基片处理装置和基片处理装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供无需变更腔室就能够变更升降销的布局的基片处理装置和基片处理装置的制造方法。基片处理装置包括：处理容器；配置在上述处理容器内的载置台，其具有载置板和用于支承上述载置板的主体部，上述载置板具有用于载置基片的载置面；升降销，其配置在贯通上述载置板的插通孔中，被设置成能够相对于上述载置面伸出和没入；驱动部，其具有贯通上述处理容器的底壁而沿上下方向驱动的驱动轴；以及驱动部件，其被固定于上述驱动轴，与上述升降销隔开间隔地相对配置。开间隔地相对配置。开间隔地相对配置。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及基片处理装置和基片处理装置的制造方法。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括基座(susceptor)、驱动部和控制部，其中，基座具有以能够相对于用于载置基片的载置面伸出和没入的方式设置的升降销，驱动部用于驱动升降销，控制部用于控制驱动部。在专利文献1所示的结构中，升降销被配置在贯通腔室的底壁和基座的插通孔中。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2021
‑
180214号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的一个方面提供一种无需变更腔室就能够变更升降销的布局的基片处理装置和基片处理装置的制造方法。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]为了解决上述技术问题，依照一个方面，提供一种基片处理装置，其包括：处理容器；配置在上述处理容器内的载置台，其具有载置板和用于支承上述载置板的主体部，上述载置板具有用于载置基片的载置面；升降销，其配置在贯通上述载置板的插通孔中，被设置成能够相对于上述载置面伸出和没入；驱动部，其具有贯通上述处理容器的底壁而沿上下方向驱动的驱动轴；以及驱动部件，其被固定于上述驱动轴，与上述升降销隔开间隔地相对配置。
[0010]专利技术效果
[0011]依照一个方面，能够提供一种无需变更腔室就能够变更升降销的布局的基片处理装置和基片处理装置的制造方法。
附图说明
[0012]图1是基片处理装置的概略剖视图的一个例子。
[0013]图2是基片处理装置的俯视方向的概略剖视图的一个例子。
[0014]图3是表示驱动升降销的驱动机构的结构的框图的一个例子。
[0015]图4是使升降销下降后的状态下的基座的局部放大剖视图的一个例子。
[0016]图5是使升降销上升后的状态下的基座的局部放大剖视图的一个例子。
[0017]附图标记说明
[0018]1基片处理装置
[0019]2腔室
[0020]2a驱动轴引导件
[0021]4基座
[0022]4a载置板
[0023]4b主体部
[0024]4c基片载置面
[0025]7插通孔
[0026]8升降销
[0027]9驱动部
[0028]71 贯通部
[0029]72 收纳部
[0030]81 轴部
[0031]82 头部
[0032]101 驱动轴
[0033]102 驱动部件
[0034]103 抵接部件
[0035]104 固定部件
[0036]105 固定部件
[0037]200 升降销引导件
[0038]211轴插入部
[0039]G基片。
具体实施方式
[0040]下面，参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。各图中，对相同的构成部分标注相同的附图标记，有时会省略重复的说明。
[0041]＜基片处理装置＞
[0042]使用图1至图3，对本实施方式的基片处理装置1进行说明。图1是基片处理装置1的概略剖视图的一个例子。基片处理装置1是在载置台上载置基片G，对基片G实施所希望的处理(例如成膜处理等)的装置。另外，载置台构成为能够对载置的基片G的温度进行调节(例如，利用加热器进行加热、利用冷却器进行冷却等)。其中，将水平的一个方向设为X方向，将水平且与X方向正交的方向设为Y方向，将高度方向设为Z方向来进行说明。
[0043]另外，在基片处理装置1中实施处理的基片G——换言之被载置在载置台上的基片G，是俯视时为矩形、且具有可挠性的基片。基片G例如可以是具有可挠性的矩形形状的玻璃基片。另外，基片G例如也可以是厚度为0.2mm至数mm左右的薄膜玻璃基片。另外，基片G例如可以至少包括平面尺寸为第6代的1500mm
×
1800mm左右的尺寸到第10.5代的3000mm
×
3400mm左右的尺寸的基片。另外，基片G例如是用于制造平板显示器的玻璃基片。
[0044]基片处理装置1包括作为收纳基片G的处理容器的腔室2。腔室2例如由表面经阳极氧化处理的铝构成，与基片G的形状对应地形成为四方筒形状。
[0045]在腔室2内的底壁设置有作为载置基片G的载置台的基座(susceptor)4。基座4与基片G的形状对应地形成为四边形板状或柱状。基座4具有由金属等导电性材料构成的载置
板4a，和设置在载置板4a的底部与腔室2的底面之间并支承载置板4a的由绝缘性材料构成的主体部4b。在载置板4a连接有用于供给高频功率的供电线23。供电线23经由匹配器24与高频电源25连接。高频电源25例如对基座4施加13.56MHz的高频功率。匹配器24使高频电源25的输出阻抗与负载侧的输入阻抗相匹配。由此，基座4构成为能够作为下部电极发挥功能。
[0046]基座4的上表面(载置板4a的上表面)成为载置基片G的基片载置面4c(载置面)。另外，也可以在基座4的上表面设置用于吸附保持基片G的静电吸盘(未图示)。
[0047]在腔室2的上部或者上壁，以与基座4相对的方式设置有向腔室2内供给处理气体并且作为上部电极发挥功能的喷淋头11。喷淋头11在内部形成有使处理气体扩散的气体扩散空间12，并且在下表面或与基座4的相对面形成有用于释放处理气体的多个释放孔13。该喷淋头11接地，与基座4一起构成一对平行平板电极。另外，在本实施方式中，对将本专利技术应用于利用平行平板电极来生成等离子体的基片处理装置的情况进行说明，但当然也可以将本专利技术应用于通过电感耦合来生成等离子体的基片处理装置，而且，当然也可以将本专利技术应用于通过其他方法来生成等离子体的基片处理装置。
[0048]在喷淋头11的上表面设置有气体导入口14，该气体导入口14与处理气体供给管15连接，该处理气体供给管15经由阀16和质量流量控制器17与处理气体供给源18连接。从处理气体供给源18例如供给用于成膜的处理气体。作为处理气体，可以使用SiF4气体、SiCl4气体、N2气体、O2气体、Ar气体等在该领域中通常使用的气体。
[0049]在腔室2的底壁连接有排气管19，该排气管19与排气装置20连接。排气装置20包括涡轮分子泵等真空泵，由此构成为能够将腔室2内抽真空至规定的减压气氛。在腔室2的侧壁形成有用于送入送出基片G的送入送出口21，并且设置有对该送入送出口21进行开闭的闸门22，在送入送出口21开放时，基片G在被作为输送部件的输送臂50(参照后述的图2)从下方支承的状态下，经由送入送出口21和闸门22在相邻的未图示的输送室之间输送。
[0050]在基座4，在基座4的外周部位置和中央部位置(比外周部位置靠内侧或者靠中央的位置)分别形成有贯通载置板4a的插通孔7。在插通孔7中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：处理容器；配置在所述处理容器内的载置台，其具有载置板和用于支承所述载置板的主体部，所述载置板具有用于载置基片的载置面；升降销，其配置在贯通所述载置板的插通孔中，被设置成能够相对于所述载置面伸出和没入；驱动部，其具有贯通所述处理容器的底壁而沿上下方向驱动的驱动轴；以及驱动部件，其被固定于所述驱动轴，与所述升降销隔开间隔地相对配置。2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述升降销与由所述驱动部驱动而上升的所述驱动部件抵接而被上推，该升降销从所述载置面伸出。3.根据权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：在所述载置面配置有多个所述升降销而构成升降销配置，所述升降销配置构成为能够根据所述基片而变更，所述驱动部件构成为，能够根据所述升降销配置来变更所述驱动部件的形状和安装方向之中的至少一者。4.根据权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：配置与所述升降销配置对应的多个所述插通孔而构成插通孔配置，所述载置板构成为能够更换为所述插通孔配置不同的其他载置板。5.根据权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述载置板具有构成插通孔组的多个所述插通孔，所述升降销被配置在从所述插通孔组中选择出的所述插通孔中。6.根据权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述载置板具有构成插通孔组...

【专利技术属性】
技术研发人员：三枝直也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：