【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
1、以往，已知有在基片处理系统中，通过使用含有磷酸水溶液的蚀刻液，选择性地对在基片上形成的硅氮化膜和硅氧化膜中的硅氮化膜进行蚀刻处理的技术(参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特许第4966223号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供一种在使用含有磷酸水溶液的蚀刻液对基片进行蚀刻的技术中，能够削减蚀刻液的使用量的技术。
3、用于解决技术问题的手段
4、本专利技术的一个方式的基片处理装置包括基片处理部和控制部。基片处理部能够使用含有磷酸水溶液和硅酸化合物的处理液对在表面形成有硅氮化膜(氮化硅膜)和硅氧化膜(氧化硅膜)的1个或多个基片进行蚀刻处理。控制部用于对各部进行控制。另外，所述控制部具有修正部。修正部用于对所述处理液的磷酸浓度进行修正，以使得在从所述蚀刻处理开始到结束的期间，硅氮化膜相对于硅氧化膜的蚀刻选择比以规定的值保持一定。
5、专利技术效果
6、采用本专利技术，在使用含有磷酸水溶液的蚀刻液对基片进行蚀刻的技术中，能够削减蚀刻液的使用量。
【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：
9.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：
10.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：本田拓巳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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