一种半导体结构的制造方法技术

公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供包括第二区域和第三区域的衬底，在衬底上依次形成初始填充层、间隔层和覆盖层，初始填充层包括分别位于第二区域和第三区域的第二初始填充层和第三初始填充层，第二初始填充层的厚度小于第三初始填充层的厚度，覆盖层包括分别位于第二区域和第三区域的第二覆盖层和第三覆盖层，第二覆盖层的厚度大于第三覆盖层的厚度；执行至少一次刻蚀工艺至第二初始填充层形成为第二填充层，第三初始填充层形成为第三填充层，且两者的上表面齐平。且两者的上表面齐平。且两者的上表面齐平。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制造方法


[0001]本公开涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体薄膜刻蚀过程中，会出现位于不同区域的凹槽高度不同的现象，这种现象的发生是由于在不同区域上形成的薄膜厚度不同导致的负载效应，这种负载效应会影响刻蚀的图案的均匀性，从而影响后面工艺过程中刻蚀位置的精准定位，进而会影响半导体结构的性能。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：
[0004]提供衬底，所述衬底至少包括第二区域和第三区域，在所述衬底上形成初始填充层，所述初始填充层包括覆盖所述第二区域的第二初始填充层和覆盖所述第三区域的第三初始填充层，所述第二初始填充层的厚度小于所述第三初始填充层的厚度；
[0005]在所述初始填充层上形成间隔层；
[0006]在所述间隔层上形成覆盖层，所述覆盖层包括位于所述第二区域的第二覆盖层和位于所述第三区域的第三覆盖层，所述第二覆盖层的厚度大于所述第三覆盖层的厚度；其中，所述初始填充层和所述覆盖层的材料相同，且所述间隔层的材料与所述初始填充层和所述覆盖层的材料不同；
[0007]执行至少一次刻蚀工艺，直至所述第二初始填充层形成为第二填充层，所述第三初始填充层形成为第三填充层，且两者的上表面齐平。
[0008]在一些实施例中，执行至少一次刻蚀工艺，包括：采用包括二氟甲烷、四氟化碳的混合气体在同一步骤中刻蚀所述覆盖层、所述间隔层以及所述初始填充层，所述覆盖层、所述间隔层以及所述初始填充层的刻蚀速率相同；其中，二氟甲烷和四氟化碳的流量的比值范围在(12～16)：(180～220)之间。
[0009]在一些实施例中，所述间隔层包括分别位于所述第二区域、所述第三区域的第二间隔层、第三间隔层；对所述第二区域和所述第三区域执行至少一次刻蚀工艺，包括：
[0010]执行第一刻蚀工艺直至去除所述第三覆盖层以暴露所述第三间隔层；
[0011]执行第二刻蚀工艺直至去除所述第三间隔层以暴露所述第三初始填充层；其中，所述间隔层的刻蚀速率大于所述覆盖层和所述初始填充层的刻蚀速率；
[0012]执行第三刻蚀工艺以使所述第三初始填充层的上表面下降第一预设距离，所述第三初始填充层的上表面和所述第二初始填充层的上表面齐平或具有第一预设高度差；其中，所述初始填充层和所述覆盖层的刻蚀速率大于所述间隔层的刻蚀速率。
[0013]在一些实施例中，执行所述第一刻蚀工艺，还包括：去除部分所述第二覆盖层，剩余的所述第二覆盖层仍覆盖所述第二间隔层；
[0014]执行所述第二刻蚀工艺和所述第三刻蚀工艺，还包括：刻蚀所述第二区域，去除剩
余的所述第二覆盖层且至少保留部分所述第二间隔层，所述第二初始填充层仍被所述第二间隔层覆盖；
[0015]在执行所述第三刻蚀工艺之后，还包括：执行第四刻蚀工艺直至去除所述第二间隔层以暴露所述第二初始填充层，所述第二初始填充层的上表面和所述第三初始填充层的上表面齐平；其中，所述间隔层的刻蚀速率大于所述覆盖层和所述初始填充层的刻蚀速率。
[0016]在一些实施例中，所述衬底还包括第一区域，所述初始填充层还包括位于所述第一区域的第一初始填充层，所述间隔层还包括位于所述第一区域的第一间隔层，所述覆盖层还包括位于所述第一区域的第一覆盖层；所述第一初始填充层的厚度小于所述第二初始填充层的厚度，所述第一覆盖层的厚度大于所述第二覆盖层的厚度；
[0017]执行所述第一刻蚀工艺，还包括：去除部分所述第一覆盖层，剩余的所述第一覆盖层仍覆盖所述第一间隔层，且经过所述第一刻蚀工艺的刻蚀，剩余的所述第一覆盖层的厚度大于剩余的所述第二覆盖层的厚度。
[0018]在一些实施例中，在执行所述第四刻蚀工艺之后，还包括：
[0019]执行第五刻蚀工艺，使所述第二初始填充层和所述第三初始填充层的上表面下降第二预设高度，且所述第二初始填充层和所述第三初始填充层的上表面与所述第一初始填充层的上表面齐平或具有第二预设高度差；其中，所述初始填充层的刻蚀速率大于所述间隔层的刻蚀速率。
[0020]在一些实施例中，执行所述第二刻蚀工艺、所述第三刻蚀工艺、所述第四刻蚀和所述第五刻蚀工艺，还包括：刻蚀所述第一区域，去除所述第一覆盖层且至少保留部分所述第一间隔层，所述第一初始填充层仍被所述第一间隔层覆盖；
[0021]在执行所述第五刻蚀工艺之后，还包括：执行第六刻蚀工艺直至去除所述第一间隔层以暴露所述第一初始填充层，所述第一初始填充层、所述第二初始填充层和所述第三初始填充层的上表面齐平；其中，所述间隔层的刻蚀速率大于所述初始填充层的刻蚀速率。
[0022]在一些实施例中，在执行所述第六刻蚀工艺之后，还包括：
[0023]刻蚀所述第一初始填充层、所述第二初始填充层和所述第三初始填充层，以分别形成第一填充层、第二填充层和第三填充层，所述第一填充层、所述第二填充层和所述第三填充层的上表面齐平。
[0024]在一些实施例中，执行所述第二刻蚀工艺、所述第三刻蚀工艺和所述第四刻蚀工艺，还包括：刻蚀所述第一区域，去除至少部分所述第一覆盖层且至少保留部分所述第一间隔层，所述第一初始填充层仍被所述第一间隔层覆盖，所述第二初始填充层和所述第三初始填充层的上表面高于所述第一区域的上表面；
[0025]在执行所述第四刻蚀工艺之后，还包括：执行第七刻蚀工艺，去除所述第一覆盖层，并使所述第二初始填充层和所述第三初始填充层的上表面下降第三预设距离，所述第二初始填充层和所述第三初始填充层的上表面与所述第一间隔层的上表面齐平；其中，所述初始填充层和所述覆盖层的刻蚀速率大于所述间隔层的刻蚀速率；
[0026]对所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域执行第八刻蚀工艺，直至所述第一初始填充层形成为第一填充层，所述第二初始填充层形成为第二填充层，所述第三初始填充层形成为第三填充层；其中，所述间隔层和所述初始填充层的刻蚀速率相同。
[0027]在一些实施例中，在所述初始填充层和所述覆盖层中任一者的刻蚀速率大于所述
间隔层的刻蚀速率的刻蚀工艺中，所述初始填充层和所述覆盖层中任一者的刻蚀速率与所述间隔层的刻蚀速率的比值大于等于10:1；在所述间隔层的刻蚀速率大于所述覆盖层和所述初始填充层中任一者的刻蚀速率的刻蚀工艺中，所述间隔层的刻蚀速率与所述覆盖层和所述初始填充层中任一者的刻蚀速率的比值大于等于5:1。
[0028]本公开实施例提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底至少包括第二区域和第三区域，在所述衬底上形成初始填充层，所述初始填充层包括覆盖所述第二区域的第二初始填充层和覆盖所述第三区域的第三初始填充层，所述第二初始填充层的厚度小于所述第三初始填充层的厚度；在所述初始填充层上形成间隔层；在所述间隔层上形成覆盖层，所述覆盖层包括位于所述第二区域的第二覆盖层和位于所述第三区域的第三覆盖层，所述第二覆盖层的厚度大于所述第三覆盖层的厚度；其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底至少包括第二区域和第三区域，在所述衬底上形成初始填充层，所述初始填充层包括覆盖所述第二区域的第二初始填充层和覆盖所述第三区域的第三初始填充层，所述第二初始填充层的厚度小于所述第三初始填充层的厚度；在所述初始填充层上形成间隔层；在所述间隔层上形成覆盖层，所述覆盖层包括位于所述第二区域的第二覆盖层和位于所述第三区域的第三覆盖层，所述第二覆盖层的厚度大于所述第三覆盖层的厚度；其中，所述初始填充层和所述覆盖层的材料相同，且所述间隔层的材料与所述初始填充层和所述覆盖层的材料不同；执行至少一次刻蚀工艺，直至所述第二初始填充层形成为第二填充层，所述第三初始填充层形成为第三填充层，且两者的上表面齐平。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，执行至少一次刻蚀工艺，包括：采用包括二氟甲烷、四氟化碳的混合气体在同一步骤中刻蚀所述覆盖层、所述间隔层以及所述初始填充层，所述覆盖层、所述间隔层以及所述初始填充层的刻蚀速率相同；其中，二氟甲烷和四氟化碳的流量的比值范围在(12～16)：(180～220)之间。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述间隔层包括分别位于所述第二区域、所述第三区域的第二间隔层、第三间隔层；对所述第二区域和所述第三区域执行至少一次刻蚀工艺，包括：执行第一刻蚀工艺直至去除所述第三覆盖层以暴露所述第三间隔层；执行第二刻蚀工艺直至去除所述第三间隔层以暴露所述第三初始填充层；其中，所述间隔层的刻蚀速率大于所述覆盖层和所述初始填充层的刻蚀速率；执行第三刻蚀工艺以使所述第三初始填充层的上表面下降第一预设距离，所述第三初始填充层的上表面和所述第二初始填充层的上表面齐平或具有第一预设高度差；其中，所述初始填充层和所述覆盖层的刻蚀速率大于所述间隔层的刻蚀速率。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，执行所述第一刻蚀工艺，还包括：去除部分所述第二覆盖层，剩余的所述第二覆盖层仍覆盖所述第二间隔层；执行所述第二刻蚀工艺和所述第三刻蚀工艺，还包括：刻蚀所述第二区域，去除剩余的所述第二覆盖层且至少保留部分所述第二间隔层，所述第二初始填充层仍被所述第二间隔层覆盖；在执行所述第三刻蚀工艺之后，还包括：执行第四刻蚀工艺直至去除所述第二间隔层以暴露所述第二初始填充层，所述第二初始填充层的上表面和所述第三初始填充层的上表面齐平；其中，所述间隔层的刻蚀速率大于所述覆盖层和所述初始填充层的刻蚀速率。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述衬底还包括第一区域，所述初始填充层还包括位于所述第一区域的第一初始填充层，所述间隔层还包括位于所述第一区域的第一间隔层，所述覆盖层还包括位于所述第一区域的第一覆盖层；所述第一初始填充层的厚度小于所述第二初始填充层的厚度，所述第一覆盖层的厚度大于所述第二覆盖层的厚度；执行所述第一刻蚀工艺，还包括：去除...

【专利技术属性】
技术研发人员：李逛城，郑标，朱顺，方淼焱，施露安，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：