【技术实现步骤摘要】
本公开的例示性的实施方式涉及一种基板处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
1、专利文献1公开一种使用等离子体对绝缘膜进行蚀刻的方法。在该方法中，在蚀刻过程中一边在绝缘膜表面形成导电层一边进行蚀刻。在蚀刻中，使用从wf6与c4f8的混合气体生成的等离子体。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开平9-50984号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种能够去除含金属层的基板处理方法和等离子体处理装置。
3、用于解决问题的方案
4、在一个例示性的实施方式中，基板处理方法包括：工序(a)，提供基板，所述基板具备包含第一材料的第一区域和包含第二材料的第二区域，所述第一材料包含硅，所述第二材料与所述第一材料不同；工序(b)，利用从包含卤族元素和金属的处理气体生成的等离子体，在所述第一区域上形成含金属层，并且对所述第二区域进行蚀刻；以及工序(c)，利用碱将所述含金属层去除。
5、专利技术的效果
6、根据一个例示性的实施方式，提供一种能够去除含金属层的基板处理方法和等离子体处理装置。
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
9.一种基板处理方法，包括：
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
11.根据权利要求9或10所述的基板处理方法，其特征在于，
12.根据权利要求9或10所述的基板处理方法，其特征在于，
13.根据权利要求9或10所述的基板处理方法，其特征在于，
14.根据权利要求9或10所述的基板处理方法，其特征在于，
15.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
16.根据权利要
17.根据权利要求9或10所述的基板处理方法，其特征在于，
18.一种等离子体处理装置，具备：
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
9.一种基板处理方法，包括：
10.根据权利要求9所...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤琢磨，吉村正太，野吕基贵，王昕愷，及川弘太，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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