的上述气体的移动，引导上述释放孔的周围的上述处理液以使其在上述第一方向流动。述第一方向流动。述第一方向流动。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基片处理装置和液体引导部件
[0001]本专利技术涉及基片处理装置和液体引导部件。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开了一种基片处理装置，其包括：收纳处理液和基片的处理槽；在处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及向多个气体喷嘴供给气体的气体供给部。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018
‑
174257号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供能够提高处理液的对流的控制性的基片处理装置和液体引导部件。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的基片处理装置包括：收纳处理液和基片的处理槽；在上述处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及向上述多个气体喷嘴供给上述气体的气体供给部，上述气体喷嘴具有管体，该管体沿着上述处理槽的底面配置，形成有在第一方向释放上述气体的多个释放孔，上述基片处理装置具有液体引导部件，该液体引导部件伴随着从上述释放孔释放的上述气体的移动，引导上述释放孔的周围的上述处理液以使其在上述第一方向流动。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，能够提高处理液的对流的控制性。
附图说明
[0012]图1是表示基片处理系统的俯视图。
[0013]图2是表示蚀刻处理装置的示意图。
[0014]图3是表示处理槽的俯视图。
[0015]图4是表示气体喷嘴的示意图。
[0016]图5是表示液体引导部件的结构的图。
[0017]图6是表示安装有液体引导部件的气体喷嘴的剖视图。
[0018]图7是表示安装有包括间隔件的液体引导部件的气体喷嘴的剖视图。
[0019]图8是例示控制部的功能性的结构的框图。
[0020]图9是表示基片处理流程的流程图。
[0021]图10是表示处理液的填充流程的流程图。
[0022]图11是表示喷嘴清洗流程的流程图。
[0023]图12是表示浸渍处理流程的流程图。
[0024]图13是表示气体供给量的控制流程的流程图。
[0025]图14是表示处理液的排出流程的流程图。
[0026]图15是表示液体引导部件的功能的一例的图。
[0027]图16是表示泡的动作的示意图。
[0028]图17是表示液体引导部件功能的另一例的图。
[0029]图18是表示液体引导部件的变形例的剖视图。
具体实施方式
[0030]以下，参照附图，对实施方式进行详细说明。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[0031]图1是表示基片处理系统的俯视图。如图1所示，基片处理系统100具有承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6和控制部7。
[0032]承载器送入送出部2进行将多个(例如25个)基片(硅晶片)8以水平姿态上下排列收纳的承载器9的送入和送出。
[0033]承载器送入送出部2包括：载置多个承载器9的承载台10；进行承载器9的输送的承载器输送机构11；暂时保管承载器9的承载器栈12、13；和载置承载器9的承载器载置台14。承载器栈12在由批次处理部6对成为产品的基片8进行处理之前暂时保管。承载器栈13对成为产品的基片8在其由批次处理部6处理之后进行暂时保管。
[0034]承载器送入送出部2使用承载器输送机构11将从外部送入承载台10的承载器9输送到承载器栈12或承载器载置台14。此外，承载器送入送出部2使用承载器输送机构11将载置于承载器载置台14的承载器9输送到承载器栈13、承载台10。输送至承载台10的承载器9被送出到外部。
[0035]批次形成部3形成由将收纳于一个或多个承载器9的基片8组合来同时进行处理的多个(例如50个)基片8构成的批次。此外，在形成批次时，既可以以基片8的表面形成有图案的面彼此相对的方式形成批次，也可以以基片8的表面形成有图案的面全部朝向一个方向的方式形成批次。
[0036]批次形成部3具有输送多个基片8的基片输送机构15。基片输送机构15能够在输送基片8的中途使基片8的姿态从水平姿态变更为垂直姿态以及从垂直姿态变更为水平姿态。
[0037]批次形成部3使用基片输送机构15将基片8从载置于承载器载置台14的承载器9输送到批次载置部4，将形成批次的基片8载置在批次载置部4。此外，批次形成部3利用基片输送机构15将载置于批次载置部4的批次向载置于承载器载置台14的承载器9输送。基片输送机构15作为用于支承多个基片8的基片支承部，具有对处理前(由批次输送部5输送之前)的基片8进行支承的处理前基片支承部和对处理后(由批次输送部5输送之后)的基片8进行支承的处理后基片支承部这两种。由此，防止附着于处理前的基片8等的颗粒等转印到处理后的基片8等。
[0038]批次载置部4利用批次载置台16暂时载置(待机)由批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间被输送的批次。
[0039]批次载置部4包括：送入侧批次载置台17，其载置处理前(由批次输送部5输送之
前)的批次；和送出侧批次载置台18，其载置处理后(由批次输送部5输送后)的批次。一个批次量的多个基片8以垂直姿态前后排列地载置在送入侧批次载置台17和送出侧批次载置台18。
[0040]在批次载置部4中，由批次形成部3形成的批次被载置在送入侧批次载置台17，该批次经由批次输送部5被送入批次处理部6。此外，在批次载置部4中，从批次处理部6经由批次输送部5送出的批次被载置在送出侧批次载置台18，该批次被输送到批次形成部3。
[0041]批次输送部5在批次载置部4与批次处理部6之间、批次处理部6的内部之间进行批次的输送。
[0042]批次输送部5具有进行批次的输送的批次输送机构19。批次输送机构19包括：沿着批次载置部4和批次处理部6配置的导轨20；以及一边保持多个基片8一边沿着导轨20移动的移动体21。保持以垂直姿态前后排列的多个基片8的基片保持体22可进退地设置有于移动体21。
[0043]批次输送部5利用批次输送机构19的基片保持体22接收载置于送入侧批次载置台17的批次，将该批次交接到批次处理部6。此外，批次输送部5利用批次输送机构19的基片保持体22接收由批次处理部6处理后的批次，将该批次交接到送出侧批次载置台18。而且，批次输送部5使用批次输送机构19在批次处理部6的内部进行批次的输送。
[0044]批次处理部6将以垂直姿态前后排列的多个基片8作为一个批次进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
[0045]批次处理部6具有进行基片8的干燥处理的干燥处理装置23、进行基片保持体22的清洗处理的基片保持体清洗处理装置24、进行基片8的清洗处理的清洗处理装置25、和进行基片8的蚀刻处理的2台蚀刻处理装置1。例本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：收纳处理液和基片的处理槽；在所述处理槽内的下部释放气体的多个气体喷嘴；以及向所述多个气体喷嘴供给所述气体的气体供给部，所述气体喷嘴具有管体，该管体沿着所述处理槽的底面配置，形成有在第一方向释放所述气体的多个释放孔，所述基片处理装置具有液体引导部件，该液体引导部件伴随着从所述释放孔释放的所述气体的移动，引导所述释放孔的周围的所述处理液以使其在第一方向流动。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述液体引导部件包括筒状的引导部，该引导部包括：第一开口；和在所述第一方向上与所述第一开口隔开间隔地设置的第二开口，从所述释放孔释放的所述气体和所述释放孔的周围的所述处理液以从所述第一开口朝向所述第二开口的方式在所述第一方向流动。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述第二开口的开口面积小于所述第一开口的开口面积。4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：在从所述第一方向观察时，所述引导部包围所述释放孔。5.如权利要求2至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：在从所述第一方向观察时，所述第二开口与所述释放孔同心状地配置。6.如权利要求2至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述第二开口的开口面积为所述释放孔的开口面积的0.9倍以上1.1倍以下。7.如权利要求2至6中任一项所述的基...
【专利技术属性】
技术研发人员：李水根，丸本洋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。