【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
1、已知有以下技术：在立式的等离子体处理装置中，以覆盖形成于处理容器的侧壁的开口的方式设置有等离子体划分壁，在由等离子体划分壁覆盖而得到的内部空间中生成等离子体(例如，参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2004-343017号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种即使在划分壁上沉积膜也能够维持放电的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，在所述处理容器的侧壁具有开口；划分壁，其覆盖所述开口，并且形成与所述处理容器的内部连通的内部空间；以及内部电极，其贯通所述划分壁气密地插入到所述内部空间，所述内部电极被供给rf(射频)电力，其中，在所述划分壁与所述内部电极之间设置有第一间隙。
5、专利技术的效果
6、根据本公开，即使在划分...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：松木信雄，松浦广行，池田太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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