【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和液体接收容器的清洗方法
[0001]本公开涉及一种基板处理装置和液体接收容器的清洗方法。
技术介绍
[0002]以往，已知一种在对半导体晶圆、玻璃基板等基板供给处理液来进行各种处理的基板处理装置中，对以包围基板的周围的方式设置的液体接收容器进行清洗的技术。
[0003]例如，在专利文献1中公开了如下一种技术：使用能够旋转的保持部来保持形状与作为处理对象的基板的形状不同的特殊的清洗用基板，并对旋转的清洗用基板供给清洗液，利用从清洗用基板的周缘部飞散出的清洗液对液体接收容器进行清洗。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2000
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315671号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种能够大范围地清洗液体接收容器的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的一个方式的基板处理装置具备保持部、加热机构、清洗液供给部、液体接收容器以...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，具备：保持部，其将基板以能够旋转的方式保持；加热机构，其将保持于所述保持部的所述基板进行加热；清洗液供给部，其向所述基板供给清洗液；液体接收容器，其配置于所述保持部的周围；以及控制部，其对各部进行控制，其中，所述控制部执行以下处理：加热处理，使用所述加热机构将保持于所述保持部的所述基板进行加热；以及第一清洗处理，从所述清洗液供给部向旋转的所述基板供给所述清洗液，使所述基板的周缘部产生翘曲并且利用从所述周缘部飞散的所述清洗液对所述液体接收容器的第一区域进行清洗。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第一清洗处理中，所述控制部使所述清洗液供给部向比所述基板的中央部靠所述基板的周缘部侧的位置供给所述清洗液，并使所述基板的周缘部产生所述翘曲。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第一清洗处理中，所述控制部通过使所述加热机构的设定温度、所述清洗液的供给位置、所述清洗液的供给流量以及所述基板的转速中的至少一方发生变化，来调节所述翘曲的翘曲量。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部还执行第二清洗处理，在所述第二清洗处理中，使所述清洗液供给部向旋转的所述基板供给所述清洗液，不使所述基板的周缘部产生所述翘曲地利用所述清洗液对高度比所述第一区域的高度低的、所述液体接收容器的第二区域进行清洗。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述清洗液供给部包括向所述基板供给所述清洗液的喷嘴、以及使所述喷嘴移动的移动机构，在所述第一清洗处理中，所述控制部使所述清洗液的供给位置移动到比所述基板的中央部靠所述基板的周缘部侧的位置，在所述第二清洗处理中，所述控制部使所述清洗液的供给位置移动到与所述基板的中央部对应的位置。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第一清洗处理中，所述控制部将所述加热机构的设定温度设定为第一温度，在所述第二清洗处理中，所述控制部将所述加热机构的设定温度设定为比所述第一温度低的第二温度。7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第一清洗处理中，所述控制部将所述清洗液的供给流量设定为第一流量，在所述第二清洗处理中，所述控制部将所述清洗液的供给流量设定为比所述第一流量多的第二流量。8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第一清洗处理中，所述控制部使所述基板以第一转速旋转，在所述第二清洗处理中，所述控制部使所述基板以比所述第一转速低的第二转速旋转。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热机构包括能够喷出流体的多个喷出口、以及将所述流体进行加热的加热器，通过从所述多个喷出口对所述基板供给加热后的所述流体来将所述基板进行加热。10.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，还具备第一监视部，所述第一监视部监视所述液体接收容器的所述第一区域和所述第二区域的清洁度，所述控制部还执行第一判定处理，在所述第一判定处理中，基于所述第一监视部的监视结果来判定所述第一清洗处理和所述第二清洗处理中的应执行的一方或两方的处理。11.根据权利要求1所述的基...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤田阳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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